公开(公告)号：KR102068879B1

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：KR1020170150329

申请日：2017-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

公开(公告)号：KR1020150060567A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：KR1020140164252

申请日：2014-11-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홍석형 ,  아시다미츠토시 ,  미야가와요시히로 ,  고이즈미마사키

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806

Abstract: 본발명은, 마이크로파가열처리장치에있어서, 반사파를억제하고, 마이크로파의이용효율이높은상태로기판에대해가열처리를행하는것을가능하게하는매칭방법및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 스텝 S1에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로조정한다. 스텝 S2에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로유지한상태에서, 마그네트론(31)과처리용기(2)간의임피던스의매칭을행한다. 스텝 S3에서는, 웨이퍼 W의온도를지표로하여제 2 높이위치를결정한다. 스텝 S4에서는, 웨이퍼 W를제 2 높이위치로유지한상태에서, 재차임피던스의매칭을행한다. 스텝 S5에서는, 마이크로파도입장치(3)에의해서처리용기(2) 내에마이크로파를도입하고, 제 2 높이위치로유지한웨이퍼 W에대해마이크로파를조사하는것에의해가열처리를행한다.

Abstract translation: 在用于微波加热的装置中，提供一种匹配方法和加热微波的方法，该方法能够高效地抑制反射波并加热基板。 微波加热方法包括：将晶片（W）调整到第一高度位置的步骤（S1） 用于当晶片（W）保持在第一高度位置时匹配磁控管（31）和处理容器（2）之间的阻抗的步骤（S2） 用于基于所述晶片（W）的温度确定第二高度位置的步骤（S3）; 当所述晶片（W）保持在所述第二高度位置时，再次进行阻抗匹配的步骤（S4） 通过微波引入装置（3）将通过微波引入处理容器（2）的微波照射保持在第二高度位置的晶片（W）进行加热处理的步骤（S5）。

公开(公告)号：KR1020090026186A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020097000522

申请日：2007-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  고이즈미마사키 ,  아시자와히로아키 ,  고이즈미마사토

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/08 ,  C23C16/4405

Abstract: A treatment gas is supplied to form a Ti-based film on a predetermined number of wafers (W) while setting a temperature of a susceptor (2) in a chamber (1) to a predetermined temperature. After this, the interior of the chamber (1) containing no wafers (W) is cleaned by discharging Cl2 gas as a cleaning gas from a shower head (10) into the chamber (1). During this cleaning, the temperature of each of the susceptor (2), the shower head (10), and the wall portion of the chamber (1) is independently controlled so that the temperature of the susceptor (2) is not lower than the decomposition start temperature of Cl2 gas and the temperature of the shower head (10) and the wall portion of the chamber (1) is not higher than the decomposition start temperature.

Abstract translation: 供给处理气体以在将室（1）中的基座（2）的温度设定在预定温度的同时在预定数量的晶片（W）上形成Ti基膜。 之后，通过将作为清洗气体的Cl 2气体从淋浴喷头（10）排出到室（1）中来清洁不含晶片（W）的室（1）的内部。 在这种清洁过程中，独立地控制基座（2），淋浴头（10）和室（1）的壁部分的温度，使得基座（2）的温度不低于 Cl 2气体的分解开始温度和喷淋头（10）的温度和室（1）的壁部分的温度不高于分解开始温度。

公开(公告)号：KR101946124B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020160174322

申请日：2016-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR101930595B1

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：KR1020160121397

申请日：2016-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: (과제) 평활성이 우수한 TiON막을 성막할 수 있는 TiON막의 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 성막 초기 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X1회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, Y1 사이클 행하고, 그 후의 성막 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X2회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, 소망하는 막 두께가 될 때까지 Y2 사이클 행한다. 이때, 성막 초기 단계의 반복 수 X1과, 그 후의 성막 단계의 반복 수 X2는, X1>X2가 되도록 설정된다.

公开(公告)号：KR1020170074194A

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：KR1020160174322

申请日：2016-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L28/00

Abstract: (과제) 불산에대한내성이높은것과, 산소계가스에의한스트레스변화가작은것을양립시킬수 있는 DRAM 커패시터의하부전극을제공한다. (해결수단) DRAM 커패시터에있어서의유전체막의하층에마련되는 TiN계재료로이루어지는하부전극(204)으로서, 양바깥쪽에마련된상대적으로산소농도가낮은 2층의제 1 TiON막(241)과, 그들의안쪽에각각형성된상대적으로산소농도가높은제 2 TiON막(242)과, 제 2 TiON막(242)의안쪽에마련된중심층을이루는 TiN막(243)을갖는 5층의적층구조로이루어진다.

Abstract translation: 本发明提供一种DRAM电容器的下部电极，其能够实现对氢氟酸的高耐受性和由氧基气体引起的小的应力变化。 由设置在DRAM电容器的电介质膜下面的由TiN基材料制成的下电极204具有设置在两个外侧上的具有相对低氧浓度的双层第一TiON膜241， 具有氧浓度较高的第二TiON膜242和形成在第二TiON膜242内侧的TiN膜243的分层结构。

公开(公告)号：KR1020170037538A

公开(公告)日：2017-04-04

申请号：KR1020160121397

申请日：2016-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02186 ,  C23C16/308 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67213 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: (과제) 평활성이우수한 TiON막을성막할수 있는 TiON막의성막방법을제공한다. (해결수단) 성막초기단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X1회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, Y1 사이클행하고, 그후의성막단계에있어서, Ti 함유가스와질화가스의교대공급을 X2회반복한후, 산화제를공급하는사이클을, 소망하는막 두께가될 때까지 Y2 사이클행한다. 이때, 성막초기단계의반복수 X1과, 그후의성막단계의반복수 X2는, X1>X2가되도록설정된다.

Abstract translation: 提供一种形成能够形成平滑性优异的TiON膜的TiON膜的方法。 [解决问题的手段]沉积在早期阶段，含Ti气体，然后重复X1倍交替氮化气体的供给，用于供应氧化剂的循环中，进行Y1周期，在之后的膜形成工序中，含Ti气体和氮化气体 重复X 2次，进行Y 2循环的氧化剂供给循环直到获得所需的膜厚。 此时，沉积可以在早期阶段X1被重复，和X2被设定为使得X1> X2后，可以重复在成膜工序。