公开(公告)号：KR1020060054232A

公开(公告)日：2006-05-22

申请号：KR1020060031060

申请日：2006-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  고니시노부오 ,  미즈타니요지

IPC: H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/6715

Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막 도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하고, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온 가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기로 한다.

公开(公告)号：KR100524205B1

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1019980054990

申请日：1998-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케시타가즈히로 ,  나가시마신지 ,  무라마쓰마코토 ,  미즈타니요지 ,  야노가즈토시 ,  가타야마교시게

IPC: B05C5/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0486 ,  B05D3/107 ,  H01L21/6715 ,  Y10S134/902

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.