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公开(公告)号：KR100635157B1
公开(公告)日：2006-10-17
申请号：KR1020050084006
申请日：2005-09-09
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: A nitride-based semiconductor light emitting device is provided to reduce heating value and to improve light extraction efficiency by using p-type and n-type electrodes having a multi-layer structure. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate(110). An active layer(130) is formed on a predetermined region on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A p-type electrode(160) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode(170) is formed on the n-type nitride semiconductor layer where the active region is not formed. An ohmic contact layer(310), aluminum or silver containing a compound layer(320), and a degradation preventing layer(330) are sequentially layered on the p-type electrode and the n-type electrode.
Abstract translation: 提供氮化物基半导体发光器件以通过使用具有多层结构的p型和n型电极来降低热值并提高光提取效率。 在衬底（110）上形成n型氮化物半导体层（120）。 有源层（130）形成在n型氮化物半导体层上的预定区域上。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（140）。 在p型氮化物半导体层上形成p型电极（160）。 在未形成有源区的n型氮化物半导体层上形成n型电极（170）。 在p型电极和n型电极上依次层叠欧姆接触层（310），包含化合物层（320）的铝或银和劣化防止层（330）。
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公开(公告)号：KR100833313B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060127330
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 LED 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화갈륨층 상에 형성된 n형 전극 및 상기 투명 전극과 상기 n형 전극 사이의 결과물 상에 형성되되, 플라즈마 산화처리된 투명층으로 이루어진 보호막을 포함하는 질화갈륨계 LED 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공한다.
질화갈륨계, LED, 보호막, 투명전극, 공정단순화-
公开(公告)号：KR1020070072661A
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：KR1020060000058
申请日：2006-01-02
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A high-brightness nitride-based semiconductor light emitting device is provided to increase reflectivity while reducing an operation voltage by minimizing an ohmic contact area and by maximizing a high reflective area. An n-type nitride semiconductor layer(110) is formed on a substrate(100). An active layer(120) is formed on a predetermined region of the upper surface of the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(130) is formed on the active layer. A p-type ohmic contact layer(140) is formed on a predetermined region of the upper surface of the p-type nitride semiconductor layer. A reflection layer(155) is formed on the p-type ohmic contact layer and on the p-type nitride semiconductor layer in which the p-type ohmic contact layer is not formed. A p-type bonding pad(185) is formed on the reflection layer. An n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer in which the active layer is not formed. An n-type bonding pad(175) is formed on the n-type electrode. A barrier layer is formed on the p-type nitride semiconductor layer, surrounding the reflection layer.
Abstract translation: 提供了一种高亮度氮化物基半导体发光器件，以通过使欧姆接触面积最小化并最大化高反射面积来提高反射率同时降低工作电压。 在基板（100）上形成n型氮化物半导体层（110）。 在n型氮化物半导体层的上表面的预定区域上形成有源层（120）。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（130）。 p型欧姆接触层（140）形成在p型氮化物半导体层的上表面的预定区域上。 在p型欧姆接触层和未形成p型欧姆接触层的p型氮化物半导体层上形成反射层（155）。 在反射层上形成p型接合焊盘（185）。 在不形成有源层的n型氮化物半导体层上形成n型电极。 在n型电极上形成n型接合焊盘（175）。 在p型氮化物半导体层上形成有围绕反射层的阻挡层。
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公开(公告)号：KR1020070016240A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070555
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 사출성형된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드, 반사부재, 패키지, 휘도, 열방출Abstract translation: 本发明发射光作为使用相同的二极管封装的反射部件和元件的发光时，＆middot;与接触件和第一反射膜以及形成在侧壁上的反射板，其是打开的注射成型成规定形状的反射板和所述反射板 并且在第一反射膜的另一个表面上形成第二反射膜。 另外，本发明提供一种使用发光元件用反射部件的发光二极管封装。
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公开(公告)号：KR100631419B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050106853
申请日：2005-11-09
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a GaN LED is provided to improve surface roughness of sides of the LED by scribing the sides of the LED using a micro diamond wheel. An n-type clad layer(203), an active layer(204) and a p-type clad layer(205) are sequentially formed on a sapphire substrate(201). The n-type clad layer is exposed by mesa-etching the p-type clad layer, the active layer and the n-type clad layer. A p-type electrode(207) and an n-type electrode(208) are formed on the p-type clad layer and the n-type clad layer respectively, thereby forming an LED wafer. By scribing the LED wafer using a micro diamond wheel, each LED device(200a) is formed.
Abstract translation: 提供一种用于制造GaN LED的方法，以通过使用微型金刚石砂轮刻划LED的侧面来改善LED侧面的表面粗糙度。 在蓝宝石衬底（201）上依次形成n型覆盖层（203），有源层（204）和p型覆盖层（205）。 通过台面蚀刻p型覆盖层，有源层和n型覆盖层来暴露n型覆盖层。 分别在p型覆盖层和n型覆盖层上形成p型电极（207）和n型电极（208），由此形成LED晶片。 通过使用微型金刚石砂轮刻划LED晶片，形成每个LED器件（200a）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100675208B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020060104444
申请日：2006-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/40
Abstract: A high brightness nitride based semiconductor light emitting device is provided to maximize a light emissive area and to improve a current spread efficiency by using a TCO(Transparent Conducting Oxide) as a current spread layer. An N type nitride semiconductor layer is formed on a substrate. An active layer is formed on the N type nitride semiconductor layer. A P type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. A P type electrode(150) is formed on the P type nitride semiconductor layer. A P type bonding metal(160) is formed on the P type electrode. A current spread layer(190) is formed on the N type nitride semiconductor layer. The current spread layer is made of a TCO. The TCO has lower sheet resistance and resistivity than those of an ITO(Indium Tin Oxide). An N type electrode(170) is formed on the current spread layer.
