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公开(公告)号：KR1020090104770A
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：KR1020090027668
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/32137 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A multi-layer/multi-input/multi-output models and a method for using the same are provided to calculate the map related to the reliability of a substrate. CONSTITUTION: A multi-layer/multi-input/multi-output models and a method for using the same are comprised of the steps: determining a first multilayer processing sequence to form at least one final poly-gate structure from at least multi-gate structure; selecting first multilayer / multiple input / multi-output model for simulating first multilayer processing sequence; determining a first DV set related to the first multilayer / multiple input / multi-output model; and setting the first MV set related to the first multilayer / multiple input / multi-output model by using more than one candidate recipe.
Abstract translation: 目的：提供多层/多输入/多输出模型及其使用方法，以计算与基板可靠性相关的图。 构成：多层/多输入/多输出模型及其使用方法包括以下步骤：确定第一多层处理序列以从至少多栅极形成至少一个最终多晶硅结构 结构体; 选择用于模拟第一多层处理序列的第一多层/多输入/多输出模型; 确定与所述第一多层/多输入/多输出模型相关的第一DV集合; 并且通过使用多于一个候选配方来设置与第一多层/多输入/多输出模型相关的第一MV集。
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公开(公告)号：KR1020070032690A
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：KR1020067026275
申请日：2005-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
IPC: G05B19/418
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A processing method of processing a substrate is presented that includes: receiving pre-process data, wherein the pre-process data comprises a desired process result and actual measured data for the substrate; determining a required process result, wherein the required process result comprises the difference between the desired process result and the actual measured data; creating a new process recipe by modifying a nominal recipe obtained from a processing tool using at least one of a static recipe and a formula model, wherein the new process recipe provides a new process result that is approximately equal to the required process result; and sending the new process recipe to the processing tool and the substrate.
Abstract translation: 提出了一种处理基板的处理方法，其包括：接收预处理数据，其中预处理数据包括期望的处理结果和用于基板的实际测量数据; 确定需要的处理结果，其中所需的处理结果包括期望处理结果与实际测量数据之间的差异; 通过使用静态配方和公式模型中的至少一个修改从处理工具获得的名义配方来创建新工艺配方，其中新工艺配方提供近似等于所需处理结果的新处理结果; 并将新的工艺配方发送到处理工具和基板。
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公开(公告)号：KR101568879B1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020090027668
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/32137 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은다층프로세싱시퀀스및 다층/다중입력/다중출력(MLMIMO : Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output) 모델및 라이브러리를이용하여기판을프로세싱하는방법을제공하고, 상기다층/다중입력/다중출력모델및 라이브러리는하나이상의마스킹층 생성프로시저, 하나이상의사전-프로세싱측정프로시저, 하나이상의부분-에칭(P-E) 프로시저, 하나이상의최종-에칭(F-E) 프로시저, 및하나이상의프로세싱이후의측정프로시저를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101158950B1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：KR1020077002175
申请日：2005-06-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/32139 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: This method includes a method for etch processing that allows the bias between isolated and nested structures/features to be adjusted, correcting for a process wherein the isolated structures/features need to be smaller than the nested structures/features and wherein the nested structures/features need to be reduced relative to the isolated structures/features, while allowing for the critical control of trimming.
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公开(公告)号：KR1020060135678A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020067012645
申请日：2005-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L21/67098 , H01L2924/00
Abstract: A method and system for trimming a feature on a substrate is described. During a chemical treatment of the substrate, the substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. An inert gas is also introduced, and the flow rate of the inert gas is selected in order to affect a target trim amount during the trimming of the feature.
