公开(公告)号：KR1020050045358A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079406

申请日：2003-11-11

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송태호 ,  김영웅 ,  천용희 ,  박기태

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C03C3/04 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

Abstract: 본 발명은 내환원성 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 (Sr
x Ca
1-x )(Zr
1-yz Ti
y Mn
z )O
3 (단, 0≤x≤1.00, 0.15≤y≤0.5, 0.005≤z≤0.05)의 주성분과, 유리조성물의 부성분으로 이루어진다. 상기 유리조성물은 aM1O-bSiO
2 -cM2
2 O
3 (여기서 M1은 Ca, Ba, Sr, Mg, Zn에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, M2는 B, Al에서 선택된 1종 또는 2종)로 표현되며, 상기 a+b+c=1로서, 0.1≤a≤0.75, 0.2≤b≤0.6, 0≤c≤0.5로서, 유전체 자기조성물에서의 함량은 2.0~6.0중량% 포함된다. 본 발명에서는 이 유전체 자기조성물을 이용하는 적층세라믹 콘덴서와 그 제조방법 역시 제공된다. 본 발명의 적층세라믹 콘덴서는 유전율이 60이상이고 정전용량 온도변화율이 470±60ppm/℃ 또는 750±120ppm/℃ 를 만족시켜 온도보상용으로 사용가능하다.

公开(公告)号：KR1020080013636A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060075407

申请日：2006-08-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박희석 ,  박길한 ,  유상덕 ,  박영민 ,  김학환 ,  명선영 ,  이상범 ,  박기태 ,  정명식 ,  민경익

IPC: H01L33/16

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24

Abstract: A method for selectively growing a nitride semiconductor, a nitride semiconductor light emitting device, and a method for manufacturing the same are provided to reduce generation of stress and to uniformly maintain a thickness of an active layer by employing an intermediate isolation region having a tilt angle greater than that of a crystal surface of the other region. A mask(M) having an opening unit(W) is formed on a nitride semiconductor layer(33). A hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure(34) is selectively grown on the nitride semiconductor layer region exposed by the opening unit of the mask. The hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure has a slope crystal surface for an upper surface of the nitride semiconductor layer. The hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure includes at least one intermediate isolation region(34b). The intermediate isolation region has a crystal surface of a tilt angle greater than that of the crystal surface located on the upper and lower portions of the hexagon pyramid nitride semiconductor crystal structure.

Abstract translation: 提供了选择性地生长氮化物半导体的方法，氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过采用具有倾斜角的中间隔离区域来减少应力的产生和均匀地保持有源层的厚度 大于其他区域的晶体表面的厚度。 具有开口单元（W）的掩模（M）形成在氮化物半导体层（33）上。 在由掩模的开口单元暴露的氮化物半导体层区域上选择性地生长六角锥氮化物半导体晶体结构（34）。 六角锥氮化物半导体晶体结构具有用于氮化物半导体层的上表面的倾斜晶体表面。 六角锥氮化物半导体晶体结构包括至少一个中间隔离区域（34b）。 中间隔离区具有大于位于六角锥形氮化物半导体晶体结构的上部和下部的晶体表面的倾斜角的晶体表面。

公开(公告)号：KR100755587B1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020060065567

申请日：2006-07-12

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박기태 ,  유상덕 ,  민경익 ,  김학환 ,  박희석 ,  박길한

IPC: H01L33/12

Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to interrupt sufficiently overflowing halls by relieving an energy band gap difference between a hall interrupting layer and an active layer. An n-type cladding layer(103), a hall interrupting layer(104), an active layer(105) and a p-type cladding layer are sequentially formed on a substrate. The hall interrupting layer has at least two layers having different energy band gap, in which the energy band gap is decreased toward the active layer. The hall interrupting layer has a first band gap layer(104a) formed on the n-type cladding layer and a second band gap(104b) formed on the first band gap, in which the second band gap layer has an energy band gap smaller than that of the first band gap layer.

Abstract translation: 提供了一种氮化物半导体发光器件，用于通过消除霍尔中断层和有源层之间的能带间隙来中断足够溢出的门厅。 在衬底上依次形成n型包层（103），门厅中断层（104），有源层（105）和p型覆层。 霍尔中断层具有至少两层具有不同能带隙的层，其中能带隙朝向有源层减小。 霍尔中断层具有形成在n型包覆层上的第一带隙层（104a）和形成在第一带隙上的第二带隙（104b），其中第二带隙层的能带隙小于 第一个带隙层的层。

公开(公告)号：KR100826389B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：KR1020060075407

申请日：2006-08-09

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박희석 ,  박길한 ,  유상덕 ,  박영민 ,  김학환 ,  명선영 ,  이상범 ,  박기태 ,  정명식 ,  민경익

IPC: H01L33/16

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/24

Abstract: 본 발명은, 질화물 반도체층 상에 개구부를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크의 개구부에 노출된 상기 질화물 반도체층 영역에 상기 질화물 반도체층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 육각 피라미드 구조의 질화물 반도체 결정은, 그 상하부에 위치한 결정면의 경사각보다 큰 경사각의 결정면을 갖는 적어도 하나의 중간분리영역을 포함하는 질화물 반도체 선택 성장방법을 제공한다.또한, 본 발명은 상기한 질화물 반도체 선택 성장방법을 이용하여 제조될 수 있는 질화물 발광소자와, 그 제조방법을 제공한다.
질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)

公开(公告)号：KR100826375B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：KR1020060080192

申请日：2006-08-24

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이상범 ,  박길한 ,  박영민 ,  박기태 ,  최락준 ,  김학환

IPC: H01L33/10

Abstract: 본 발명은 광추출효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 질화물 반도체 성장을 위한 광투과성 기판; 상기 광투과성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층; 상기 오믹콘택층 상에 서로다른 굴절율을 갖는 제1 층 및 제2 층이 적어도 1회 교대로 적층되어 형성되고, 상기 오믹콘택층을 노출시키는 복수의 오픈영역을 갖는 다중 반사층; 및 상기 다중 반사층의 오픈영역을 통해 접속되는 본딩메탈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
광추출효율, 반사층, 굴절율, 피라미드, 광흡수