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公开(公告)号：KR100665284B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050106155
申请日：2005-11-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/302
Abstract: A semiconductor light emitting diode is provided to prevent a current concentrating phenomenon by forming a trench which decreases a variation between current passages penetrating a semiconductor layer. A semiconductor light emitting diode includes an n-type semiconductor layer, an active layer(105), and a p-type semiconductor layer which are sequentially deposited on a substrate. A p-type electrode(120) is formed on the p-type semiconductor layer, and an n-type electrode(130) is formed on an upper surface of the n-type semiconductor layer which is mesa-etched. A trench(140) is formed on the n-type semiconductor layer to prevent current concentration. The trench extends from the upper surface of the n-type semiconductor layer or a bottom surface of the substrate to penetrate the n-type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供半导体发光二极管以通过形成减小穿透半导体层的电流通路之间的变化的沟槽来防止电流集中现象。 半导体发光二极管包括依次沉积在衬底上的n型半导体层，有源层（105）和p型半导体层。 p型电极（120）形成在p型半导体层上，n型电极（130）形成在被蚀刻的n型半导体层的上表面上。 在n型半导体层上形成沟槽（140）以防止电流集中。 沟槽从n型半导体层的上表面或衬底的底表面延伸以穿透n型半导体层。
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公开(公告)号：KR100833311B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070000805
申请日：2007-01-03
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride based semiconductor light emitting device is provided to increase a light emitting area by omitting connection electrodes which connects conductive electrode pads or conductive electrodes. A first conductive nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate. An active area is formed on a specified area of the first conductive nitride semiconductor layer. A second conductive nitride semiconductor layer is formed on the active area. A transparent electrode(150) is formed on the second conductive nitride semiconductor layer. A second conductive electrode pad(170a) is formed on the transparent electrode. A second conductive electrode(170) is formed as a linear shape being expanded from the second conductive electrode pad toward the one direction. A first conductive electrode pad(160a) is formed on the first conductive nitride semiconductor layer excluding the active area. A first conductive electrode(160) is formed as the linear shape being expanded from the first conductive electrode pad.
Abstract translation: 提供一种氮化物基半导体发光器件，通过省略连接导电电极焊盘或导电电极的连接电极来增加发光面积。 在基板上形成第一导电氮化物半导体层（120）。 有源区形成在第一导电氮化物半导体层的指定区域上。 在有源区上形成第二导电氮化物半导体层。 在第二导电氮化物半导体层上形成透明电极（150）。 在透明电极上形成第二导电电极焊盘（170a）。 第二导电电极（170）形成为从第二导电电极焊盘向一个方向扩展的线状。 第一导电电极焊盘（160a）形成在除了有效区域之外的第一导电氮化物半导体层上。 第一导电电极（160）形成为从第一导电电极焊盘扩展的线状。
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公开(公告)号：KR100813597B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020060056277
申请日：2006-06-22
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 구조의 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극 패드와, 상기 투명 전극 상에 상기 p형 전극 패드와 연결되도록 형성되어 있으며, 상기 p형 전극 패드와 인접한 상기 투명 전극의 일변과 평행하게 형성된 제1 부분과 상기 제1 부분의 끝단부로부터 뻗어 나와 상기 제1 부분과 평행한 상기 투명 전극의 일변에 대하여 90°의 경사각을 가지고 선형으로 형성된 제2 부분을 갖는 p형 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성된 n형 전극 패드 및 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 상기 n형 전극 패드와 연결되도록 형성되어 있으며, 상기 n형 전극 패드와 인접한 상기 기판의 일변과 평행하게 형성된 제1 부분과 상기 제1 부분의 끝단부로부터 뻗어 나와 상기 제1 부분과 평행한 상기 기판의 일변에 대하여 90°의 경사각을 가지고 선형으로 형성된 제2 부분을 갖는 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광소자, LED, 전극, 전류집중, 발광면, 휘도-
公开(公告)号：KR100716790B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050089199
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도-
公开(公告)号：KR100878396B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070034194
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: 본 발명의 반도체 발광소자는, 상호 대향하는 제1 및 제2 측면, 상호 대향하는 제3 및 제4 측면 및 사각 형상의 상면을 갖되, 순차적으로 적층된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광부; 상기 발광부의 상면에 형성되어, 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속되는 제1 전극; 및 상기 발광부의 상면에 형성되어, 상기 n형 및 p형 도전형 반도체층 중 다른 하나에 접속되는 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은, 상기 제1 및 4 측면 사이의 코너와 제2 및 3 측면 사이의 코너를 연결하는 대각선을 사이에 두고 서로 분리되어 배치되고 서로 반대방향으로 상기 대각선과 평행하게 연장된 2개의 제1 주전극지를 구비한다. 상기 제2 전극은 상기 대각선과 상기 제1 및 제2 측면을 따라 연장된 Z자형의 제2 주전극지를 구비한다.
