성막 장치
    1.
    发明公开
    성막 장치 有权
    电影制作装置

    公开(公告)号:KR1020150108780A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:KR1020150036811

    申请日:2015-03-17

    Abstract: 기판에 대하여 복수 종류의 반응 가스를 순번으로 공급하고, 치환용의 가스를 공급하여 성막 처리를 실행하는 성막 장치는 기판이 탑재되도록 구성된 탑재부와, 탑재부에 대향하는 평탄한 면과, 복수의 가스 공급구를 포함하는 샤워 헤드를 포함한다. 환상 돌기부는 탑재부의 상면과 환상 돌기부 사이에 간극을 형성하도록 샤워 헤드에 마련된다. 복수의 가스 공급부는 샤워 헤드의 상방측에 형성된 천정부에 마련된다. 각각의 가스 공급부는 둘레 방향을 따라서 형성된 가스 토출구를 구비한다. 확산 공간은, 평면에서 보았을 때 확산 공간의 외연이 탑재부에 탑재된 기판의 외연보다 내측에 위치되도록 배치되어 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种成膜装置,其能够相对于基板依次提供多种类型的反应气体,并且通过供给用于替代的气体形成膜,并且包括:形成为允许基板为 安装; 以及具有面向安装部的平面的喷淋头和多个气体供给孔。 在花洒头中制备环形突出部分,以在环形突出部分和安装部分的上表面之间形成间隙。 在形成于淋浴喷头的上侧的顶部配备有多个气体供给部。 每个气体供应部件包括沿圆周方向形成的气体排出孔。 扩散空间布置成允许扩散空间的外边缘比从平面观察时安装在安装部分上的基板的外边缘更靠内侧定位。

    성막 장치
    2.
    发明公开
    성막 장치 有权
    电影制作装置

    公开(公告)号:KR1020100049684A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:KR1020107007145

    申请日:2001-12-28

    Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.

    Abstract translation: 一种基板加热装置,其能够将放置在具有加热装置(108)的装载台(104)上的基板加热到处理容器(102)中,所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分(202) 由第二材料形成的密封部分(204),其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料,以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分(206) 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料,可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度,从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。

    기판 가열 장치 및 그 세정 방법
    3.
    发明授权
    기판 가열 장치 및 그 세정 방법 有权
    基板加热装置及其装置的方法

    公开(公告)号:KR100765558B1

    公开(公告)日:2007-10-09

    申请号:KR1020037008717

    申请日:2001-12-28

    Abstract: A substrate heating apparatus of the present invention, which heats a substrate mounted on a mount table 104 having heating means 108, in a processing vessel 102, includes a supporting part 202 made from a first material to support the mount table, a sealing part 204 made from a second material different from the first material in heat conductivity to seal the supporting part and the processing vessel and a joint part 206 for joining the supporting part and the sealing part in an airtight manner. With the constitution, by selecting the first material and the second material of different heat conductivities properly, it is possible to reduce a heat gradient between the top of the mount table and the bottom of the mount table. As a result, it is possible to shorten a supporting structure for the mount table, in length.

    가스 공급 장치 및 처리 장치
    4.
    发明公开
    가스 공급 장치 및 처리 장치 失效
    燃气供应和加工设备

    公开(公告)号:KR1020040106381A

    公开(公告)日:2004-12-17

    申请号:KR1020047017091

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: H01L21/67017 C23C16/4481 Y10T137/0324

    Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 장치내로 공급하는 것이 가능한 처리 시스템을 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 장치(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 시스템(24)을 갖는 처리 시스템에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 시스템은 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.

    성막 장치
    5.
    发明授权
    성막 장치 有权
    成膜装置

    公开(公告)号:KR101804597B1

    公开(公告)日:2017-12-04

    申请号:KR1020130114205

    申请日:2013-09-26

    CPC classification number: B05B1/005 C23C16/34 C23C16/4412 C23C16/45565

    Abstract: 반응가스와치환가스와의치환성이높고, 면내균일성이양호한막을성막가능한성막장치를제공한다. 진공분위기인처리실내의기판(W)에대하여서로반응하는복수종류의반응가스를순서대로공급해서성막처리를행하는성막장치에있어서, 기판(W)가탑재되는탑재부(2)에대향해서마련되는천정부(31)는, 중앙으로부터외주를향해서점점넓어지는형상의경사면구조를가진다. 이천정부(31)의중앙영역에마련된복수의가스공급부(4)에는, 둘레방향에따라복수의가스토출구(42)가형성되고, 이들의가스공급부(4)를하방측에서덮도록마련된샤워헤드(5)는, 복수의가스공급구를거쳐서, 기판(W)을향해서샤워형상으로가스를공급한다. 그리고이 샤워헤드(5)의외연은, 탑재부(2)에탑재된기판(W)의외연보다도내측에위치하고있다.

