-
公开(公告)号：KR1020080032882A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020060098964
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: A light emitting diode package is provided to obtain high optical extraction efficiency by using an electrical insulating transparent fluid instead of a refractive index matching medium. A package substrate(41) includes a mounting area and a first and second wiring structures having exposed parts. The first and second wiring structures are formed in the mounting region. A light emitting diode(45) includes a first and second electrodes and is loaded in the mounting region so that the first and second electrodes are connected to a first and second bonding pads. A transparent member for cover is loaded in the mounting region of the package substrate. An electrical insulating transparent fluid(47) is used for filling a mounting space of the sealed light emitting diode. The electrical insulating transparent fluid has a refractive index smaller than a refractive index of a component of the light emitting diode.
Abstract translation: 提供发光二极管封装以通过使用电绝缘透明流体代替折射率匹配介质来获得高光学提取效率。 封装基板（41）包括安装区域和具有露出部分的第一和第二布线结构。 第一和第二布线结构形成在安装区域中。 发光二极管（45）包括第一和第二电极，并且被装载在安装区域中，使得第一和第二电极连接到第一和第二接合焊盘。 用于盖的透明构件装载在封装基板的安装区域中。 电绝缘透明流体（47）用于填充密封发光二极管的安装空间。 电绝缘透明流体的折射率小于发光二极管的分量的折射率。
-
公开(公告)号：KR100593930B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020050010701
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 두께 편차를 줄일 수 있고, 기계적 응력에 의한 크랙 발생을 억제할 수 있으며, 기판 내의 실장 공간을 최소화시킬 수 있는 내장용 적층형 세라믹 커패시터가 제공된다. 본 발명에 따른 적층형 세라믹 커패시터는, 복수의 유전체층이 적층되어 형성된 커패시터 본체와; 상기 커패시터 본체 내에서 상기 복수의 유전체층 상에 형성되며, 각각 상기 커패시터 본체의 상면 및 하면으로 연장된 리드부를 갖고, 실장면에 수직으로 배치된 복수의 제1 내부 전극 및 제2 내부 전극과; 상기 커패시터 본체의 상면 또는 하면 상에 각각 형성되어 상기 리드부를 통해 상기 내부 전극에 각각 연결된 복수의 외부 전극을 포함하며, 상기 커패시터 본체의 측면에는 외부 전극이 형성되어 있지 않고, 상기 외부 전극은 상기 커패시터 본체의 폭보다 작은 폭을 갖는다.
적층형 세라믹 커패시터, 임베디드 커패시터Abstract translation: 提供了一种内置的多层陶瓷电容器，其能够减小厚度偏差，抑制由机械应力引起的裂纹的发生，并且使基板中的安装空间最小化。 根据本发明的多层陶瓷电容器包括：通过堆叠多个介电层形成的电容器主体; 多个第一内部电极和第二内部电极，形成在电容器本体中的多个介电层上，第一内部电极和第二内部电极中的每一个具有分别延伸到电容器本体的上表面和下表面的引线部分; 以及多个外部电极，其分别形成在电容器主体的上表面或下表面上并通过引线部分与内部电极连接，其中外部电极不形成在电容器主体的侧表面上， 并且宽度小于主体的宽度。
-
公开(公告)号：KR1020050045359A
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030079407
申请日：2003-11-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C04B35/462 , H01B3/12
CPC classification number: H01B3/12 , C03C3/04 , H01G4/1209 , H01G4/30
Abstract: 본 발명은 내환원성 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 (Sr
x Ca
1-x )(Zr
1-yz Ti
y Mn
z )O
3 (단, 0≤x≤0.7, 0.5 2 -cM2
2 O
3 (여기서 M1은 Ca, Ba, Sr, Mg, Zn에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, M2는 B, Al에서 선택된 1종 또는 2종)로 표현되며, 상기 a+b+c=1로서, 0.1≤a≤0.75, 0.2≤b≤0.6, 0≤c≤0.5가 바람직하다. 본 발명에서는 이 유전체 자기조성물을 이용하는 적층세라믹 콘덴서와 그 제조방법 역시 제공된다. 본 발명의 적층세라믹 콘덴서는 유전율이 90이상이고 -55~+125℃범위에서 사용가능하며 SL(-1000~+350ppm/℃, 20~85℃) 특성을 만족시켜 온도보상용으로 사용가능하다.-
公开(公告)号：KR100843455B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060080337
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 광추출효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 및 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 복수의 육각 피라미드 질화물 결정체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
