公开(公告)号：KR101361984B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020127000467

申请日：2010-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4405 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리 용기 내에 기판이 존재하지 않는 상태에서 처리 용기 내를 Cl 및 F의 적어도 한쪽을 포함하는 가스에 노출시키는 전처리 공정(공정 1)과, 처리 용기 내에 기판을 반입하는 공정(공정 2)과, 상기 기판이 반입된 처리 용기 내에, 기체 상태의 Ge원료와 기체 상태의 Sb원료와 기체 상태의 Te원료를 도입하여 CVD에 의해 기판상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 로 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 공정(공정 3)을 갖는다.

公开(公告)号：KR101197817B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020107021022

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O계 막의 성막 방법은 처리용기내에 Ru막이 형성된 기판을 배치하고, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 상기 처리용기내에 도입해서 Ru막 상에 두께 10㎚ 이하의 제 1 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막의 위에, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 처리용기내에 도입하고 그 위에 제 2 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 2 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120091397A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020127016796

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다. 또한, 처리 용기내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020100035176A

公开(公告)日：2010-04-02

申请号：KR1020107002918

申请日：2008-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: A film is formed so that the atomic ratio of Sr to Ti, i.e., Sr/Ti, in the film is not less than 1.2 and not more than 3. The film is then annealed in an atmosphere containing not less than 0.001% and not more than 80% of Oat 500°C or above. An SrO film forming step and a TiO film forming step are repeated a plurality of times so that a sequence, in which a plurality of SrO film forming steps or/and a plurality of TiO film forming steps are performed continuously, is included. When Sr is oxidized after the adsorption of Sr, Oand HO are used as an oxidizing agent.

Abstract translation: 形成膜，使得膜中的Sr与Ti的原子比（即Sr / Ti）不小于1.2且不大于3.然后将膜在含有不少于0.001％的气氛中进行退火 超过80％的燕麦500°C或以上。 重复SrO膜形成步骤和TiO膜形成步骤多次，使得连续进行多个SrO膜形成步骤或/和多个TiO膜形成步骤的顺序被包括在内。 在Sr吸附后Sr被氧化时，使用O和HO作为氧化剂。

公开(公告)号：KR1020070092764A

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：KR1020077019006

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: After a thin film is deposited on a treatment surface of a wafer and the wafer is transferred out of a treatment chamber, a contact projection of a clamp is brought into contact with a susceptor to heat the clamp. Next, a wafer is disposed on the susceptor by elevating the clamp when the wafer, on which a thin film is not deposited, is transferred in. Thereafter, the clamp is brought into contact with the wafer and the wafer is stabilized to a predetermined temperature. Thereafter, a thin film is deposited on a treatment surface of the wafer.

Abstract translation: 在将薄膜沉积在晶片的处理表面上并将晶片从处理室中移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，当在其上没有沉积薄膜的晶片被转移时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。此后，使夹具与晶片接触，并且将晶片稳定在预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。

公开(公告)号：KR101661017B1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：KR1020137009652

申请日：2011-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리용기내에기판을배치하고, 기체형의 Ge 원료와, 기체형의 Sb 원료와, 기체형의 Te 원료를상기처리용기내에도입하여 CVD에의해기판상에 GeSbTe가되는 Ge-Sb-Te막을성막하는 Ge-Sb-Te막의성막방법으로서, 기체형의 Ge 원료및 기체형의 Sb 원료, 또는, 이들에더하여 GeSbTe가형성되지않을정도의소량의기체형의 Te 원료를, 상기처리용기내에도입하여기판상에, Te를함유하지않거나또는 GeSbTe보다적은양의 Te를함유하는전구체막을형성하는공정(공정 2)과, 기체형의 Te 원료를처리용기내에도입하여, 전구체막에 Te를흡착시켜막 중의 Te 농도를조정하는공정(공정 3)을갖는다.

公开(公告)号：KR101203254B1

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020117003537

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기 내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.
또한, 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020120027484A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：KR1020127000467

申请日：2010-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4405 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 처리 용기 내에 기판이 존재하지 않는 상태에서 처리 용기 내를 Cl 및 F의 적어도 한쪽을 포함하는 가스에 노출시키는 전처리 공정(공정 1)과, 처리 용기 내에 기판을 반입하는 공정(공정 2)과, 상기 기판이 반입된 처리 용기 내에, 기체 상태의 Ge원료와, 기체 상태의 Sb원료와, 기체 상태의 Te원료를 도입하여 CVD에 의해 기판상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 로 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 공정(공정 3)을 갖는다.

Abstract translation: 步骤（步骤2），以使衬底的预处理步骤（步骤1），则处理容器暴露于含有所述处理容器Cl和F中的处理容器内部的至少一种的气体，同时所述衬底是不存在，并且 将气态的Ge原料，气态的Sb原料和气态的Te原料引入装载有基板的处理容器中，并将Ge

公开(公告)号：KR1020100115376A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：KR1020107021022

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O계 막의 성막 방법은 처리용기내에 Ru막이 형성된 기판을 배치하고, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 상기 처리용기내에 도입해서 Ru막 상에 두께 10㎚ 이하의 제 1 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것과, 제 1 Sr-Ti-O계 막의 위에, 기체상의 Ti 원료와, 기체상의 Sr 원료와, 기체상의 산화제를 처리용기내에 도입하고 그 위에 제 2 Sr-Ti-O계 막을 성막하는 것과, 제 2 Sr-Ti-O계 막을 어닐해서 결정화시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080098387A

公开(公告)日：2008-11-07

申请号：KR1020087020955

申请日：2007-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  야마사키히데아키 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: A substrate is placed in a processing vessel and heated. Into the processing vessel are introduced a ruthenium pentadienyl compound gas, e.g., 2,4-dimethylpentadienylethylcyclo-pentadienylruthenium, and oxygen gas. These gases are reacted on the heated substrate to deposit a ruthenium film on the substrate. Alternatively, a substrate is placed in a processing vessel and heated. A ruthenium compound gas and a decompositing gas capable of decomposing this compound are introduced so that the flow rate of at least either of these changes periodically to form alternating steps which differ in gas composition. These gases are reacted on the heated substrate without purging the processing vessel between those steps to thereby deposit a ruthenium film on the substrate.

Abstract translation: 将基板放置在处理容器中并加热。 引入处理容器中的钌戊二烯基化合物气体，例如2,4-二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌和氧气。 这些气体在加热的衬底上反应，以在衬底上沉积钌膜。 或者，将基板放置在处理容器中并加热。 引入钌化合物气体和能够分解该化合物的分解气体，使得其中的至少任一种的流量周期性地变化，形成气体组成不同的交替步骤。 这些气体在加热的基板上反应而不在这些步骤之间吹扫处理容器，从而在基板上沉积钌膜。