    Abstract translation: 与反应气体以及置换气体阻力高度取代的并且提供了一种能够良好薄膜的面内均匀性的沉积成膜装置。 在薄膜中的多个种类的相互反应相对于所述基板(W)的过程中的顺序提供用于执行膜形成过程中的真空环境室的反应气体的形成装置,天花板在所述基板(W)朝向2对比安装承载平台提供 31,从中心朝向外周的形状的斜面结构逐渐加宽。 多个在2000个单元31的中央区域中设置的气体供给部4的,然后所述多个气体喷出口42是根据与周向方向正式类型属性,喷头提供他们的气体供给部(4),以便从下侧盖 如图5所示,通过多个气体供给口的,朝基片(W)和所述气体供给至喷淋状。 该开放意想不到喷淋头5位于内侧比基板(W)安装在令人惊讶的开放式装配部(2)。

    가스 공급 장치 및 기판 처리 장치
    7.
    发明公开
    가스 공급 장치 및 기판 처리 장치 有权
    气体供应装置和基板处理装置

    公开(公告)号:KR1020070046749A

    公开(公告)日:2007-05-03

    申请号:KR1020060105843

    申请日:2006-10-30

    Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

    Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置,气体喷头(气体供给单元)通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔,则在所形成的工艺气体的通流面积,包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个,根据在彼此的周缘部的螺纹接头中,每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入,例如不同的材料,如Hastelloy或碳。

    성막 장치
    8.
    发明授权
    성막 장치 有权
    成膜装置

    公开(公告)号:KR101745074B1

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:KR1020150036811

    申请日:2015-03-17

    Abstract: 기판에대하여복수종류의반응가스를순번으로공급하고, 치환용의가스를공급하여성막처리를실행하는성막장치는기판이탑재되도록구성된탑재부와, 탑재부에대향하는평탄한면과, 복수의가스공급구를포함하는샤워헤드를포함한다. 환상돌기부는탑재부의상면과환상돌기부사이에간극을형성하도록샤워헤드에마련된다. 복수의가스공급부는샤워헤드의상방측에형성된천정부에마련된다. 각각의가스공급부는둘레방향을따라서형성된가스토출구를구비한다. 확산공간은, 평면에서보았을때 확산공간의외연이탑재부에탑재된기판의외연보다내측에위치되도록배치되어있다.

    Abstract translation: 一种成膜装置,用于向基板依次供给多种反应气体,通过供给置换气体而进行成膜处理,其特征在于,具备:安装基板的安装部;与安装部相对的平坦面; 还有一个淋浴头。 环形突起设置在淋浴头上,以便在安装部分的上表面和环形突起之间形成间隙。 多个气体供应单元设置在形成于喷头的上侧的顶部上。 每个气体供应部分具有沿圆周方向形成的气体排出口。 扩散空间布置成当从平面看时扩散空间的外边缘位于安装在支架上的基板的外边缘的内侧。

    기판 가열 장치 및 그 세정 방법
    9.
    发明公开
    기판 가열 장치 및 그 세정 방법 失效
    基板加热装置及其装置的方法

    公开(公告)号:KR1020070067246A

    公开(公告)日:2007-06-27

    申请号:KR1020077013007

    申请日:2001-12-28

    Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.

    Abstract translation: 一种基板加热装置,其能够将放置在具有加热装置(108)的装载台(104)上的基板加热到处理容器(102)中,所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分(202) 由第二材料形成的密封部分(204),其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料,以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分(206) 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料,可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度,从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。

    가스 공급 장치 및 처리 장치
    10.
    发明授权
    가스 공급 장치 및 처리 장치 失效
    气体供应系统和处理系统

    公开(公告)号:KR100697895B1

    公开(公告)日:2007-03-20

    申请号:KR1020047017091

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: H01L21/67017 C23C16/4481 Y10T137/0324

    Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 기구내로 공급하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 기구(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 장치(24)를 갖는 처리 장치에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 장치는 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.

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