公开(公告)号：KR1020100016329A

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020097023297

申请日：2008-05-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치히로후미 ,  히로세가츠히토 ,  이케다가쿠

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67748

Abstract: A CCD detector (30) captures an image of the circular arc shape of the outer periphery of a semiconductor wafer (W) that is on standby at a standby position (W1) near the inlet of a processing unit (1). A calculation section (40) detects, from the captured image of the circular arc shape, positional data on multiple positions of the shape, obtains an imaginary circle of the semiconductor wafer (W), calculates the center coordinates of the imaginary circle, and calculates "information on positional displacement" of the semiconductor wafer (W) at the standby position (W1). A controller (50) controls a conveyance device (12) based on the ''information on displacement'' to correct the position of the semiconductor wafer (W) on the processing unit (1).

Abstract translation: CCD检测器（30）捕获在处理单元（1）的入口附近的待机位置（W1）待机的半导体晶片（W）的外周的圆弧形状的图像。 计算部（40）根据圆弧形状的拍摄图像检测形状的多个位置的位置数据，得到半导体晶片（W）的假想圆，计算虚拟圆的中心坐标，并计算 在待机位置（W1）处的半导体晶片（W）的位置偏移信息。 控制器（50）基于“位移信息”来控制输送装置（12），以校正处理单元（1）上的半导体晶片（W）的位置。

公开(公告)号：KR100825848B1

公开(公告)日：2008-04-28

申请号：KR1020060028559

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사다게이지 ,  니시나카야마야스히코 ,  이케다가쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F9/7011 ,  H01L21/681

Abstract: 예컨대 포화 데이터 등의 이상 데이터에 기인하는 노이즈 부분을 기판 주연부에 형성된 절결 마크로 오판정하는 것을 방지하는 동시에 절결 마크의 판정 정밀도를 향상시킨다.
회전 적재대(210)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 광 투과형 센서(250)에 의해 검출하고, 그 검출값을 기판 주연부 형상 데이터로서 취득하며, 기판 주연부 형상 데이터로부터 돌발적인 이상 데이터를 검출하여 검출된 돌발적인 이상 데이터를 삭제하고, 그 부분에 그 주변 데이터에 기초하여 얻어지는 예측 데이터를 보간하는 노이즈 저감 처리와, 노이즈 저감 처리 후의 기판 주연부 형상 데이터로부터 절결 마크 후보를 검출하여, 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군을 곡선 근사(曲線近似)하여 얻어지는 근사 곡선과 상기 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군의 오차가 소정의 판정 조건을 만족하는지의 여부를 판정하는 절결 마크 판정 처리와, 소정의 판정 조건을 만족하는 절결 마크에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하는 기판 위치 결정 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR100786403B1

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020060002017

申请日：2006-01-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠

IPC: H01L21/677

CPC classification number: G05B19/41865 ,  G05B2219/32077 ,  G05B2219/32306 ,  G05B2219/45032 ,  Y02P90/083 ,  Y02P90/20

Abstract: 본 발명에 따른 기판 처리 시스템에서, 웨이퍼 처리 시간을 포함하는 웨이퍼 체재 시간(wafer stay time)과, 웨이퍼가 웨이퍼 체재 시간 전후에 이송되는 부수적인 비지 시간(an attendant busy time)과의 합을 각각 나타내는, 진공 압력측 트랜스퍼 로봇(RB
1 )이 내장된 트랜스퍼 모듈(TM) 주위에 연결된 복수의 프로세스 모듈(PM
1 ~PM
4 )의 모듈 사이클 기간은 균일한 길이로 모두 설정된다. 진공 압력측 트랜스퍼 로봇(RB
1 )은 프로세스 모듈에 대한 1회 액세스 동안에 각각의 프로세스 모듈(PM
1 ~PM
4 )에 있어서의 픽 앤드 플레이스 동작(a pick and place operation)을 실행시킴으로써, 처리된 웨이퍼(W
i )를 꺼내고, 다음 처리될 다음 웨이퍼(W
i+1 )를 이송한다.