公开(公告)号：KR1020090084737A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：KR1020090007354

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  나까지마시게루 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: A film forming apparatus and a media which is readable by a computer is provided to form an insulating layer containing the silicon with the predetermined thickness by piling up the thin film per every cycle. The first process gas comprises the diisopropyl amino silane gas. The second process gas comprises the combustion gas or the nitrous gas. A film forming apparatus(1) has a reaction tube(2) of the cylindrical shape. The film forming apparatus comprises a controller(100) performing the equipment angle negative control. A gas outlet(4) is formed in the upper part of the reaction tube. The supply of the first process gas about the process area(2a) is performed.

Abstract translation: 提供可由计算机读取的成膜装置和介质，以通过每个循环堆叠薄膜来形成含有预定厚度的硅的绝缘层。 第一工艺气体包括二异丙基氨基硅烷气体。 第二工艺气体包括燃烧气体或亚硝气。 成膜装置（1）具有筒状的反应管（2）。 成膜装置包括执行设备角度负控制的控制器（100）。 气体出口（4）形成在反应管的上部。 围绕处理区域（2a）供应第一工艺气体。

公开(公告)号：KR1020060002805A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057016676

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: A method for removing a silicon oxide film is disclosed which enables to efficiently remove a silicon oxide film such as a natural oxide film or a chemical oxide film at a temperature considerably higher than room temperature. In the method for removing a silicon oxide film formed on the surface of an object (W) to be processed within an evacuatable process chamber (18), the silicon oxide film is removed by using a mixed gas of HF gas and NH3 gas. By using the mixed gas of HF gas and NH3 gas, the silicon oxide film formed on the surface of the object can be efficiently removed.

Abstract translation: 公开了一种去除氧化硅膜的方法，其能够在远高于室温的温度下有效地除去氧化硅膜，例如天然氧化物膜或化学氧化物膜。 在除去在可抽空处理室（18）内待处理物体（W）的表面上形成的氧化硅膜的方法中，通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体除去氧化硅膜。 通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体，可以有效地除去形成在物体表面上的氧化硅膜。

公开(公告)号：KR100860683B1

公开(公告)日：2008-09-26

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명의 과제는 불순물의 관통을 방지하는 것이 가능한 절연층을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
표면에 SiO
2 막, 혹은 SiON막으로 이루어지는 베이스막이 형성되어 있는 복수매의 피처리체(W)에 성막을 실시하는 방법에 있어서, 복수매의 피처리체를 소정의 간격을 두고 다단으로 수용한 처리 용기 내에 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 테트라클로로실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 원료 가스와 암모니아 가스를 교대로 복수회 반복해서 공급하여 낮은 프로세스 온도에서 베이스막 상에 얇은 실리콘 질화막을 적층하도록 성막한다. 이에 의해, 적층 실리콘 질화막의 막질이 개선되어 불순물의 관통을 대폭으로 억제한다.
베이스막, 적층 실리콘 질화막, CVD 절연층, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020080029846A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097409

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon oxide film are provided to maintain a film formation rate and to form a silicon oxide layer of high quality at low temperature. A first process is performed to supply a first processing gas to a processing region, to stop a second processing gas supplied to the processing region, and to form an absorbing layer including silicon on a surface of a target substrate. A second process is performed to supply a second processing gas to the processing region, to stop the first processing gas supplied to the processing region, and to oxidize the absorbing layer formed on the surface of the target substrate. The first and second processes are performed repeatedly, in order to form an oxide layer having a predetermined thickness. The process temperature is lowered by using a univalent or bivalent aminosilane gas as the silicon source gas in comparison with a trivalent aminosilane gas.

Abstract translation: 提供一种形成氧化硅膜的方法和装置，以保持成膜速率并在低温下形成高品质的氧化硅层。 执行第一处理以向处理区域提供第一处理气体，以停止供应到处理区域的第二处理气体，并且在目标基板的表面上形成包括硅的吸收层。 执行第二处理以向处理区域供应第二处理气体，以停止供应到处理区域的第一处理气体，并且氧化形成在目标基板表面上的吸收层。 为了形成具有预定厚度的氧化物层，重复执行第一和第二工序。 与三价氨基硅烷气体相比，使用一价或二价氨基硅烷气体作为硅源气体，降低了工艺温度。

