公开(公告)号：KR101500822B1

公开(公告)日：2015-03-09

申请号：KR1020127026865

申请日：2011-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  미야시타고이치 ,  지쿠마다카마사 ,  고미사토시 ,  리춘무이 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14

Abstract: 조작 사항, 확인 사항을 포함하는 점검 사항으로 이루어지는 점검 항목을 지정하기 위한 화면을 표시하는 스텝과, 지정된 점검 항목에 대응하는 점검 사항을 기억부로부터 읽어내어 작업순으로 배열하고 각 점검 사항이 자동 실행인지 수동 실행인지의 실행 속성을 부여해서 화면에 표시하는 스텝과, 점검 개시 지령을 접수하는 것에 의해, 1번째의 점검 사항을 기억부로부터 읽어내는 스텝을 실행하는 동시에, a．점검 사항이 조작 사항이고, 실행 속성이 자동 실행인 경우, b．점검 사항이 조작 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우, c. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 자동 실행인 경우, d. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우에 따른 스텝을, 다음의 점검 사항이 없어질 때까지 실행하도록 구성되어 있는 반도체 제조 장치를 점검하기 위한 프로그램을 갖는 반도체 제조 시스템.

公开(公告)号：KR100970516B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020077028696

申请日：2006-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  오사다게이지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67745

Abstract: 제 2 클러스터(12)로부터 제 1 클러스터(10)로 돌아올 웨이퍼(W101)가 패스부(PA)에 건네졌을 때, 제 1 클러스터(10)의 진공 반송 로봇(RB
1 )은 웨이퍼(W101)를 패스부(PA)에 대기시킨 채, 제 1 클러스터(10) 내에서의 시리얼 반송을 우선적으로 실행한다. 그 후, 진공 반송 로봇(RB
1 )은 이어서 제 1 클러스터(10)로부터 제 2 클러스터(12)로 보낼 웨이퍼(W104)를 한쪽 아암에 유지한 상태로, 픽 & 플레이스 동작에 의해 다른쪽 아암을 이용해서 패스부(PA)에 있는 웨이퍼(W101)를 꺼내고, 이에 교체해서 상기 한쪽 아암에 의해 웨이퍼(W104)를 패스부(PA)로 건넨다. 이 순서에 의하면, 2개의 클로스터(멀티 챔버 장치:10, 12)의 복수의 프로세스 모듈을 이용한 연속 처리의 스루풋이 가급적 향상한다.

公开(公告)号：KR1020130007608A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020127026865

申请日：2011-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  미야시타고이치 ,  지쿠마다카마사 ,  고미사토시 ,  리춘무이 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/677

CPC classification number: G05B19/4065 ,  G05B2219/32226 ,  Y02P90/14 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67718

Abstract: 조작 사항, 확인 사항을 포함하는 점검 사항으로 이루어지는 점검 항목을 지정하기 위한 화면을 표시하는 스텝과, 지정된 점검 항목에 대응하는 점검 사항을 기억부로부터 읽어내어 작업순으로 배열하고 각 점검 사항이 자동 실행인지 수동 실행인지의 실행 속성을 부여해서 화면에 표시하는 스텝과, 점검 개시 지령을 접수하는 것에 의해, 1번째의 점검 사항을 기억부로부터 읽어내는 스텝을 실행하는 동시에, a．점검 사항이 조작 사항이고, 실행 속성이 자동 실행인 경우, b．점검 사항이 조작 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우, c. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 자동 실행인 경우, d. 점검 사항이 확인 사항이고 실행 속성이 수동 실행인 경우에 따른 스텝을, 다음의 점검 사항이 없어질 때까지 실행하도록 구성되어 있는 반도체 제조 장치를 점검하기 위한 프로그램을 갖는 반도체 제조 시스템.

公开(公告)号：KR1020060081377A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020060002017

申请日：2006-01-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠

IPC: H01L21/677

CPC classification number: G05B19/41865 ,  G05B2219/32077 ,  G05B2219/32306 ,  G05B2219/45032 ,  Y02P90/083 ,  Y02P90/20 ,  H01L21/67167 ,  G05B19/41815 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68707

Abstract: 본 발명에 따른 기판 처리 시스템에서, 웨이퍼 처리 시간을 포함하는 웨이퍼 체재 시간(wafer stay time)과, 웨이퍼가 웨이퍼 체재 시간 전후에 이송되는 부수적인 비지 시간(an attendant busy time)과의 합을 각각 나타내는, 진공 압력측 트랜스퍼 로봇 RB
1 이 내장된 트랜스퍼 모듈 TM 주위에 연결된 복수의 프로세스 모듈 PM
1 ~PM
4 의 모듈 사이클 기간은 균일한 길이로 모두 설정된다. 진공 압력측 트랜스퍼 로봇 RB
1 은 프로세스 모듈에 대한 1회 액세스 동안에 각각의 프로세스 모듈 PM
1 ~PM
4 에 있어서의 픽 앤드 플레이스 동작(a pick and place operation)을 실행시킴으로써, 처리된 웨이퍼 W
i 를 꺼내고, 다음 처리될 다음 웨이퍼 W
i
+
1 를 이송한다.

