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公开(公告)号：KR100665284B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050106155
申请日：2005-11-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/302
Abstract: A semiconductor light emitting diode is provided to prevent a current concentrating phenomenon by forming a trench which decreases a variation between current passages penetrating a semiconductor layer. A semiconductor light emitting diode includes an n-type semiconductor layer, an active layer(105), and a p-type semiconductor layer which are sequentially deposited on a substrate. A p-type electrode(120) is formed on the p-type semiconductor layer, and an n-type electrode(130) is formed on an upper surface of the n-type semiconductor layer which is mesa-etched. A trench(140) is formed on the n-type semiconductor layer to prevent current concentration. The trench extends from the upper surface of the n-type semiconductor layer or a bottom surface of the substrate to penetrate the n-type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供半导体发光二极管以通过形成减小穿透半导体层的电流通路之间的变化的沟槽来防止电流集中现象。 半导体发光二极管包括依次沉积在衬底上的n型半导体层，有源层（105）和p型半导体层。 p型电极（120）形成在p型半导体层上，n型电极（130）形成在被蚀刻的n型半导体层的上表面上。 在n型半导体层上形成沟槽（140）以防止电流集中。 沟槽从n型半导体层的上表面或衬底的底表面延伸以穿透n型半导体层。
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公开(公告)号：KR1020060018300A
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：KR1020040066619
申请日：2004-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/641
Abstract: 발명은 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 낮은 열전도성을 갖는 절연성물질인 사파이어기판을 제거하고 실리콘기판과 같은 도전성 기판을 장착함으로써 휘도 및 신뢰성을 향상시킨 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 전극이 형성된 상면을 갖는 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층; 상기 활성층 하면에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 고반사성 오믹콘택층; 및 상기 고반사성 오믹콘택층 하면에 형성된 금속 기판을 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 열방출효과가 양호해지고, 순방향 전압을 감소시킬 수 있으며, 정전기 방전효과도 향상시킬 수 있다. 또한, 넓은 발광면적을 확보할 수 있어 휘도를 보다 향상시키는 효과가 있다.
수직구조 발광소자, GaN, 사파이어 기판, 금속기판, 질화물 반도체Abstract translation: 发明涉及一种垂直结构的氮化物，更特别地，氮化物半导体发光器件，其移除所述绝缘材料的垂直结构是蓝宝石基板，以及提高通过安装的导电性基板的亮度和可靠性，例如具有低导热性的半导体发光元件的硅衬底 。 本发明提供了一种发光器件，包括：第一导电型氮化物半导体层，具有其上形成有第一电极的上表面; 有源层，形成在第一导电型氮化物半导体层的下表面上; 第二导电型氮化物半导体层，形成在有源层的底表面上; 高反射欧姆接触层，形成在第二导电型氮化物半导体层的下表面上; 并且在高反射性欧姆接触层的下表面上形成金属基板。 根据本发明，可以提高散热效果，降低正向电压，并且可以提高静电放电效果。 另外，可以确保大的发光面积，从而提高亮度。
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公开(公告)号：KR1020050000691A
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020030041173
申请日：2003-06-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36 , H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing GaN based semiconductor LED(Light Emitting Diode) is provided to simplify fabrication processes, to form easily a pattern of a transparent electrode adequate for the prevention of ESD(ElectroStatic Discharge) and to restrain the degradation of adhesion between the transparent electrode and a bonding electrode by performing a passivation layer forming process and a bonding electrode forming process using a second photoresist pattern. CONSTITUTION: A first conductive type clad layer(33), an active layer(35), a second conductive type clad layer(37), a transparent electrode(38) and a first photoresist pattern(41) are sequentially formed on a substrate(31). The first conductive type clad layer is partially exposed by etching selectively the resultant structure using the first photoresist pattern as an etching mask. The first photoresist pattern is removed therefrom. A passivation layer(40) and a second photoresist pattern(42) are sequentially formed thereon. The first conductive type clad layer and the transparent electrode are exposed to the outside by etching selectively the passivation layer using the second photoresist pattern as an etching mask. A first bonding electrode(39a) and a second bonding electrode(39b) are formed on the exposed first conductive type clad layer and on the exposed transparent electrode, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种制造GaN基半导体LED（发光二极管）的方法，以简化制造工艺，容易地形成足以防止ESD（静电放电）的透明电极的图案，并且抑制 透明电极和接合电极，通过执行钝化层形成工艺和使用第二光致抗蚀剂图案的接合电极形成工艺。 