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公开(公告)号：KR1019990066843A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980054574
申请日：1998-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 정류면부(37a)는 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부로부터 밀폐용기의 중심부로 가는 도중에 일단 웨이퍼(W)에서 가장 멀어지고, 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 중앙 근방의 부분에서 다시 웨이퍼(W)에 근접하도록 아래쪽을 향하여 볼록하게 나와 있다. 즉, 정류면부(37a)를 종단면에서 볼 때에 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 주변영역에 볼록부(37c)가 형성되어 있다. 이 정류면부(37a)의 표면에 따라 처리가스가 흐르기 때문에 웨이퍼(W)의 반경방향에 걸쳐 처리가스와 웨이퍼(W)와의 접촉이 균일화되고, 그에 따라 균일한 막이 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020050055686A
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020050046175
申请日：2005-05-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , B05D1/005 , B05D3/0486 , B05D3/107 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
公开(公告)号：KR100722585B1
公开(公告)日：2007-05-28
申请号：KR1020060031060
申请日：2006-04-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6715
Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막 도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하고, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온 가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기로 한다.
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公开(公告)号：KR100503391B1
公开(公告)日：2005-07-22
申请号：KR1020050046175
申请日：2005-05-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6708 , B05D1/005 , B05D3/0486 , B05D3/107 , H01L21/6715 , Y10S134/902
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
公开(公告)号：KR100524204B1
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1019980054574
申请日：1998-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 정류면부(37a)는 웨이퍼(W)의 둘레가장자리부로부터 밀폐용기의 중심부로 가는 도중에 일단 웨이퍼(W)에서 가장 멀어지고, 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 중앙 근방의 부분에서 다시 웨이퍼(W)에 근접하도록 아래쪽을 향하여 볼록하게 나와 있다. 즉, 정류면부(37a)를 종단면에서 볼 때에 정류면부(37a)의 배기구(35a)를 둘러싸는 주변영역에 볼록부(37c)가 형성되어 있다. 이 정류면부(37a)의 표면에 따라 처리가스가 흐르기 때문에 웨이퍼(W)의 반경방향에 걸쳐 처리가스와 웨이퍼(W)와의 접촉이 균일화되고, 그에 따라 균일한 막이 형성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030071830A
公开(公告)日：2003-09-06
申请号：KR1020037009536
申请日：2002-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/02137 , H01L21/02282 , H01L21/0234 , H01L21/02351 , H01L21/3105 , H01L21/3124 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 기판상에 층간절연막을 형성하여, 상기 층간절연막을 종래보다도 단시간으로 경화시키는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판상에 도포형성된 층간절연막에 대해, 처리실내에서 전자선을 조사함으로써, 상기 층간절연막을 경화시킨다.-
公开(公告)号：KR1020010029808A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000033205
申请日：2000-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6715
Abstract: PURPOSE: A film forming method and film forming system is provided to simplify the process of forming two-layer structure of insulation film and hard mask layer without using a CVD device. CONSTITUTION: A film forming method comprises the steps of forming a first coating film by providing a first coating liquid onto a substrate; and a second step of forming a second coating film by providing a second coating liquid onto the first coating film, wherein at least one of first and second coating films is an inorganic film. A film forming system comprises a cassette station for delivering/supplying wafers in cassette units from/to the film forming system; a first treatment station having a plurality of treatment units for performing predetermined treatments during an insulation film forming process; an interface unit arranged to be adjacent to the first treatment station, and which conveys wafers; and a second treatment station having a heat treatment furnace performing a heat treatment in a batch manner.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和成膜系统，以简化在不使用CVD装置的情况下形成绝缘膜和硬掩模层的两层结构的工艺。 构成：成膜方法包括以下步骤：通过在基材上提供第一涂布液形成第一涂膜; 以及通过在第一涂膜上设置第二涂布液形成第二涂膜的第二步骤，其中第一涂膜和第二涂膜中的至少一个是无机膜。 成膜系统包括用于从成膜系统/从成膜系统向盒单元输送/供应晶片的盒式台架; 第一处理站具有多个处理单元，用于在绝缘膜形成过程中执行预定处理; 布置成与第一处理站相邻并且传送晶片的接口单元; 以及第二处理台，具有以分批方式进行热处理的热处理炉。
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公开(公告)号：KR1019990063060A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980054990
申请日：1998-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: B05C5/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
도포막형성방법, 도포유니트, 에이징유니트, 용매치환유니트, 및 도포막형성장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
밀폐용기내로의 가스도입 개시시의 농도 및 온도의 변동을 억제하는 것, 밀폐용기내에 기판 예컨대 웨이퍼를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 막는 것 및 그에 따라 양질인 얇은 막 예컨대 층간절연막을 얻을 수 있는 도포막형성방법, 에이징유니트, 도포막형성장치를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
웨이퍼(W) 반입전에 혼합가스를 생성하여 배기하여 두고, 챔버(3)내로의 가스도입 개시시의 용매성분의 농도 및 온도의 변동을 억제한다. 에이징유니트내에 웨이퍼(W)를 반입하고 나서 겔화시키는 공정을 몇 개의 단계로 나눈다. 웨이퍼(W) 온도가 소정의 처리온도에 달할 때까지 혼합가스중의 용매성분의 평균농도를 웨이퍼(W) 온도에 대하여 서서히 높게 하여 간다. 그에 따라 밀폐용기내에 웨이퍼(W)를 반입한 직후에 있어서의 용매성분의 가스의 결로를 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체디바이스의 층간절연막을 형성하는 방법에 사용됨.-
公开(公告)号：KR100881722B1
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020037009536
申请日：2002-01-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/02137 , H01L21/02282 , H01L21/0234 , H01L21/02351 , H01L21/3105 , H01L21/3124 , H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 기판상에 층간절연막을 형성하여, 상기 층간절연막을 종래보다도 단시간으로 경화시키는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판상에 도포형성된 층간절연막에 대해, 처리실내에서 전자선을 조사함으로써, 상기 층간절연막을 경화시킨다.-
公开(公告)号：KR100604018B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020000033205
申请日：2000-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/6715
Abstract: 유기절연막 도포장치에서, 웨이퍼 상에 스핀코트(Spincoat)에 의하여 유기절연막을 도포한다. 그 후, 웨이퍼를 가열 처리하여, 무기절연막도포장치에서 웨이퍼 상에 스핀코트에 의하여 무기절연막을 도포한다. 무기절연막 도포 후, 에이징 (AGING)처리 및 익스체인지(Exchange)용 약액 도포처리를 웨이퍼에 실시한다. 그 후, 저온가열처리장치 및 저산소 고온가열처리장치에서 도포막의 용매를 제거하여, 저산소큐어(Cure)·냉각처리장치에서 웨이퍼에 열처리를 실시한다. 저온가열처리장치, 저산소 고온가열처리장치, 저온가열처리장치와 저산소 고온가열처리장치와의 사이에 웨이퍼의 전달부, 저산소 고온가열처리장치와 저산소큐어·냉각처리장치 사이의 웨이퍼 전달부를, 저산소 분위기라고 한다.
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