피라미드, 질화물 결정체, 전반사, 발광, 요철, 광추출Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光器件及其制造方法，并且根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：第一导电型氮化物半导体层; 形成在第一导电型氮化物半导体层上的有源层; 在有源层上形成的第二导电型氮化物半导体层; 并且多个六角锥氮化物晶体形成在第二导电型氮化物半导体层上并且具有相对于第二导电型氮化物半导体层的上表面倾斜的晶面。
-
公开(公告)号：KR1020080018299A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080192
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to enhance the light extraction efficiency by employing a multi-layered reflective layer of high reflectivity in a p-side electrode structure. An optical transmission substrate(31) is prepared for nitride semiconductor growth, and a n-type nitride semiconductor layer(32) is formed on the optical transmission substrate. An active layer(33) is formed on the n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. An ohmic contact layer(35) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A multi-layered reflective layer(36) is formed by alternatively depositing a first layer and a second layer on the ohmic contact layer, the first layer and the second layer having different refraction index. The multi-layered reflective layer has plural opened region for exposing the ohmic contact layer, and a bonding metal(37) is connected to the reflective layer via the opened region.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在p侧电极结构中采用高反射率的多层反射层来提高光提取效率。 准备用于氮化物半导体生长的光传输基板（31），并且在光传输基板上形成n型氮化物半导体层（32）。 在n型氮化物半导体层上形成有源层（33），在有源层上形成p型氮化物半导体层。 欧姆接触层（35）形成在p型氮化物半导体层上。 通过在欧姆接触层上交替沉积第一层和第二层来形成多层反射层（36），第一层和第二层具有不同的折射率。 多层反射层具有用于使欧姆接触层露出的多个开放区域，并且接合金属（37）经由开放区域与反射层连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100755610B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020060088250
申请日：2006-09-12
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device having a pyramid structure and its fabricating method are provided to obtain easily a p-type nitride semiconductor layer having sufficient hall concentration in a light emitting portion of hexagonal pyramid structure. A p-type nitride semiconductor base layer(102) is formed on a substrate(101). A mask layer(103) having an opening is formed on the p-type nitride semiconductor. A light emitting portion(150) of a hexagonal pyramid structure is grown through the opening of the mask layer. The light emitting portion has a p-type nitride semiconductor crystal of hexagonal pyramid, an active layer(105) and an n-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供具有棱锥体结构的氮化物半导体发光器件及其制造方法，以容易地获得在六角锥体结构的发光部分中具有足够的霍尔浓度的p型氮化物半导体层。 在基板（101）上形成p型氮化物半导体基底层（102）。 在p型氮化物半导体上形成具有开口的掩模层（103）。 通过掩模层的开口生长六角锥形结构的发光部分（150）。 发光部分具有六角锥的p型氮化物半导体晶体，有源层（105）和n型氮化物半导体层。
-
公开(公告)号：KR100568278B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020030079406
申请日：2003-11-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 내환원성 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 (Sr
x Ca
1-x )(Zr
1-yz Ti
y Mn
z )O
3 (단, 0≤x≤1.00, 0.15≤y≤0.5, 0.005≤z≤0.05)의 주성분과, 유리조성물의 부성분으로 이루어진다. 상기 유리조성물은 aM1O-bSiO
2 -cM2
2 O
3 (여기서 M1은 Ca, Ba, Sr, Mg, Zn에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, M2는 B, Al에서 선택된 1종 또는 2종)로 표현되며, 상기 a+b+c=1로서, 0.1≤a≤0.75, 0.2≤b≤0.6, 0≤c≤0.5로서, 유전체 자기조성물에서의 함량은 2.0~6.0중량% 포함된다. 본 발명에서는 이 유전체 자기조성물을 이용하는 적층세라믹 콘덴서와 그 제조방법 역시 제공된다. 본 발명의 적층세라믹 콘덴서는 유전율이 60이상이고 정전용량 온도변화율이 470±60ppm/℃ 또는 750±120ppm/℃ 를 만족시켜 온도보상용으로 사용가능하다.
