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    처리 균일성 제어 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기판 국소 변형 방법
    4.
    发明公开
    처리 균일성 제어 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기판 국소 변형 방법 有权
    动态温度背后气体控制改善基板加工均匀性

    公开(公告)号：KR1020100015515A

    公开(公告)日：2010-02-12

    申请号：KR1020097021283

    申请日：2008-03-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 순다라라잔라드하 ,  첸리 ,  펑크메릿

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714

    Abstract: Control of radial or non-radial temperature distribution is controlled across a substrate during processing to compensate for non-uniform effects, including non-uniformities arising from system or process. Temperature is controlled, preferably dynamically, by flowing backside gas differently across different areas on a wafer supporting chuck (substrate support table 20, 20a) to vary heat conduction across the wafer. Ports (26, 26a) in the support table (20, 20a) are grouped, and gas to or from the groups is separately controlled by different valves (32) responsive to a controller (35) that controls gas pressure in each of the areas to spatially and preferably dynamically control wafer temperature to compensate for system and process non-uniformities. Wafer deformation is affected by separately controlling the pressure of the backside gas at different ports (26, 26a) to control the local force exerted on the backside of the substrate, by separately dynamically controlling valves (32) affecting gas flow to a port (26, 26a) and ports (26, 26a) surrounding said port (26, 26a).

    Abstract translation: 径向或非径向温度分布的控制在处理过程中跨越衬底进行控制，以补偿不均匀的影响，包括由系统或过程产生的不均匀性。 通过在晶片支撑卡盘（衬底支撑台20,20a）上的不同区域上不同地流动背面气体来改变温度，优选动态地改变，以改变横跨晶片的热传导。 在支撑台（20,20a）中的端口（26,26a）被分组，并且响应于控制器（35），单独地由不同的阀（32）控制到组或从组中的气体，控制器控制每个区域中的气体压力 在空间上优选地动态地控制晶片温度以补偿系统和工艺的不均匀性。 通过分别控制不同端口（26,2b）处的背侧气体的压力来控制施加在基板的背面上的局部力，通过分别动态地控制影响到端口（26）的气体流动的阀（32）来影响晶片变形 ，26a）和围绕所述端口（26,2a）的端口（26,26a）。

    처리 균일성 제어 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기판 국소 변형 방법
    5.
    发明授权
    처리 균일성 제어 방법, 플라즈마 처리 장치 및 기판 국소 변형 방법 有权
    控制过程均匀性的方法，等离子体处理装置和局部变形基板的方法

    公开(公告)号：KR101526615B1

    公开(公告)日：2015-06-05

    申请号：KR1020097021283

    申请日：2008-03-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 순다라라잔라드하 ,  첸리 ,  펑크메릿

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687 ,  C23C16/458

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714

    Abstract: 시스템또는처리로부터발생하는불균일성을포함한불균일한결과를보상하기위해처리중에기판전체에걸쳐반경방향또는비반경방향의온도분포의제어가이루어진다. 웨이퍼전체에걸쳐열전도를변경하기위해웨이퍼지지척[기판지지테이블(20, 20a)] 위의상이한영역들전체에걸쳐후면가스를상이하게흐르게함으로써온도를바람직하게는동적으로제어한다. 지지테이블(20, 20a) 내의포트(26, 26a)가그룹화되고, 시스템및 처리불균일성을보상하기위해상기영역각각에서의가스압을제어하여웨이퍼온도를공간적으로그리고바람직하게는동적으로제어하는컨트롤러(35)에응답하는상이한밸브(32)에의해그룹에대한가스가개별적으로제어된다. 포트(26, 26a)와상기포트(26, 26a) 주변의포트(26, 26a)에의가스흐름에영향을미치는밸브(32)를동적으로개별제어함으로써, 기판의후면에가해진국소력을제어하기위하여상이한포트(26, 26a)에서후면가스압을개별적으로제어하여웨이퍼변형에영향을미친다.

    플라즈마 특성을 제어하기 위한 다수의 RF 파워 결합 소자를 이용한 고주파(RF) 파워 결합 시스템
    6.
    发明公开
    플라즈마 특성을 제어하기 위한 다수의 RF 파워 결합 소자를 이용한 고주파(RF) 파워 결합 시스템 审中-实审
    无线电频率耦合系统利用多个射频功率耦合元件控制等离子体性能

    公开(公告)号：KR1020130054216A

    公开(公告)日：2013-05-24

    申请号：KR1020120130575

    申请日：2012-11-16

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 레인바톤 ,  첸리 ,  벤첵피터엘.지. ,  펑크메릿 ,  자오지안핑 ,  선다라라잔라다

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J1/00 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4675

    Abstract: PURPOSE: A high-frequency power coupling system using multiple RF(Radio Frequency) power coupling elements for the control of plasma characteristics is provided to improve uniformity of RF energy. CONSTITUTION: An RF electrode(12) couples RF power to the plasma in a plasma processing system(10). Multiple power coupling elements(14,16a-16d) electrically couple RF power to multiple power coupling points on the RF electrode. The multiple power coupling elements include a central element(14) located at the center of the RF electrode and m number of surrounding elements(16a-16d), where m is an integer bigger than 1, located away from the center of the RF electrode. A first surrounding RF power signal is coupled to a first surrounding element(16a). A second surrounding RF power signal is coupled to a second surrounding element(16c). [Reference numerals] (18) RF power system; (24) Impedance load