公开(公告)号：KR1020080008411A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：KR1020077028696

申请日：2006-11-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다가쿠 ,  오사다게이지 ,  다카노구니오

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742

Abstract: When a wafer (W101) to be returned from a second cluster (12) to a first cluster (10) is delivered to a pass area (PA), a vacuum transport robot (RB1) in the first cluster (10) performs serial transportation in the first cluster (10) preferentially while keeping the wafer (W101) waiting at the pass area (PA). Subsequently, the vacuum transport robot (RB1) receives the wafer (W101) existing in the pass area (PA) by the other arm through pick and place operation under a state where the wafer (W104) to be sent from the first cluster (10) to the second cluster (12) is held by one arm and delivers the wafer (W104) to the pass area (PA) instead by one arm. According to the procedure, throughput of continuous processing employing a plurality of process modules of two clusters (multichamber units)(10,12) is enhanced as much as possible.

Abstract translation: 当从第二集群（12）返回到第一集群（10）的晶片（W101）被传送到通过区域（PA）时，第一集群（10）中的真空传送机器人（RB1）执行串行传输 优选地在第一簇（10）中保持晶片（W101）在通过区域（PA）处等待。 随后，真空输送机器人（RB1）通过在从第一集群（10）发送的晶片（W104）的状态下进行拾取和放置操作，接收存在于通过区域（PA）中的晶片（W101） ）到第二簇（12）由一个臂保持，并且通过一个臂将晶片（W104）传送到通过区域（PA）。 根据该过程，尽可能地增强采用多个两个簇（多个单元单元）（10,12）的多个处理模块的连续处理的吞吐量。

公开(公告)号：KR1020070062491A

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020077000361

申请日：2006-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰모토겐지 ,  사코다도모유키 ,  나스마사유키 ,  이케다가쿠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

Abstract: A method of forming a film that in the formation of a multicomponent metal oxide film, can enhance the reproducibility of contained element composition ratio, film thickness, etc. There is provided a method of forming a film, comprising feeding an organometallic raw gas generated by vaporization of multiple organometallic raw materials into treatment vessel (4) capable of vacuum drawing and forming a multicomponent metal oxide film on the surface of treatment object (W), wherein just before initiating of the film formation treatment on the treatment object, at least three-times-equivalent dummy film formation treatment is conducted by carrying a dummy treatment object in the treatment vessel (4) and passing the organometallic raw gas. Thus, in the formation of a multicomponent metal oxide film, the reproducibility of contained element composition ratio, film thickness, etc. can be enhanced.

Abstract translation: 在形成多组分金属氧化物膜时形成膜的方法可以提高所含元素组成比，膜厚度等的再现性。提供一种形成膜的方法，包括将由 将多种有机金属原料蒸发到能够在处理对象（W）的表面上真空拉伸和形成多组分金属氧化物膜的处理容器（4）中，其中在开始对处理对象的成膜处理之前，至少三 通过在处理容器（4）中携带虚拟处理物体并使有机金属原料气体通过，进行等效时间的成膜处理。 因此，在多组分金属氧化物膜的形成中，可以提高所含的元素组成比，膜厚等的再现性。

公开(公告)号：KR1020120082470A

公开(公告)日：2012-07-23

申请号：KR1020127015345

申请日：2011-10-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카노신야 ,  이케다가쿠

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67265 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742

Abstract: 처리 시스템은 소공간(31)과, 소공간(31)에 구비된, 피처리체를 수용하는 카세트(F)가 장착되는 로드 포트(32)와, 소공간(31) 내에 배치된 반송 장치(34)를 구비한다. 또한, 상기 반송 장치(34)는 다관절 아암(37)과, 다관절 아암(37)의 선단에 장착된 픽(38)과, 이 픽(38)에 마련된 맵핑 센서(61)를 구비한다. 카세트(F) 내의 맵핑을 실행할 때, 맵핑 센서(61)가 마련된 픽(38) 상에 피처리체(W)가 있는 경우, 이 피처리체(W)를 일시적으로 퇴피시키는 일시 퇴피부(62)가 소공간(31)에 구비되어 있다.