Abstract translation: 提供高亮度氮化物基半导体发光器件以通过使用TCO（透明导电氧化物）作为电流扩展层来最大化发光面积并提高电流扩散效率。 在衬底上形成N型氮化物半导体层。 在N型氮化物半导体层上形成有源层。 在有源层上形成P型氮化物半导体层。 P型电极（150）形成在P型氮化物半导体层上。 P型接合金属（160）形成在P型电极上。 在N型氮化物半导体层上形成电流扩展层（190）。 当前传播层由TCO制成。 TCO具有比ITO（氧化铟锡）低的薄层电阻和电阻率。 在电流扩展层上形成N型电极（170）。
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公开(公告)号：KR100638731B1
公开(公告)日：2006-10-30
申请号：KR1020050031608
申请日：2005-04-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자의 p형 질화물 반도체층 및 반사전극층 사이에 NiO로 이루어진 투광성 밀착력확보층을 형성함으로써 상기 반사전극층의 밀착력을 확보함과 동시에 광의 흡수를 방지할 수 있는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 질화물 단결정 성장을 위한 투광성 기판; 상기 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되며, NiO로 이루어진 투광성 밀착력확보층; 및 상기 투광성 밀착력확보층 상에 형성되는 반사전극층을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
플립칩, 질화물 반도체, 발광소자, NiO, 밀착력, 반사전극-
公开(公告)号：KR100631418B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050108872
申请日：2005-11-15
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A vertically structured GaN LED is provided to improve external quantum efficiency by using a p-type electrode having concavo-convex shape. An n-type reflective electrode(120) is formed at a back surface of an n-type bonding pad(110). An n-type transparent electrode(130) is formed at back surface of the n-type reflective electrode. An n-type GaN layer(140) is formed at a back surface of the n-type transparent electrode. An active layer(150) is formed at a back surface of the n-type GaN layer. A p-type GaN layer(160) is formed at a back surface of the active layer. A p-type electrode(170) is formed at back surface of the p-type GaN layer, wherein the p-type electrode has a profile of concavo-convex shape without contact with the p-type GaN layer. A p-type reflective electrode(200) is formed according to the surface of the concavo-convex shape. A supporting structure layer(190) is formed at a back surface of the p-type reflective electrode.
Abstract translation: 提供垂直结构的GaN LED以通过使用具有凹凸形状的p型电极来提高外部量子效率。 n型反射电极（120）形成在n型键合焊盘（110）的背面。 在n型反射电极的背面形成n型透明电极（130）。 在n型透明电极的背面形成n型GaN层（140）。 有源层（150）形成在n型GaN层的背表面处。 p型GaN层（160）形成在有源层的背表面处。 p型电极（170）形成在p型GaN层的背表面处，其中p型电极具有凹凸形状的轮廓，而不与p型GaN层接触。 根据凹凸形状的表面形成p型反射电极（200）。 支撑结构层（190）形成在p型反射电极的后表面处。
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公开(公告)号：KR100706949B1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：KR1020050077108
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 고휘도 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성된 p형 본딩금속과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, TCO로 이루어진 전류확산층 및 상기 전류확산층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 고휘도 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 전류확산, 발광면적, TCO, 고휘도Abstract translation: 本发明涉及一种基于氮化物的高亮度的半导体发光装置，在基板上形成的n型氮化物半导体层，形成在所述n型氮化物半导体层上的预定区域的有源层，形成在有源层和p型氮化物半导体层， 形成的p型电极的p型氮化物半导体层上，并且在形成于一个金属在p型接合的p型电极，且所述形成在n型氮化物半导体层上的活性层未形成，由TCO的电流扩散层和 并且在电流扩散层上形成n型电极。
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公开(公告)号：KR1020070038219A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093282
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 접촉저항 완충층과, 상기 제1 접촉저항 완충층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 n형 전극과, 상기 n형 전극이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체 상에 형성된 제2 접촉저항 완충층 및 상기 제2 접촉저항 완충층 상에 형성된 전류확산층을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물계, 발광소자, 발광면적, 동작전압, 접촉저항Abstract translation: 本发明是一种氮化物基涉及一种半导体发光器件，形成在基片和形成在n型氮化物半导体层上的预定区域的有源层，和形成在所述有源层上的p型氮化物半导体层上的n型氮化物半导体层，其中 第一接触电阻缓冲层和形成在透明电极，所述透明电极的p型电极的第一接触电阻缓冲层，活性层是未形成形成在p型氮化物半导体层上的图像上形成n型氮化物半导体层 包括形成在所述第二接触电阻缓冲层和形成在上形成在其预定区域中的n型电极，n型氮化物半导体的第二接触电阻缓冲层上的电流扩散层上的氮化物系半导体发光元件，其是在形成n型电极 等等。
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