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公开(公告)号：KR101946124B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020160174322
申请日：2016-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/28
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公开(公告)号：KR101930595B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020160121397
申请日：2016-09-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: (과제) 평활성이 우수한 TiON막을 성막할 수 있는 TiON막의 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 성막 초기 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X1회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, Y1 사이클 행하고, 그 후의 성막 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X2회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, 소망하는 막 두께가 될 때까지 Y2 사이클 행한다. 이때, 성막 초기 단계의 반복 수 X1과, 그 후의 성막 단계의 반복 수 X2는, X1>X2가 되도록 설정된다.-
公开(公告)号：KR1020170074194A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020160174322
申请日：2016-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: (과제) 불산에대한내성이높은것과, 산소계가스에의한스트레스변화가작은것을양립시킬수 있는 DRAM 커패시터의하부전극을제공한다. (해결수단) DRAM 커패시터에있어서의유전체막의하층에마련되는 TiN계재료로이루어지는하부전극(204)으로서, 양바깥쪽에마련된상대적으로산소농도가낮은 2층의제 1 TiON막(241)과, 그들의안쪽에각각형성된상대적으로산소농도가높은제 2 TiON막(242)과, 제 2 TiON막(242)의안쪽에마련된중심층을이루는 TiN막(243)을갖는 5층의적층구조로이루어진다.
Abstract translation: 本发明提供一种DRAM电容器的下部电极，其能够实现对氢氟酸的高耐受性和由氧基气体引起的小的应力变化。 由设置在DRAM电容器的电介质膜下面的由TiN基材料制成的下电极204具有设置在两个外侧上的具有相对低氧浓度的双层第一TiON膜241， 具有氧浓度较高的第二TiON膜242和形成在第二TiON膜242内侧的TiN膜243的分层结构。
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公开(公告)号：KR1020170037538A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020160121397
申请日：2016-09-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02186 , C23C16/308 , C23C16/45531 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/67017 , H01L21/67213 , H01L27/11582 , H01L28/00
Abstract: (과제) 평활성이우수한 TiON막을성막할수 있는 TiON막의성막방법을제공한다. (해결수단) 성막초기단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X1회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, Y1 사이클행하고, 그후의성막단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X2회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, 소망하는막 두께가될 때까지 Y2 사이클행한다. 이때, 성막초기단계의반복수 X1과, 그후의성막단계의반복수 X2는, X1>X2가되도록설정된다.
Abstract translation: 提供一种形成能够形成平滑性优异的TiON膜的TiON膜的方法。 [解决问题的手段]沉积在早期阶段，含Ti气体，然后重复X1倍交替氮化气体的供给，用于供应氧化剂的循环中，进行Y1周期，在之后的膜形成工序中，含Ti气体和氮化气体 重复X 2次，进行Y 2循环的氧化剂供给循环直到获得所需的膜厚。 此时，沉积可以在早期阶段X1被重复，和X2被设定为使得X1> X2后，可以重复在成膜工序。
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