Abstract translation: 描述了用于修整衬底上的特征的方法和系统。 在基板的化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基板暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流量以便在修整特征期间影响目标修整量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101240149B1
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020117016777
申请日：2004-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67155 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L22/20
Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020110099321A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020117016777
申请日：2004-11-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67155 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L22/20
Abstract: 화학적 산화물 제거(chemical oxide removal, COR)를 위한 처리 시스템 및 방법이 제공되며, 이 처리 시스템은 제1 처리 챔버 및 제2 처리 챔버를 포함하며, 제1 및 제2 처리 챔버는 서로 결합되어 있다. 제1 처리 챔버는 온도 제어 챔버 및 화학적 처리를 위한 기판을 지지하는 독립적인 온도 제어 기판 홀더를 제공하는 화학적 처리 챔버를 포함한다. 이 기판은 표면 온도 및 기체 압력을 비롯한 제어된 조건 하에서 HF/NH
3 등의 기체 화학에 노출된다. 제2 처리 챔버는 화학적 처리 챔버와 열적으로 절연되어 있는 온도 제어 챔버를 제공하는 열적 처리 챔버를 포함한다. 이 열적 처리 챔버는 기판 상의 화학적 처리된 표면을 열적으로 처리하기 위해 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 홀더를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101054558B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020030047603
申请日：2003-07-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마자와요헤이 , 이와타마나부 , 고시미즈치시오 , 히구치후미히코 , 시미즈아키타카 , 야마시타아사오 , 이와마노부히로 , 히가시우라츠토무 , 장동셍 , 나카야미치코 , 무라카미노리카즈
IPC: H01L21/02
Abstract: 플라즈마를 이용하여 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치는, 처리실 내에 서로 대향하도록 배치된 제 1 및 제 2 전극을 포함한다. 제 1 및 제 2 전극 사이에 처리 가스를 여기하여 플라즈마화 하는 RF 전계가 형성된다. 제 1 또는 제 2 전극에 매칭 회로를 거쳐서 RF 전력을 공급하는 RF 전원이 접속된다. 매칭 회로는, RF 전력에 대한 입력 임피던스의 매칭을 자동적으로 행한다. 플라즈마와 전기적으로 결합하는 소정 부재에 배선을 거쳐서 가변 임피던스 설정부가 접속된다. 임피던스 설정부는, 플라즈마로부터 소정 부재로 입력되는 RF 성분에 대한 임피던스인 역방향 임피던스를 설정한다. 임피던스 설정부에 대하여 역방향 임피던스의 설정값에 관한 제어 신호를 공급하기 위해서, 제어부가 배치된다.
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公开(公告)号：KR1020070005921A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020067010398
申请日：2005-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31144 , G03F7/70491
Abstract: A system and method for transferring a pattern from an overlying layer into an underlying layer, while laterally trimming a feature present within the pattern is described. The pattern transfer is performed using an etch process according to a process recipe, wherein at least one variable parameter within the process recipe is adjusted given a target trim amount. The adjustment of the variable parameter is achieved using a process model established for relating trim amount data with the variable parameter. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 描述了一种用于将图案从上层转移到下层中的系统和方法，同时横向修剪图案内存在的特征。 使用根据工艺配方的蚀刻工艺执行图案转印，其中在给定目标修剪量的情况下调整处理配方内的至少一个可变参数。 可变参数的调整是使用建立用于将修剪量数据与可变参数相关联的过程模型来实现的。 ®KIPO＆WIPO 2007
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公开(公告)号：KR101530098B1
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020090072541
申请日：2009-08-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은하나이상의측정절차, 하나이상의폴리에칭(P-E)시퀀스및 하나이상의금속게이트에칭시퀀스를포함할수 있는다층처리시퀀스및 다층/다중입력/다중출력(MLMIMO; Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output) 모델및 라이브러리를이용하여웨이퍼를프로세싱하는방법을제공한다. MLMIMO 프로세스제어는복수층사이의동적상호행동모델링및/또는복수의프로세스단계를이용한다. 다층및/또는복수의프로세스단계는, 등방성및/또는이방성에칭프로세스를이용하여생성될수 있는라인, 트렌치, 비어, 스페이서, 컨택트및 게이트구조의생성과연관될수 있다.
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