公开(公告)号：KR101434342B1

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: (과제) 피(被)처리체의 표면에 고밀도로, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성하는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 처리 용기(14) 내에서 피처리체(W)의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 처리 용기 내에 실란계 가스로 이루어지는 시드 가스를 공급하여 피처리체의 표면에 상기 시드 가스를 흡착시키는 흡착 공정과, 처리 용기 내에 원료 가스인 실리콘 함유 가스와, 불순물을 포함하는 첨가 가스를 공급하여 불순물이 첨가된 실리콘막을 형성하는 막 형성 공정과, 실리콘막을 산화시켜 실리콘 산화막으로 변환하는 산화 공정을 갖도록 한다. 이에 따라, 피처리체의 표면에 고밀도이고, 또한 높은 응력의 실리콘 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101285211B1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 반응실 내에서, 주(主) 클리닝 처리와 포스트 클리닝 처리를 이 순서로 행하는 것을 구비한다. 주 클리닝 처리는, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여, 실리콘을 포함하는 성막 부(副)생성물을 에칭한다. 포스트 클리닝 처리는, 주 클리닝 처리에 의해 발생하고 그리고 반응실 내에 잔류하는 실리콘 함유 불화물을 제거하기 위해, 반응실 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘 함유 불화물을 산화함으로써 중간 생성물로 변환하는 공정과, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불화 수소 가스를 공급하여, 중간 생성물과 반응시켜서 제거하는 공정을 번갈아 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR101282908B1

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020110039227

申请日：2011-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면 거칠기의 정밀도를 더욱 개선할 수 있어, 진전되는 콘택트 홀이나 라인 등의 미세화에 대응 가능한 어모퍼스 실리콘의 성막 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 하지(2)를 가열하고, 가열한 하지(2)에 아미노실란계 가스를 흘려 하지(2)의 표면에 시드층(3)을 형성하는 공정과, 하지(2)를 가열하고 가열한 하지(2)의 표면의 시드층(3)에 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하여, 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에 어모퍼스 실리콘막을 형성하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020130047594A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon oxide layer is provided to secure a desired surface roughness or a desired interface roughness. CONSTITUTION: A seed layer is formed on a silicon substrate(step 1). A silicon layer is formed on the seed layer(step 2). The silicon layer and the seed layer are oxidized to form a silicon oxide layer on the silicon substrate(step 3). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Form a seed layer on a silicon substrate; (CC) Form a silicon layer on the seed layer; (DD) Form a silicon oxide layer on the silicon substrate by oxidizing the silicon layer and the seed layer; (EE) End; (FF) Step 1; (GG) Step 2; (HH) Step 3

Abstract translation: 目的：提供形成氧化硅层的方法以确保所需的表面粗糙度或所需的界面粗糙度。 构成：在硅衬底上形成种子层（步骤1）。 在种子层上形成硅层（步骤2）。 硅层和籽晶层被氧化以在硅衬底上形成氧化硅层（步骤3）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）在硅衬底上形成晶种层; （CC）在种子层上形成硅层; （DD）通过氧化硅层和种子层在硅衬底上形成氧化硅层; （EE）结束; （FF）步骤1; （GG）步骤2; （HH）步骤3

公开(公告)号：KR1020110139107A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：KR1020110058469

申请日：2011-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  하세베카즈히데 ,  야마모토카즈야 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키다이스케

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/45523

Abstract: PURPOSE: A film formation method and a film formation apparatus are provided to suppress deformation of an unevenness pattern which is formed on the surface of a target by forming a silicon oxide film in the surface of the target. CONSTITUTION: In a film formation method and a film formation apparatus, an exhaust pipe opened to the ceiling of the treatment basin is installed. . A plurality of exhaust-nozzles(18) bent in traverse direction are installed. An exhaust system(24) processes the atmosphere inside the treat basin. The bottom of the treatment basin is supported by a manifold of a cylinder shape. A seal member(30) is arranged between the lower end of the treatment basin and the upper end of the manifold.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜装置，以通过在靶的表面形成氧化硅膜来抑制形成在靶表面上的凹凸图案的变形。 构成：在成膜方法和成膜装置中，安装有向处理盆的天花板开口的排气管。 。 安装沿横动方向弯曲的多个排气喷嘴（18）。 排气系统（24）处理处理池内的气氛。 处理盆的底部由圆柱形的歧管支撑。 密封构件（30）设置在处理盆的下端和歧管的上端之间。

公开(公告)号：KR1020110119581A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：KR1020110039227

申请日：2011-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a thin film of an amorphous silicon layer is provided to improve the precision of surface roughness. CONSTITUTION: A seed layer(3) is formed on a base(2) by flowing aminosilane based gas on the heated base. Silane based gas without amino group is supplied to the seed layer. Silane group gas without amino group is pyrolyzed. An amorphous silicon layer(4) is formed on the seed layer. The thickness of the amorphous silicon layer is 50 nm to 100 nm.

Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅层薄膜的方法和装置，以提高表面粗糙度的精度。 构成：通过在加热的基底上流动氨基硅烷基气体，在基底（2）上形成种子层（3）。 将无氨基的无硅烷基气体供给种子层。 没有氨基的硅烷基气体被热解。 在种子层上形成非晶硅层（4）。 非晶硅层的厚度为50nm〜100nm。

公开(公告)号：KR101534638B1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：KR1020140072194

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR101529171B1

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：KR1020120145412

申请日：2012-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.

公开(公告)号：KR1020140085407A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020140072197

申请日：2014-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  무라카미히로키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76876

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved and progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like can be handled. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。

公开(公告)号：KR101569377B1

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：KR1020120118473

申请日：2012-10-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미히로키 ,  이케우치토시유키 ,  사토준 ,  모로즈미유이치로 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/32105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: (과제) 표면러프니스가양호한실리콘산화물막을얻는것이가능한실리콘산화물막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(1) 상에시드층(2)을형성하는공정과, 시드층(2) 상에실리콘막(3)을형성하는공정과, 실리콘막(3) 및시드층(2)을산화시켜, 하지(1) 상에실리콘산화물막(4)을형성하는공정을구비한다.