公开(公告)号：KR1020060130789A

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020067025314

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.

Abstract translation: 一种基板加热装置，其能够将放置在具有加热装置（108）的装载台（104）上的基板加热到处理容器（102）中，所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分（202） 由第二材料形成的密封部分（204），其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料，以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分（206） 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料，可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度，从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。

公开(公告)号：KR1020140042699A

公开(公告)日：2014-04-07

申请号：KR1020130114205

申请日：2013-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  B05B1/00

CPC classification number: B05B1/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/67011

Abstract: The present invention provides a film forming device capable of forming a film having a high exchanging property with a reactive gas and replacement gas and having excellent in-plane uniformity. In a film forming device performing a film forming process by supplying multiple types of reactive gases, which are reacting with each other, in a regular sequence for a substrate (W) in a processing chamber in a vacuum atmosphere, a ceiling part (31) facing a mounting part (2) where the substrate is mounted has the structure of an inclination surface being wider from the center to the circumference. Multiple gas discharging holes (42) are formed along a peripheral direction at multiple gas supplying parts (4) formed at the center part of the ceiling part (31). A shower head (5) covering the gas supplying parts (4) at a lower side supplies gas to the substrate (W) in the form of shower via the gas supplying parts. The outer body of the shower head (5) is positioned at a side closer to the inside than the outer body of the substrate (W) mounted at the mounting part (2).

Abstract translation: 本发明提供一种能够形成与反应性气体和置换气体具有高交换性的膜并具有优异的面内均匀性的成膜装置。 在通过在真空气氛中的处理室中的基板（W）的规则顺序相互反应的多种类型的反应性气体进行成膜处理的成膜装置中， 面向其中安装基板的安装部分（2）具有从中心到圆周更宽的倾斜表面的结构。 在天花板部分（31）的中心部形成的多个气体供给部（4）沿着周向形成有多个排气孔（42）。 覆盖下侧的气体供给部（4）的喷头（5）经由气体供给部以喷淋的形式将气体供给到基板（W）。 淋浴头（5）的外体位于比安装在安装部（2）的基板（W）的外侧更靠近内侧的一侧。

公开(公告)号：KR100978965B1

公开(公告)日：2010-08-30

申请号：KR1020067025314

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020030063479A

公开(公告)日：2003-07-28

申请号：KR1020037008717

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/68

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

Abstract translation: 本发明的基板加热装置在处理容器102内加热安装在具有加热装置108的安装台104上的基板，该基板加热装置包括由第一材料制成以支撑安装台的支撑部分202，密封部分204 由不同于第一材料的第二材料制成，以密封支撑部分和处理容器;以及接合部分206，用于以气密方式接合支撑部分和密封部分。 利用该构造，通过适当地选择具有不同导热率的第一材料和第二材料，可以减小安装台的顶部和安装台的底部之间的热梯度。 结果，可以缩短安装台的支撑结构的长度。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR101018506B1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020107007145

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

Abstract translation: 用于加热安装在载置台104具有加热装置（108）的基板在基板加热装置支撑部分包括根据本发明的第一材料，并在处理容器（102）支撑在安装台（ 202），并且，设置有第一材料，并且是热导率是由不同的第二材料，该密封部204和支撑部和密封接头206，其密封地结合，以密封支撑部和上述处理容器的。 通过这样的结构，通过适当地选择第一材料和具有不同热导率的第二材料，从而能够降低在安装台的顶部和底部之间的热梯度，其结果降低了安装台的支承结构的长度 Lt。

公开(公告)号：KR100886505B1

公开(公告)日：2009-03-02

申请号：KR1020077013007

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100883695B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020087019232

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: 본 발명에 따른 처리 용기(102)내에 있어서 가열 수단(108)을 구비한 탑재대(104)에 탑재된 기판을 가열하는 기판 가열 장치는, 제 1 재료로 구성되고, 탑재대를 지지하는 지지부(202)와, 제 1 재료와 열 전도율이 상이한 제 2 재료로 구성되고, 지지부와 처리 용기를 밀봉하는 밀봉부(204)와, 지지부와 밀봉부를 기밀하게 접합하는 접합부(206)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의하면, 상이한 열 전도율을 갖는 제 1 재료와 제 2 재료를 적절하게 선택함으로써, 탑재대의 상부와 하부 사이의 열 구배를 작게 하는 것이 가능해져, 그 결과 탑재대의 지지 구조의 길이를 짧게 하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020080083062A

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：KR1020087019232

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.