내환원성, 콘덴서, Mn 산화물, 유리조성물Abstract translation: 本发明涉及一种自阻抗减小电介质组合物和多层陶瓷电容器，并使用相同的制造方法。 该电介质陶瓷组合物通过混合（Sr
-
公开(公告)号：KR1020050071733A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000017
申请日：2004-01-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01G4/30
Abstract: 본 발명은 개선된 구조의 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다. 상기 적층 세라믹 커패시터는 복수의 유전체 세라믹층이 적층되어 형성된 세라믹 적층체; 각각 상기 세라믹 적층체의 단부로부터 상기 세라믹층들 사이의 계면을 따라 연장되어 해당 유전체 세라믹층을 개재하여 대향 배치된 복수의 내부 전극; 최외곽 내부 전극 외측에 그 전극과 동일한 방향으로 각각 배치된 한 쌍의 더미 전극; 상기 내부 전극 및 더미 전극과 연결되도록 상기 세라믹 적층체의 양단에 배치된 외부 전극; 및 상기 세라믹 적층체 및 외부전극의 외표면에 도금되어 형성된 금속층을 포함한다. 최외곽 내부 전극 외측에 형성된 더미 전극에 의해 외부 전극과 세라믹 적층체 사이의 틈새로 침투하는 도금액을 효과적으로 처리할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020080018355A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080337
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to increase a light extraction efficiency of the light emitted from the top surface of a nitride semiconductor. An active layer(13) is formed on a first conductive nitride semiconductor layer(12), and a second conductive nitride semiconductor layer(14) is formed on the active layer. Plural hexagonal nitride crystals(16) are formed on the second conductive nitride semiconductor layer, and have an inclined crystalline surface to the top surface of the second nitride semiconductor layer. A mask(15) is formed on the second conductive nitride semiconductor layer, and has plural windows at a center region of each nitride crystal.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件及其制造方法以提高从氮化物半导体的顶表面发射的光的光提取效率。 在第一导电氮化物半导体层（12）上形成有源层（13），在有源层上形成第二导电氮化物半导体层（14）。 多个六方晶氮化物晶体（16）形成在第二导电氮化物半导体层上，并且具有与第二氮化物半导体层的顶表面相对的倾斜晶体表面。 在第二导电氮化物半导体层上形成掩模（15），并且在每个氮化物晶体的中心区域具有多个窗口。
-
公开(公告)号：KR100568279B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020030079407
申请日：2003-11-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C04B35/462 , H01B3/12
Abstract: 본 발명은 내환원성 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 유전체 자기조성물은 (Sr
x Ca
1-x )(Zr
1-yz Ti
y Mn
z )O
3 (단, 0≤x≤0.7, 0.5 2 -cM2
2 O
3 (여기서 M1은 Ca, Ba, Sr, Mg, Zn에서 선택된 1종 또는 2종이상이고, M2는 B, Al에서 선택된 1종 또는 2종)로 표현되며, 상기 a+b+c=1로서, 0.1≤a≤0.75, 0.2≤b≤0.6, 0≤c≤0.5가 바람직하다. 본 발명에서는 이 유전체 자기조성물을 이용하는 적층세라믹 콘덴서와 그 제조방법 역시 제공된다. 본 발명의 적층세라믹 콘덴서는 유전율이 90이상이고 -55~+125℃범위에서 사용가능하며 SL(-1000~+350ppm/℃, 20~85℃) 특성을 만족시켜 온도보상용으로 사용가능하다.
내환원성, 콘덴서, Mn 산화물, 유리조성물Abstract translation: 耐还原性电介质陶瓷组合物及使用其的多层陶瓷电容器及其制造方法 该电介质陶瓷组合物通过混合（Sr
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.026 seconds)