公开(公告)号：KR100876474B1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：KR1020077000361

申请日：2006-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쓰모토겐지 ,  사코다도모유키 ,  나스마사유키 ,  이케다가쿠

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

Abstract: There is provided a film deposition method of depositing a multielement metal oxide film capable of depositing a multielement metal oxide film having a desired composition and a desired thickness in an improved repeatability. A film deposition method deposits a multielement metal oxide film on a surface of a workpiece by a film depositing process including supplying organometallic source gases generated by atomizing a plurality of organometallic compounds into a processing vessel capable of being evacuated. A dummy film deposition process corresponding to at least three cycles of the film deposition process is carried out by placing a dummy workpiece in the processing vessel and supplying the organometallic source gases into the processing vessel immediately before starting the film deposition process for depositing a multielement metal oxide film on the workpiece. Thus a multielement metal oxide film having a desired composition and a desired thickness can be deposited in an improved repeatability.

Abstract translation: 提供了一种沉积多元素金属氧化物膜的膜沉积方法，该多元素金属氧化物膜能够以改进的重复性沉积具有所需组成和期望厚度的多元素金属氧化物膜。 膜沉积方法通过膜沉积过程在工件的表面上沉积多元素金属氧化物膜，所述膜沉积过程包括将通过雾化多种有机金属化合物而产生的有机金属源气体供应到能够被抽空的处理容器中。 对应于至少三个周期的膜沉积过程的虚拟膜沉积过程通过将虚拟工件放置在处理容器中并在即将开始用于沉积多元素金属的膜沉积过程之前将有机金属源气体供应到处理容器中来执行 氧化膜在工件上。 因此，具有所需组成和所需厚度的多元素金属氧化物膜可以以改善的重复性沉积。

公开(公告)号：KR1020060105528A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：KR1020060028559

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사다게이지 ,  니시나카야마야스히코 ,  이케다가쿠 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F9/7011 ,  H01L21/681

Abstract: 예컨대 포화 데이터 등의 이상 데이터에 기인하는 노이즈 부분을 기판 주연부에 형성된 절결 마크로 오판정하는 것을 방지하는 동시에 절결 마크의 판정 정밀도를 향상시킨다.
회전 적재대(210)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 광 투과형 센서(250)에 의해 검출하고, 그 검출값을 기판 주연부 형상 데이터로서 취득하며, 기판 주연부 형상 데이터로부터 돌발적인 이상 데이터를 검출하여 검출된 돌발적인 이상 데이터를 삭제하고, 그 부분에 그 주변 데이터에 기초하여 얻어지는 예측 데이터를 보간하는 노이즈 저감 처리와, 노이즈 저감 처리 후의 기판 주연부 형상 데이터로부터 절결 마크 후보를 검출하여, 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군을 곡선 근사(曲線近似)하여 얻어지는 근사 곡선과 상기 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군의 오차가 소정의 판정 조건을 만족하는지의 여부를 판정하는 절결 마크 판정 처리와, 소정의 판정 조건을 만족하는 절결 마크에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하는 기판 위치 결정 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR101477874B1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020127015345

申请日：2011-10-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카노신야 ,  이케다가쿠

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67265 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67778

Abstract: 처리시스템은소공간(31)과, 소공간(31)에구비된, 피처리체를수용하는카세트(F)가장착되는로드포트(32)와, 소공간(31) 내에배치된반송장치(34)를구비한다. 또한, 상기반송장치(34)는다관절아암(37)과, 다관절아암(37)의선단에장착된픽(38)과, 이픽(38)에마련된맵핑센서(61)를구비한다. 카세트(F) 내의맵핑을실행할때, 맵핑센서(61)가마련된픽(38) 상에피처리체(W)가있는경우, 이피처리체(W)를일시적으로퇴피시키는일시퇴피부(62)가소공간(31)에구비되어있다.

Abstract translation: 该处理系统的地址空间31和一个小的空间31 Eguzemodo比值，负载口32，其是在安装盒（F），用于接收所述加工对象物，设置在预定的空间31的输送装置（34 ）和。 传送装置34包括铰接臂37，安装在铰接臂37的端部上的拾取器38和设置在拾取器38中的映射传感器61。 运行在盒（F）的映射时，映射传感器61设置有增塑剂挑38，当在工件（W）阶段，暂时缩回62暂时退避到两只脚治疗部件（W） 空间31形成。