발광 소자, LED, 동작 전압, 질화물 반도체-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100833309B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020060030502
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극 패드와, 상기 p형 전극 패드로부터 뻗어 나와 상기 p형 전극 패드와 인접한 투명 전극의 일변에 대하여 0° 보다 크고 90° 보다 작거나 같은 경사각을 가지면서 선형으로 형성된 p형 연결 전극과, 상기 p형 연결 전극의 일단에서 연장되어 n형 전극 패드 방향으로 뻗어 있으며, 인접한 투명 전극의 일변과 평행하게 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 전극 패드와 서로 마주보도록 형성된 n형 전극 패드를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
발광소자, LED, 전극, 전류집중, 발광면, 휘도Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，在基板和形成在基板，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域中的有源层，形成在所述n型氮化物半导体层，所述活性层p 型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体和形成于所述层上的透明电极，和形成在透明电极上的p型电极焊垫，从电极焊盘透明电极的单变量和邻近该p型电极焊盘延伸的p出 0＆deg; 大于90°; 小于或同时保持相同的倾斜角度，并从由电极和p型连接电极形成，并延伸到n-型电极焊盘方向的线性p型连接的一端延伸，平行形成在p型电极与相邻的透明电极的单变量和 以及n型电极焊盘，其形成为面向其上未形成有源层的n型氮化物半导体层上的p型电极焊盘。
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公开(公告)号：KR100815564B1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：KR1020060037876
申请日：2006-04-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자에 관한 것으로서, 구조지지층; 상기 구조지지층 상에 형성된 p형 전극; 상기 p형 전극 상에 p형 질화갈륨층과, 활성층 및 n형 질화갈륨층이 순차 적층되어 형성된 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성되며, 그 표면 내에 서로 소정간격 이격된 복수의 나노 패턴이 형성된 투명전극층; 및 상기 투명전극층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자를 제공한다.
수직구조, LED, 나노 패턴, 광방출-
公开(公告)号：KR100809220B1
公开(公告)日：2008-02-29
申请号：KR1020070010719
申请日：2007-02-01
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: A semiconductor light emitting device is provided to improve the characteristic of an operation voltage by improving a current diffusion characteristic and by uniformly supplying carriers to an active layer. A light emitting structure includes mutually confronting first and second lateral surfaces, mutually confronting third and fourth lateral surfaces, and an upper surface of a quadrilateral type wherein a semiconductor layer(103) of a first conductivity type, an active layer(105) and a semiconductor layer(107) of a second conductivity type are sequentially stacked in the light emitting structure. A first electrode(121) is formed on the upper surface of the light emitting structure, connected to one of the semiconductor layers of the first and second conductivity types. A second electrode(122) is formed on the light emitting structure, connected to the other of the semiconductor layers of the first and second conductivity types. The first electrode includes a first electrode pad(121a) separated from the second lateral surface and a first extension part(121b) extended toward the second lateral surface wherein the first electrode pad is formed on a center part between the third and fourth lateral surfaces. The second electrode includes a second extension part(122b) of a horseshoe type which is bent to be an arc type near the first lateral surface and is partially extended toward the second lateral surface near the third and fourth lateral surfaces. The first conductivity type can be an n-type, and the second conductivity type can be a p-type.
