公开(公告)号：KR1020140085406A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020140072193

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved to cope with progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and flowing aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，能够进一步提高表面粗糙度的精度，以适应接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将氨基硅烷基气体流动到加热的基板（2）上，在基板（2）的表面上形成种子层（3）; 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的种子层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

公开(公告)号：KR101108613B1

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴 유기막에 실리콘 산화막을 성막하여 미세 패턴을 형성할 때에 레지스트 패턴을 슬리밍 처리하는 공정을 삭감할 수 있어, 프로세스 비용을 저감할 수 있는 마스크 패턴의 형성 방법 및 미세 패턴의 형성 방법을 제공한다. 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 공정(S11)과, 박막 상에 레지스트막을 형성하는 공정(S12)과, 포토리소그래피 기술을 이용하여 레지스트막을 소정의 피치를 갖는 레지스트 패턴으로 가공하는 패턴 가공 공정(S13)과, 레지스트 패턴의 형상을 가공하는 형상 가공 공정(S14)과, 소스 가스와 산소 래디컬 또는 상기 산소 함유 가스를 공급하고, 형상 가공 공정에 의해 형상이 가공된 레지스트 패턴 및 박막 상에 산화막을 성막하는 성막 공정(S15)을 구비한다. 형상 가공 공정(S14)과 성막 공정(S15)을 산화막을 성막하는 성막 장치 내에서 연속하여 행한다.

公开(公告)号：KR101079625B1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020090092465

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴유기막에실리콘산화막을성막하여미세패턴을형성할때에레지스트패턴을슬리밍처리하는공정을삭감할수 있어, 프로세스비용을저감할수 있는마스크패턴의형성방법및 미세패턴의형성방법을제공한다. 반도체기판상에박막을형성하는공정(S11)과, 박막상에레지스트막을형성하는공정(S12)과, 포토리소그래피기술을이용하여레지스트막을소정의피치를갖는레지스트패턴으로가공하는패턴가공공정(S13)과, 레지스트패턴의형상을가공하는형상가공공정(S14)과, 소스가스와산소래디컬또는상기산소함유가스를공급하고, 형상가공공정에의해형상이가공된레지스트패턴및 박막상에산화막을성막하는성막공정(S15)을구비한다. 형상가공공정(S14)과성막공정(S15)을산화막을성막하는성막장치내에서연속하여행한다.

公开(公告)号：KR1020110082495A

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/2053

Abstract: PURPOSE: A fine pattern forming method and film forming device are provided to form a silicon oxidation film on a resist pattern and an organic film, thereby eliminating a process of slimming a resist pattern when a mask pattern or a micro pattern is formed. CONSTITUTION: A thin film(102) and an organic film(103) are successively formed on a semiconductor substrate(101). A photoresist film(104) is formed on the organic film. The photoresist film is exposed and developed to form a resist pattern. The resist pattern is slimmed to form a resist pattern which is made of a photoresist film. A silicon oxidation film(105) is formed on the slimmed resist pattern and the organic film.

Abstract translation: 目的：提供精细图案形成方法和成膜装置以在抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜，从而消除当形成掩模图案或微图案时使抗蚀剂图案变薄的过程。 构成：在半导体衬底（101）上依次形成薄膜（102）和有机膜（103）。 在有机膜上形成光致抗蚀剂膜（104）。 光致抗蚀剂膜被曝光和显影以形成抗蚀剂图案。 抗蚀剂图案变薄以形成由光致抗蚀剂膜制成的抗蚀剂图案。 在薄的抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜（105）。

公开(公告)号：KR101615968B1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：KR1020140072197

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101534637B1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020140072193

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

Abstract translation: 本发明提供能够进一步提高表面粗糙度的精度，并且能够应对待开发的接触孔和线路的小型化的非晶硅膜形成方法。 （2）通过加热基体（2）并使氨基硅烷基气体流入加热基体（2）中来形成基体（2）的表面层（3）的步骤， 将不含氨基的硅烷系气体供给至一个基材2的表面的种子层3，使不含氨基的硅烷系气体热分解，在种子层3上形成非晶硅膜 以及步骤。

公开(公告)号：KR101534634B1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020140072192

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020140086944A

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：KR1020140072194

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将氨基硅烷基气体流动到加热的基板（2）上，在基板（2）的表面上形成种子层（3）; 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的种子层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

公开(公告)号：KR1020140085405A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020140072192

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved to cope with progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，能够进一步提高表面粗糙度的精度，以适应接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

公开(公告)号：KR1020130014458A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020120145412

申请日：2012-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成非晶硅膜的方法，其方法是通过提高表面粗糙度的精度来精细地形成接触孔和线。 构成：加热硅衬底（1）的基底（2）。 通过将氨基硅烷基气体流到基底，在基底的表面上形成种子层（3）。 没有氨基的硅烷气体被供给到基底表面上的种子层。 没有氨基的硅烷气体被热分解。 在种子层上形成非晶硅膜（4）。