构成：在衬底上依次形成第一导电型覆盖层（33），有源层（35），第二导电型覆盖层（37），透明电极（38）和第一光致抗蚀剂图案（41） 31）。 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模选择性地蚀刻所得到的结构来部分地暴露第一导电型覆盖层。 从其中除去第一光致抗蚀剂图案。 在其上依次形成钝化层（40）和第二光致抗蚀剂图案（42）。 通过使用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻钝化层，将第一导电型覆盖层和透明电极暴露于外部。 第一接合电极（39a）和第二接合电极（39b）分别形成在暴露的第一导电型覆盖层和暴露的透明电极上。
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公开(公告)号：KR100419611B1
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：KR1020010028685
申请日：2001-05-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/642 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/49107 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: Disclosed is a LED which can be mounted at high density on a large area display. Having a hole for heat sink in the ceramic substrate, the LED is superior in heat sink property. In order to fabricate the light emitting device, first, a secondary ceramic sheet is stacked on the ceramic substrate, followed by forming electrodes in a predetermined pattern on the secondary ceramic sheet around the hole for heat sink. On the ceramic substrate, an upper ceramic sheet with an opening is stacked to form a stacked ceramic substrate in such a way that a part of the electrodes are exposed through the opening. After co-firing the stacked ceramic substrate, a light emitting diode chip is mounted on the secondary ceramic sheet at a position corresponding to the hole for heat sink. Then, the electrodes are electrically connected with the LED chip, and the LED chip is sealed with insulating resin. A light emitting device using the LED and a fabrication method therefor are also disclosed.
Abstract translation: 公开了一种可以以高密度安装在大面积显示器上的LED。 在陶瓷基板上有一个用于散热片的孔，LED散热性能优越。 为了制造发光器件，首先，将第二陶瓷片堆叠在陶瓷基板上，然后在散热器孔周围的第二陶瓷片上以预定图案形成电极。 在陶瓷基板上，堆叠具有开口的上陶瓷片以形成堆叠的陶瓷基板，使得一部分电极通过开口暴露。 在共同烧制堆叠的陶瓷衬底之后，将发光二极管芯片安装在次陶瓷片上对应于散热器孔的位置处。 然后，电极与LED芯片电连接，LED芯片用绝缘树脂密封。 还公开了使用LED的发光器件及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020020089785A
公开(公告)日：2002-11-30
申请号：KR1020010028685
申请日：2001-05-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/642 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/49107 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An LED(Light Emitting Diode), a light emitting device by using the same, and a fabricating method thereof are provided to form densely the LEDs on a large area substrate by improving a heat-sink characteristic of the LED. CONSTITUTION: A ceramic substrate(111) has a plurality of heat-sink holes(111a,111a'). A pattern electrode is formed on both sides of the heat-sink holes(111a,111a'). A couple of auxiliary ceramic sheets(112,112') are laminated on a ceramic substrate(111). The auxiliary ceramic sheets(112,112') are used for covering the heat-sink holes(111a,111a'). The auxiliary ceramic sheets(112,112') are formed with alumina or SiC. A couple of LEDs(113,113') as a light emitting element are mounted on the auxiliary ceramic sheets(112,112'). The LEDs(113.113') are electrically connected with an electrode(114) and a wire(115) formed on the ceramic substrate(111). The LEDs(113,113') are surrounded by an upper ceramic sheet(117). The LEDs(113,113') are sealed with an insulating layer(116).