Abstract translation: 提供一种半导体发光器件，通过改善电流扩散特性并通过均匀地向有源层提供载流子来提高工作电压的特性。 发光结构包括相互面对的第一和第二侧表面，相互面对的第三和第四侧表面以及四边形类型的上表面，其中第一导电类型的半导体层（103），有源层（105）和 第二导电类型的半导体层（107）依次堆叠在发光结构中。 第一电极（121）形成在发光结构的上表面上，与第一和第二导电类型的一个半导体层相连。 第二电极（122）形成在发光结构上，连接到第一和第二导电类型的另一个半导体层。 第一电极包括与第二侧表面分离的第一电极焊盘（121a）和朝向第二侧表面延伸的第一延伸部分（121b），其中第一电极焊盘形成在第三和第四侧表面之间的中心部分上。 第二电极包括马蹄型的第二延伸部分（122b），其在第一侧面附近被弯曲为弧形，并且在第三和第四侧表面附近部分地朝向第二侧表面延伸。 第一导电类型可以是n型，第二导电类型可以是p型。
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公开(公告)号：KR1020080005726A
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020060064431
申请日：2006-07-10
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device for a flip-chip is provided to effectively diffuse an applied current by arranging n-type and p-type electrode pads on a large-size LED with a contact spacing between them. A nitride semiconductor light emitting device comprises a substrate, an n-type nitride semiconductor layer(110), an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, a p-type electrode(140), plural p-type electrode pads(150a), and plural n-type electrode pads(160a). The n-type nitride semiconductor layer is formed on the substrate and divided into first and second regions. The active layer is formed on the first region. The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The p-type electrode is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The p-type electrode pads are formed on the p-type electrode and arranged to be apart from one another by a constant spacing. The n-type electrode pads are formed on the second region and arranged to be apart from the p-type electrode pads by a constant distance.
Abstract translation: 提供了一种用于倒装芯片的氮化物半导体发光器件，用于通过在其间具有接触间距的大尺寸LED上布置n型和p型电极焊盘来有效地扩散施加的电流。 氮化物半导体发光器件包括衬底，n型氮化物半导体层（110），有源层，p型氮化物半导体层，p型电极（140），多个p型电极焊盘（150a） ）和多个n型电极焊盘（160a）。 n型氮化物半导体层形成在基板上，并分成第一和第二区域。 有源层形成在第一区域上。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 p型电极形成在p型氮化物半导体层上。 p型电极焊盘形成在p型电极上，并以一定的间距彼此分开。 n型电极焊盘形成在第二区域上并且被布置为与p型电极焊盘分开一定距离。
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公开(公告)号：KR1020070121331A
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：KR1020060056277
申请日：2006-06-22
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to uniformalize the current diffusion by minimizing a bent portion at the edge portion of a substrate, and to enlarge a first region as a light emitting surface by minimizing a second region for forming an n-type electrode. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate, comprises a first region and a second region surrounding the first region. An active layer is formed on the first region of the n-type semiconductor region. A p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. A transparent electrode(150) is formed on the p-type semiconductor layer. A p-type electrode pad(170a) is formed on the transparent electrode. A p-type electrode(170) comprising a first part and a second part is formed on the transparent electrode to be connected to the p-type electrode pad. An n-type electrode pad(160a) is formed on the second region of the n-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode(160), having the first and the second parts, is formed on the second region of the n-type semiconductor layer to be connected to the n-type electrode pad.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过使衬底的边缘部分处的弯曲部分最小化来均匀化电流扩散，并且通过最小化用于形成n型电极的第二区域来扩大作为发光表面的第一区域。 n型氮化物半导体层（120）形成在衬底上，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域。 在n型半导体区域的第一区域上形成有源层。 在有源层上形成p型氮化物半导体层。 在p型半导体层上形成透明电极（150）。 在透明电极上形成p型电极焊盘（170a）。 包括第一部分和第二部分的p型电极（170）形成在透明电极上以与p型电极焊盘连接。 n型电极焊盘（160a）形成在n型氮化物半导体层的第二区域上。 具有第一和第二部分的n型电极（160）形成在n型半导体层的与n型电极焊盘连接的第二区域上。
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