公开(公告)号：KR1020050028321A

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。

公开(公告)号：KR101247828B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020090007354

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  나까지마시게루 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: 디이소프로필아미노실란 가스를 구비하는 제1 처리 가스와 산화 가스 또는 질화 가스를 구비하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이로 인해, 제1 및 제2 공정을 교대로 구비하는 사이클을 복수회 반복한다. 제1 공정은, 제1 처리 가스의 공급을 행하여, 피처리 기판의 표면에 실리콘을 포함하는 흡착층을 형성한다. 제2 공정은, 제2 처리 가스의 공급을 행하여, 피처리 기판의 표면 상의 흡착층을 산화 또는 질화한다. 제2 공정은, 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 처리 영역에 공급하는 여기 기간을 구비한다.
피처리 기판, 흡착층, 실리콘 함유 절연막, 처리 가스, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101108613B1

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴 유기막에 실리콘 산화막을 성막하여 미세 패턴을 형성할 때에 레지스트 패턴을 슬리밍 처리하는 공정을 삭감할 수 있어, 프로세스 비용을 저감할 수 있는 마스크 패턴의 형성 방법 및 미세 패턴의 형성 방법을 제공한다. 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 공정(S11)과, 박막 상에 레지스트막을 형성하는 공정(S12)과, 포토리소그래피 기술을 이용하여 레지스트막을 소정의 피치를 갖는 레지스트 패턴으로 가공하는 패턴 가공 공정(S13)과, 레지스트 패턴의 형상을 가공하는 형상 가공 공정(S14)과, 소스 가스와 산소 래디컬 또는 상기 산소 함유 가스를 공급하고, 형상 가공 공정에 의해 형상이 가공된 레지스트 패턴 및 박막 상에 산화막을 성막하는 성막 공정(S15)을 구비한다. 형상 가공 공정(S14)과 성막 공정(S15)을 산화막을 성막하는 성막 장치 내에서 연속하여 행한다.

公开(公告)号：KR101079625B1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：KR1020090092465

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 패턴유기막에실리콘산화막을성막하여미세패턴을형성할때에레지스트패턴을슬리밍처리하는공정을삭감할수 있어, 프로세스비용을저감할수 있는마스크패턴의형성방법및 미세패턴의형성방법을제공한다. 반도체기판상에박막을형성하는공정(S11)과, 박막상에레지스트막을형성하는공정(S12)과, 포토리소그래피기술을이용하여레지스트막을소정의피치를갖는레지스트패턴으로가공하는패턴가공공정(S13)과, 레지스트패턴의형상을가공하는형상가공공정(S14)과, 소스가스와산소래디컬또는상기산소함유가스를공급하고, 형상가공공정에의해형상이가공된레지스트패턴및 박막상에산화막을성막하는성막공정(S15)을구비한다. 형상가공공정(S14)과성막공정(S15)을산화막을성막하는성막장치내에서연속하여행한다.

公开(公告)号：KR1020110082495A

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020110051227

申请日：2011-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베카즈히데 ,  나카지마시게루 ,  오가와쥰 ,  무라카미히로키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/027 ,  C23C16/02 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45536 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/2053

Abstract: PURPOSE: A fine pattern forming method and film forming device are provided to form a silicon oxidation film on a resist pattern and an organic film, thereby eliminating a process of slimming a resist pattern when a mask pattern or a micro pattern is formed. CONSTITUTION: A thin film(102) and an organic film(103) are successively formed on a semiconductor substrate(101). A photoresist film(104) is formed on the organic film. The photoresist film is exposed and developed to form a resist pattern. The resist pattern is slimmed to form a resist pattern which is made of a photoresist film. A silicon oxidation film(105) is formed on the slimmed resist pattern and the organic film.

Abstract translation: 目的：提供精细图案形成方法和成膜装置以在抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜，从而消除当形成掩模图案或微图案时使抗蚀剂图案变薄的过程。 构成：在半导体衬底（101）上依次形成薄膜（102）和有机膜（103）。 在有机膜上形成光致抗蚀剂膜（104）。 光致抗蚀剂膜被曝光和显影以形成抗蚀剂图案。 抗蚀剂图案变薄以形成由光致抗蚀剂膜制成的抗蚀剂图案。 在薄的抗蚀剂图案和有机膜上形成硅氧化膜（105）。

公开(公告)号：KR100980126B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구