Abstract translation: 目的：通过提高LED的散热特性，提供LED（发光二极管），使用该LED的发光装置及其制造方法，以密集地形成大面积基板上的LED。 构成：陶瓷基板（111）具有多个散热孔（111a，111a'）。 图案电极形成在散热孔（111a，111a'）的两侧。 一对辅助陶瓷片（112,112'）层叠在陶瓷基片（111）上。 辅助陶瓷片（112,112'）用于覆盖散热孔（111a，111a'）。 辅助陶瓷片（112,112'）由氧化铝或SiC形成。 作为发光元件的一对LED（113,113'）安装在辅助陶瓷片（112,112'）上。 LED（113.113'）与形成在陶瓷基板（111）上的电极（114）和电线（115）电连接。 LED（113,113'）被上陶瓷片（117）包围。 LED（113,113'）用绝缘层（116）密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100597166B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020050036958
申请日：2005-05-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, N형 전극의 인접한 부분에 집중된 전류의 흐름을 발광부의 중심부분으로 유도하게 할 수 있고 이에 따라 전류확산의 효과가 증대되어 발광다이오드 칩의 발광효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 의한 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법은, 소정의 결정방향을 갖는 광투과성 기판; 상기 기판 상에 N형 질화물 반도체층, 활성층, P형 질화물 반도체층이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 상기 N형 질화물 반도체층의 복수의 영역이 소정 폭을 가지도록 노출됨으로써 형성된 메사와, 상기 복수의 메사와 메사 사이에 위치한 상기 N형 질화물 반도체층의 복수의 영역이 소정 폭을 가지도록 노출됨으로써 형성된 홈을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 홈 표면에 걸쳐 형성되는 홈 절연층; 상기 발광 구조물의 P형 질화물 반도체층 상부와 상기 홈 표면에 형성된 절연층에 걸쳐 형성되는 P형 전극; 및 상기 발광 구조물의 복수의 메사에 형성되는 N형 전극;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
홈, 홈 절연층, 전류확산, 홈의 간격Abstract translation: 本发明是一种倒装芯片发光二极管，并且涉及制造一样，电流集中到N型电极的附近的流动可以在中央部部分的发射和构成的电流扩散相应增加的影响而引起的，所述LED芯片的方法 有一个优点是可以提高发光效率。
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公开(公告)号：KR1020050062281A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030094303
申请日：2003-12-20
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/08
Abstract: 고출력 플립 칩 발광다이오드가 개시된다. 상기 발광다이오드에서, 장방형 사파이어 기판의 표면에 n형 반도체층이 형성되고, 상기 n형 반도체층은 복수의 장방형의 제1 영역과 이들 제1 영역을 분할하도록 상기 제1 영역 사이에 교차 형성된 제2 영역을 갖는다. 상기 n형 반도체층의 제2 영역 위에는 복수의 p형 반도체층이 형성되어 메사 구조를 각각 형성하고 이 메사 구조는 적어도 한 쌍의 대각 방향 모퉁이가 안쪽으로 둥글게 만입되어 제1 분지를 형성한다. 상기 메사 구조 위에는 복수의 제1 금속층이 이와 동일한 평면 형상으로 각각 형성된다. 상기 제2 영역 위에는 제2 금속층이 형성된다. 상기 제1 금속층 위에는 복수의 제1 전기 접속부가 각각 형성된다. 상기 제1 분지에 해당하는 상기 제2 금속층에 복수의 제2 전기 접속부가 각각 형성된다. 본 발명은 전류 집중 현상을 극복하여 전체 발광 영역에서 균일한 전류 밀도를 갖도록 하면서 넓은 발광 면적을 확보함으로써 균일하고도 높은 휘도의 발광을 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100495215B1
公开(公告)日：2005-06-14
申请号：KR1020020084703
申请日：2002-12-27
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L2221/68363
Abstract: 본 발명은 수직 구조를 갖는 GaN 발광다이오드에 관한 것이다.
본 발명은, 제1 컨택이 형성된 상면을 갖는 제1 도전형 GaN 클래드층과, 상기 제1 도전형 GaN 클래드층 하면에 형성된 활성층과, 상기 활성층 하면에 형성된 제2 도전형 GaN 클래드층과, 상기 제2 도전형 GaN 클래드층에 형성된 도전성 접착층과, 상기 도전성 접착층 하면에 형성되며, 제2 컨택이 형성된 하면을 갖는 도전성 기판을 포함하는 GaN 발광 다이오드를 제공한다. 본 발명은 상기 수직구조 GaN 발광다이오드의 제조방법도 제공한다. 특히, 상기 방법에서는 GaN 단결정면의 손상을 방지할 수 있는 사파이어 기판을 분리하는 공정이 제안된다.
