公开(公告)号：KR1020100080913A

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：KR1020107008983

申请日：2008-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  펑크메릿

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3447

Abstract: A processing system for producing a negative ion plasma is described, wherein a quiescent plasma having negatively-charged ions is produced. The processing system comprises a first chamber region for generating plasma using a first process gas, and a second chamber region separated from the first chamber region with a separation member. Electrons from plasma in the first region are transported to the second region to form quiescent plasma through collisions with a second process gas. A pressure control system coupled to the second chamber region is utilized to control the pressure in the second chamber region such that the electrons from the first chamber region undergo collision-quenching with the second process gas to form less energetic electrons that produce the quiescent plasma having negatively-charged ions.

Abstract translation: 描述了一种用于制造负离子等离子体的处理系统，其中产生具有带负电荷的离子的静态等离子体。 处理系统包括用于使用第一处理气体产生等离子体的第一室区域和与第一室区域与分离构件分离的第二室区域。 来自第一区域中的等离子体的电子被传送到第二区域，以通过与第二工艺气体的碰撞而形成静止等离子体。 耦合到第二室区域的压力控制系统用于控制第二室区域中的压力，使得来自第一室区域的电子与第二处理气体进行碰撞骤冷以形成较少能量的电子，其产生静态等离子体， 带负电荷的离子。

公开(公告)号：KR1020100018478A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：KR1020090072541

申请日：2009-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 펑크메릿 ,  순다라라잔라드하 ,  야마시타아사오 ,  프레이저다이엘제이 ,  이형주

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for using multi-layer/multi-input/multi-output(MLMIMO) models for metal-gate structures is provided to optimize throughput by using multi-layer/multi-step(MLMS) and multi-layer/multi-input/multi-output(MLMIMO) models. CONSTITUTION: A system controller(190) is connected to an MES(180) by using data transferring subsystem(181). A lithography subsystem(110) includes a transfer/storage element(112), a processing element(113), a controller(114) and an evaluation element(115). The transfer/storage element is connected to the evaluation element and a transfer subsystem(170). A wafer(105) is transferred between the transfer subsystem and the lithography subsystem on real-time. A scanner subsystem(120) includes a transfer/storage element(122), a processing element(123), a controller(124) and an evaluation component(125). The scanner subsystem is used in order to perform extreme ultraviolet exposure procedure.

Abstract translation: 目的：提供一种使用金属栅结构的多层/多输入/多输出（MLMIMO）模型的方法，通过使用多层/多步（MLMS）和多层/多层 输入/多输出（MLMIMO）模型。 构成：系统控制器（190）通过使用数据传送子系统（181）连接到MES（180）。 光刻子系统（110）包括传送/存储元件（112），处理元件（113），控制器（114）和评估元件（115）。 传送/存储元件连接到评估元件和传送子系统（170）。 晶片（105）被实时地传送到传送子系统和光刻子系统之间。 扫描器子系统（120）包括传送/存储元件（122），处理元件（123），控制器（124）和评估元件（125）。 为了执行极紫外线曝光程序，使用扫描仪子系统。