Abstract translation: 一种基板加热装置，其能够将放置在具有加热装置（108）的装载台（104）上的基板加热到处理容器（102）中，所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分（202） 由第二材料形成的密封部分（204），其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料，以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分（206） 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料，可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度，从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。

公开(公告)号：KR100715054B1

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020057015823

申请日：2004-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가토수수무 ,  고마츠도모히토 ,  사이토데츠야 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/455

Abstract: 본 발명의 진공 처리 장치는, 바닥부를 갖는 진공 가능한 처리용기와, 처리용기 내에 설치되는 탑재대와, 탑재대 상의 기판을 가열하는 가열부와, 처리용기 내에 처리가스를 공급하는 처리가스공급부와, 탑재대와 처리용기의 바닥부 사이의 공간을 둘러싸서, 당해 공간을 처리용기 내의 처리공간으로부터 구획하는 구획부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내로부터 퍼지가스를 배기하는 퍼지가스배기부와, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내의 압력을 조정하도록, 퍼지가스공급부 및/또는 퍼지가스배기부를 제어하는 제어부와, 처리용기의 바닥부를 관통하여, 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내에 삽입되고, 탑재대에 접촉하는 선단부를 갖는 온도검출부를 구비하며, 구획부는 처리용기의 바닥부와 면 접촉하는 하단부를 갖고, 제어부는 구획부에 의해 둘러싸인 공간 내의 압력을 처리용기 내의 처리공간 내의 압력보다 높게 조정하도록 되어 있다.

Abstract translation: 和处理气体供给到本发明的真空处理装置，并且可以具有一个底部部分真空处理容器，配备在该处理容器中提供了一种用于将处理气体供应到加热单元，以及一个处理容器进行加热载置台的基板， 封闭带的安装底部和处理容器中，并与该分区之间的空间，用于从处理室中的处理空间分隔艺术空间，吹扫气体供给用于供应吹扫气体到由隔壁包围的空间中，分区 并且通过吹扫气体排气和用于控制吹扫气体供给和/或吹扫气体排气部，以调整在由隔板用于从所包围的空间中排出的吹扫气体所包围的空间中的压力的​​控制器，通过穿透所述处理容器的底部部分 以及温度检测部分，其插入由分隔部分围绕的空间中并具有接触安装台的前端部分， 它具有与容器的底部部分接触，所述控制器适于调整在由比在处理容器内的处理空间中的压力分隔部包围的空间内的高压的底面。

公开(公告)号：KR1020050105249A

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：KR1020057015823

申请日：2004-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가토수수무 ,  고마츠도모히토 ,  사이토데츠야 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/455

Abstract: A vacuum processing apparatus is constituted of the following portions: a processing container with the bottom, capable of drawing vacuum; a placement platform installed in the container; a heating portion for heating a substrate on the platform; a processing gas-feeding portion for feeding a processing gas into the container; a partitioning portion surrounding a space between the platform and the bottom of the container and partitioning off the space from a processing space in the container; a purge gas-feeding portion for feeding a purge gas into the space surrounded by the partitioning portion; a purge gas-discharging portion for discharging the purge gas from the space surrounded by the partitioning portion; a control portion for controlling the purge gas-feeding portion and/or the purge gas- discharging portion so as to regulate the pressure in the space surrounded by the partitioning portion; and a temperature-detecting portion penetrating the bottom of the container, inserted in the space surrounded by the partitioning portion, and having the top end in contact with the platform. The partitioning portion has the lower end in surface- contact with the bottom of the container. The control portion regulates the pressure in the space surrounded by the partitioning portion to a pressure higher than that in the processing space in the container.

Abstract translation: 真空处理装置由以下部分构成：具有底部的能够抽真空的处理容器; 安装在容器中的放置平台; 用于加热所述平台上的基板的加热部分; 处理气体供给部，用于将处理气体供给到所述容器中; 围绕所述平台和所述容器的底部之间的空间并将所述空间与所述容器中的处理空间分隔开的分隔部分; 净化气体供给部分，用于将净化气体供给到由分隔部分包围的空间中; 净化气体排出部，用于从由分隔部包围的空间排出净化气体; 用于控制吹扫气体供给部分和/或吹扫气体排出部分以控制由分隔部分围绕的空间中的压力的​​控制部分; 以及穿过容器底部的温度检测部分，插入到由分隔部分包围的空间中，并且顶端与平台接触。 分隔部分的下端与容器的底部表面接触。 控制部将由分隔部包围的空间的压力调整为比容器内的处理空间高的压力。