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公开(公告)号：KR100764449B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060103419
申请日：2006-10-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: A light emitting device package is provided to reduce the failure in operation and to improve the reliability by preventing the penetration of moisture through a crack at an interface between a package body and a lead frame using a convexo-concave type portion. A light emitting device package(30) includes a package body portion, first and second lead frames and an LED chip. The package body portion(32) includes a recess portion(31) used as a mounting region. The package body portion is made of resin. The first and the second lead frames(33,34) are attached the package body portion at a bottom of the recess portion. The first and second lead frames contact the package body portion. A contact surface between the package body portion and the first and the second lead frames has a convexo-concave portion. The LED chip(35) includes first and second electrodes. The LED chip is mounted on the first lead frame, wherein the first and the second electrodes are electrically connected to the first and the second lead frames.
Abstract translation: 提供了一种发光器件封装，以减少操作失败并且通过防止水分穿过包封体和引线框架之间的界面处的裂纹而使用凸凹型部分来提高可靠性。 发光器件封装（30）包括封装主体部分，第一引线框架和第二引线框架以及LED芯片。 包装体部分（32）包括用作安装区域的凹部（31）。 包装体部分由树脂制成。 第一引线框架和第二引线框架（33,34）在封装主体部分附接在凹部的底部。 第一和第二引线框架与封装主体部分接触。 封装主体部分与第一引线框架和第二引线框架之间的接触表面具有凸凹部分。 LED芯片（35）包括第一和第二电极。 LED芯片安装在第一引线框架上，其中第一和第二电极电连接到第一引线框架和第二引线框架。
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公开(公告)号：KR1020070093653A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing an LED is provided to improve a light extraction efficiency and a light emissive efficiency by increasing the amount of an extracted lateral light using a convexo-concave portion. A light emissive structure composed of an N type semiconductor layer(103), an active layer(105) and a P type semiconductor layer(107) is formed on a substrate(101) with a plurality of device regions. An isolation trench(110) is formed at the light emissive structure by etching the N type semiconductor layer at a boundary between the device regions. A plurality of chips are separated from the substrate by cutting the substrate at the isolation trench. A convexo-concave portion(109) is formed at a lateral portion of the trench to supply the roughness to the N type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造LED的方法，以通过使用凸凹部分增加提取的侧向光量来提高光提取效率和发光效率。 在具有多个器件区域的衬底（101）上形成由N型半导体层（103），有源层（105）和P型半导体层（107）构成的发光结构。 通过在器件区域之间的边界处蚀刻N型半导体层，以发光结构形成隔离沟槽（110）。 通过在隔离沟槽处切割衬底，将多个芯片与衬底分离。 在沟槽的横向部分处形成凹凸部（109），以将粗糙度提供给N型半导体层。
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公开(公告)号：KR100730082B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，其上的预定的n型氮化物半导体层区形成的有源层，在有源层上的n型氮化物半导体层 和形成在p型氮化物半导体层，形成在层，p型电极的p型氮化物半导体和电流扩散层和形成在有源层具有上形成电流扩散层的两个p型分支电极 包括：在所述氮化物没有n型的n型电极与所述半导体层上的单个n型分支电极形成不是，并且具有n型分支电极在两个p型分支电极之间的结构形成， 其中从与n型电极相邻的透明电极的最外边缘到与其相邻的p型电极的距离相同。 它提供了设备。
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公开(公告)号：KR1020070041847A
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050097412
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 두 개의 p형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 한 개의 n형 가지 전극을 가지고 형성되어 있는 n형 전극을 포함하고, 상기 n형 가지 전극은 상기 두 개의 p형 가지 전극 사이에 삽입된 구조로 형성되어 있으며, 상기 n형 전극과 인접한 투명전극의 최외각 변으로부터 그와 인접한 p형 전극까지의 거리가 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, p형 전극, 전류확산, 구동전압-
公开(公告)号：KR100647018B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020050089195
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride-based semiconductor LED is provided to make uniform current diffusion between an n-type electrode and a p-type electrode and improve current diffusion efficiency by disposing the p-type electrode in a position where a difference of sheet resistance between a transparent electrode and an n-type nitride semiconductor layer. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate. An active layer is formed on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. A transparent electrode(170) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p-type electrode(150) is formed in a position on the transparent electrode wherein the position is determined by the following mathematical formula 1. Mathematical formula 1 is Rsn (A/L)=RsT (B/L) wherein Rsn is sheet resistance of an n-type nitride semiconductor layer, RsT is sheet resistance of a transparent electrode, L is whole width of a transparent electrode, A is a distance from the outermost part of a transparent electrode adjacent to an n-type electrode(160) to a p-type electrode adjacent to the n-type electrode, and B is a distance from the outermost part of a transparent electrode not adjacent to an n-type electrode to a p-type electrode adjacent to the n-type electrode. An n-type electrode is formed on the n-type nitride semiconductor layer in which the active layer is not formed. The p-type electrode has at least one branch electrode of a first p-type. The n-type electrode has at least one branch electrode of a first n-type.