본 발명의 GaN 발광다이오드에 따르면, 열방출효과와 전류밀도분포가 향상되고 휘도가 획기적으로 향상될 수 있을 뿐만 아니라, 개별소자로 절단하는 공정이 매우 용이해진다. 특히, 본 발명에서 제안된 사파이어 기판 분리공정은 GaN 결정면의 손상을 방지할 수 있어 보다 우수한 수직구조 GaN 발광다이오드를 제조할 수 있다는 잇점이 있다.-
公开(公告)号：KR100483049B1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020030035766
申请日：2003-06-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , Y10S438/977
Abstract: 본 발명은 수직 구조를 갖는 GaN 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어기판 상에, 제1 도전형 GaN 클래드층, 활성층 및 제2 도전형 GaN 클래드층이 순차적으로 배치된 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 사파이어기판 상에 제1 도전형 GaN 클래드층이 적어도 100Å의 두께로 잔류되도록 원하는 최종 발광다이오드의 크기에 따라 상기 발광구조물을 분리하는 단계와, 도전성 접착층을 이용하여 상기 발광구조물의 상면에 도전성 기판을 접합하는 단계와, 상기 발광구조물로부터 상기 사파이어기판이 분리되도록 상기 사파이어기판 하부에 레이저 빔을 조사하는 단계 - 여기서, 상기 상기 잔류한 제2 도전형 GaN 클래드층이 제거되어 상기 발광구조물이 최종 발광다이오드 크기로 완전히 분리됨-와, 상기 제1 도전형 클래드층의 양면 중 상기 사파� ��어 기판이 제거된 면과 상기 도전성 기판의 노출된 면에 제1 및 제2 컨택을 각각 형성하는 단계와, 상기 분리된 발광구조물에 따라 상기 도전성 기판을 절단하는 단계를 포함하는 GaN 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면,레이저를 이용하여 사파이어기판을 용이하면서도, 사파이어기판을 투과하는 레이저 빔에 의한 도전성 접착층이 용융되는 문제를 해결함으로써, 발광효율이 우수한 수직구조 질화갈륨 발광다이오드를 용이하게 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020070001350A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056762
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/14
Abstract: A flip chip type light emitting apparatus is provided to improve current concentration and diffusion by configuring current paths having the same resistance from a metal electrode of a sub-mount to n-side electrodes of a nitride semiconductor light emitting diode. A nitride semiconductor light emission diode(10) includes an n-type nitride semiconductor layer(12), n-side electrodes(15a,15b), an active layer(13), a p-type nitride semiconductor layer(14) and plural p side electrodes including a first p-side electrode and a second p-side electrode(16b). A sub-mount(20) includes a supporting substrate(21), a reflecting layer(22), a first passivation layer(23), first and second metal electrode layers(24a,24b), a second passivation layer(25), a transmission resistance layer(26) and a bonding pad(27). The n-side electrode and the second metal electrode layer are bonded by a conductive pump(30). The p-side electrode is bonded to the bonding pad by the conductive bump. The first p-side electrode is bonded to the bonding pad formed on an upper surface of the transmission resistance layer located in an upper portion of the exposed first metal electrode layer.
Abstract translation: 提供一种倒装芯片型发光装置，通过配置具有相同电阻的电流路径来改善电流集中和扩散，该电流路径从子载体的金属电极到氮化物半导体发光二极管的n侧电极。 氮化物半导体发光二极管（10）包括n型氮化物半导体层（12），n侧电极（15a，15b），有源层（13），p型氮化物半导体层（14）和多个 p侧电极，包括第一p侧电极和第二p侧电极（16b）。 子安装件（20）包括支撑基板（21），反射层（22），第一钝化层（23），第一和第二金属电极层（24a，24b），第二钝化层（25） 传输电阻层（26）和焊盘（27）。 n侧电极和第二金属电极层通过导电泵（30）接合。 p侧电极通过导电凸块与接合焊盘接合。 第一p侧电极被接合到形成在位于暴露的第一金属电极层的上部的传输电阻层的上表面上的接合焊盘。
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