    Abstract translation: 目的：提供使用多个RF（射频）功率耦合元件来控制等离子体特性的高频功率耦合系统，以提高RF能量的均匀性。 构成：RF电极（12）在等离子体处理系统（10）中将RF功率耦合到等离子体。 多个功率耦合元件（14,16a-16d）将RF功率电耦合到RF电极上的多个功率耦合点。 多个功率耦合元件包括位于RF电极中心的中心元件（14）和m个周围元件（16a-16d），其中m是大于1的整数，远离RF电极的中心 。 第一周围RF功率信号耦合到第一周围元件（16a）。 第二周围RF功率信号耦合到第二周围元件（16c）。 （附图标记）（18）射频功率系统; （24）阻抗负载

    음이온 플라즈마를 생성하는 처리 시스템 및 중성빔 소스
    7.
    发明授权
    음이온 플라즈마를 생성하는 처리 시스템 및 중성빔 소스 有权
    用于生产负离子等离子体的处理系统

    公开(公告)号：KR101419975B1

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：KR1020107008983

    申请日：2008-09-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 첸리 ,  펑크메릿

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3447

    Abstract: 본 발명은 음이온 플라즈마를 생성하는 처리 시스템에 관한 것으로, 음의 전하를 띠는 이온을 갖는 정지 플라즈마(quiescent plasma)를 생성한다. 처리 시스템은 제1 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 제1 챔버 영역과, 분리 부재에 의해 제1 챔버 영역과 분리되어 있는 제2 챔버 영역을 포함한다. 제1 챔버 영역의 플라즈마로부터의 전자가 제2 챔버 영역으로 이송되어 제2 공정 가스와의 충돌을 통하여 정지 플라즈마를 형성한다. 제1 챔버 영역으로부터의 전자가 제2 공정 가스와 충돌 소광하여 음의 전하를 띠는 이온을 갖는 정지 플라즈마를 생성하는 비활성 전자를 형성하도록 제2 챔버 영역에 결합된 압력 제어 시스템을 활용하여 제2 챔버 영역 내의 압력을 제어한다.

    다층/다중입력/다중출력(ＭＬＭＩＭＯ) 모델의 설정 및 이용 방법
    8.
    发明公开
    다층/다중입력/다중출력(ＭＬＭＩＭＯ) 모델의 설정 및 이용 방법 有权
    多层/多输入/多输出多媒体模型及其使用方法

    公开(公告)号：KR1020090104770A

    公开(公告)日：2009-10-06

    申请号：KR1020090027668

    申请日：2009-03-31

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 펑크메릿 ,  순다라라잔라드하 ,  이형주 ,  프레이저다이엘제이 ,  야마시타아사오

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/32137 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PURPOSE: A multi-layer/multi-input/multi-output models and a method for using the same are provided to calculate the map related to the reliability of a substrate. CONSTITUTION: A multi-layer/multi-input/multi-output models and a method for using the same are comprised of the steps: determining a first multilayer processing sequence to form at least one final poly-gate structure from at least multi-gate structure; selecting first multilayer / multiple input / multi-output model for simulating first multilayer processing sequence; determining a first DV set related to the first multilayer / multiple input / multi-output model; and setting the first MV set related to the first multilayer / multiple input / multi-output model by using more than one candidate recipe.

    Abstract translation: 目的：提供多层/多输入/多输出模型及其使用方法，以计算与基板可靠性相关的图。 构成：多层/多输入/多输出模型及其使用方法包括以下步骤：确定第一多层处理序列以从至少多栅极形成至少一个最终多晶硅结构 结构体; 选择用于模拟第一多层处理序列的第一多层/多输入/多输出模型; 确定与所述第一多层/多输入/多输出模型相关的第一DV集合; 并且通过使用多于一个候选配方来设置与第一多层/多输入/多输出模型相关的第一MV集。

    이온 에너지 분석기, 그 내부에서의 전기 신호화 방법, 그 제작 방법 및 작동 방법
    10.
    发明公开
    이온 에너지 분석기, 그 내부에서의 전기 신호화 방법, 그 제작 방법 및 작동 방법 审中-实审
    离子能量分析仪，其电气信号的方法及其制造和操作方法

    公开(公告)号：KR1020140030168A

    公开(公告)日：2014-03-11

    申请号：KR1020137028485

    申请日：2012-03-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 첸리 ,  레인바톤 ,  펑크메릿 ,  자오지안핑 ,  선다라라잔래드하

    IPC: H01J49/04

    CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J49/488 ,  H05H1/0081 ,  Y10T29/49002

    Abstract: 플라즈마의 이온 에너지 분포를 결정하는 이온 에너지 분석기(74, 122, 174)는 입구 그리드(80, 126, 160), 선택 그리드(82, 134, 134') 및 이온 컬렉터(84, 136, 136')를 구비한다. 입구 그리드(80, 126, 160)는, 플라즈마(66)의 드바이 길이보다 작은 치수의 복수의 제1 개구를 구비한다. 이온 컬렉터(84, 136, 136')는 제1 전압 소스(182)를 매개로 입구 그리드(80, 126, 160)에 결합된다. 선택 그리드(82, 134, 134')는 입구 그리드(80, 126, 160)와 이온 컬렉터(84, 136, 136') 사이에 위치 결정되고, 제2 전압 소스(180)를 매개로 입구 그리드(80, 126, 160)에 결합되어 있다. 이온 전류 미터(106)가 이온 컬렉터(84, 136, 136')에 결합되어 이온 컬렉터(84, 136, 136')에 대한 이온 플럭스를 측정하고 그에 관련한 신호를 전달한다.

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