Abstract translation: 提供氮化物基半导体LED以在n型电极和p型电极之间进行均匀的电流扩散，并通过将p型电极设置在透明电极之间的薄层电阻差异的位置处来提高电流扩散效率 和n型氮化物半导体层。 在衬底上形成n型氮化物半导体层（120）。 在n型氮化物半导体层上形成有源层。 在有源层上形成p型氮化物半导体层。 透明电极（170）形成在p型氮化物半导体层上。 在透明电极上的位置处形成p型电极（150），其中位置由下面的数学公式1确定。数学公式1是Rsn（A / L）= RsT（B / L），其中Rsn是薄片 RsT是透明电极的薄层电阻，L是透明电极的整个宽度，A是与n型电极（160）相邻的透明电极的最外部分的距离， 到与n型电极相邻的p型电极，并且B是从不与n型电极相邻的透明电极的最外部分到与n型电极相邻的p型电极的距离。 在未形成活性层的n型氮化物半导体层上形成n型电极。 p型电极具有至少一个第一p型分支电极。 该n型电极具有至少一个第一n型分支电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568269B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020030040796
申请日：2003-06-23
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 신현수
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 발광다이오드에서의 전극배열을 최적화하면서 본딩을 위한 충분한 면적을 확보할 수 있고, 휘도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 발광다이오드는 n측 전극 및 p측 전극을 최소 선폭의 라인 형태로 형성하고, 상호 등간격을 갖으며 평행하도록 배치하여, 발광 면적의 희생없이 균일한 전류 확산효과를 얻을 수 있으며, 부도체의 패시베이션층위에 반사막과 본딩용 전극을 증착함으로서 LED의 발광효율을 증대시키고, 충분한 본딩면적을 확보하여 Si 기판을 통한 열 방출 특성을 증가시킬 수 있는 것이다.
발광 다이오드(LED), 플립-칩(flip-chip) 본딩, 반사막, 휘도, GaN 발광다이오드, 사파이어 기판, 본딩용 전극-
公开(公告)号：KR100550847B1
公开(公告)日：2006-02-10
申请号：KR1020030041389
申请日：2003-06-25
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 신현수
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 웨이퍼상에서의 발광다이오드 칩사이의 절단선을 경사지게 형성함으로서 제조된 발광다이오드 후면의 측면에 소정 경사각을 형성하여 반사효과를 높히고 공융(eutectic) 본딩을 용이하게 하기 위한 질화 갈륨계 발광다이오드의 제조 방법에 관한 것으로서, 래핑된 발광다이오드 웨이퍼의 후면 절단 부분에 레이저 가공기술을 이용하여 경사각을 갖는 홈을 형성한 상태에서, 그 위에 반사층, 배리어층, 본딩층을 형성한 후, 상기 절단 부분에 위치한 반사층, 배리어층, 본딩층을 제거하여 절단선을 표시함으로서, LED의 발광효율을 크게 개선하고, 스크라이빙 공정에서의 다이아몬드 팁의 소모량을 줄여 비용을 절감시키고 칩의 파손을 방지할 수 있다.
발광 다이오드, 스크라이빙, 레이저 가공, 리프트 오프, 포토레지스터, 절단선-
公开(公告)号：KR100533645B1
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020040073194
申请日：2004-09-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드에 관한 것이다. 상기 발광 다이오드는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 성장된 n-반도체층; 상기 n-반도체층의 대부분 영역 상에 성장된 활성층; 상기 활성층 상에 성장된 p-반도체층; 상기 p-반도체층 상에 형성된 p-전극; 상기 n-반도체층의 나머지 영역 상에 증착된 고반사율 물질층; 및 상기 고반사율 물질층 상에 형성된 n-전극을 포함한다. 이때, 상기 고반사율 물질층은 Ag, Al, Pd, Rh 및 이들의 합금 중의 적어도 하나로 이루어지고, Cu 및 Si를 함유한다. 이와 같이 n-전극과 그 하부의 n-반도체층의 일부 영역 사이에 고반사율 물질층을 형성하면, 도달하는 빛을 기판 쪽으로 반사할 수 있고 그에 따라 발광 다이오드의 발광효율을 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080019873A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060082336
申请日：2006-08-29
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: A surface mounting type light emitting diode device is provided to minimize extinction of light by positioning a light emitting surface thereof toward an inside of a package. A lead frame is formed with a pair of lead terminals(130). A part of the lead frame is inserted into a package(120). The package includes an open radiation window for radiating light. An LED chip(140) is mounted on the lead terminals which are positioned in the inside of the package. The LED chip has a light emitting surface which is directed to the inside of the package. An electrode connecting part is formed to connect electrically the LED chip with the lead frame. A molding material(160) is filled into the inside of the package to protect the LED chip. The electrode connecting part is formed with a conductive adhesive(180) or a wire to connect electrically an electrode pad of the LED chip with the lead terminals.
Abstract translation: 提供了一种表面安装型发光二极管装置，用于通过将光的发光表面定位到封装的内部来最小化光的消光。 引线框架形成有一对引线端子（130）。 引线框架的一部分插入到封装（120）中。 该包装包括用于照射光的开放的辐射窗口。 LED芯片（140）安装在位于封装内部的引线端子上。 LED芯片具有指向封装内部的发光表面。 形成电极连接部，以将LED芯片与引线框架电连接。 将成型材料（160）填充到包装的内部以保护LED芯片。 电极连接部分形成有导电粘合剂（180）或导线，以将LED芯片的电极焊盘与引线端子电连接。
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公开(公告)号：KR1020070016240A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070555
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 상·하가 개방되어 있는 소정 형상으로 사출성형된 반사판과, 상기 반사판의 내부 측벽에 형성된 제1 반사막 및 상기 반사판과 접촉하지 않는 상기 제1 반사막의 다른 면에 형성된 제2 반사막을 포함하는 발광소자용 반사부재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 발광소자용 반사부재를 사용한 발광다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드, 반사부재, 패키지, 휘도, 열방출Abstract translation: 本发明发射光作为使用相同的二极管封装的反射部件和元件的发光时，＆middot;与接触件和第一反射膜以及形成在侧壁上的反射板，其是打开的注射成型成规定形状的反射板和所述反射板 并且在第一反射膜的另一个表面上形成第二反射膜。 另外，本发明提供一种使用发光元件用反射部件的发光二极管封装。
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