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公开(公告)号：KR1020070034716A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020050089199
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: A GaN based LED and a method of manufacturing the same are provided. The GaN based semiconductor LED can have an improved heat dissipation capability of a sapphire substrate, thereby preventing device characteristic from being degraded by heat and improving the luminous efficiency of the device. In the GaN based LED, a sapphire substrate has at least one groove formed in a lower portion thereof. A thermally conductive layer having higher thermal conductivity than the sapphire substrate is formed on a bottom surface of the sapphire substrate to fill the groove. An n-type nitride semiconductor layer is formed on the sapphire substrate, and an active layer and a p-type nitride semiconductor layer are sequentially formed on a predetermined portion of the n-type nitride semiconductor layer. A p-electrode and an n-electrode are formed on the p-type nitride semiconductor layer and the n-type nitride semiconductor layer, respectively.
Abstract translation: 提供了一种GaN基LED及其制造方法。 GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底的散热能力，由此防止器件特性因热而降级并且提高器件的发光效率。 在基于GaN的LED中，蓝宝石衬底具有在其下部中形成的至少一个凹槽。 具有比蓝宝石衬底更高导热率的导热层形成在蓝宝石衬底的底表面上以填充凹槽。 在蓝宝石衬底上形成n型氮化物半导体层，并且在n型氮化物半导体层的预定部分上依次形成有源层和p型氮化物半导体层。 在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上分别形成p电极和n电极。
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公开(公告)号：KR100716790B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050089199
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 열 방출 능력을 향상시켜, 열에 의한 소자의 특성 저하를 막을 수 있고, 소자의 발광 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광소자는, 적어도 하나의 홈이 하부에 형성된 사파이어 기판; 상기 홈을 매립하도록 상기 사파이어 기판의 하면에 형성되되, 상기 사파이어 기판보다 열전도도가 높은 열전도층; 상기 사파이어 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층의 소정 영역 상에 차례로 형성된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 질화물 반도체층 상에 각각 형성된 p형 전극 및 n형 전극을 포함한다.
사파이어 기판, 홈, 펨토초 레이저, 열전도도, 반사도-
公开(公告)号：KR100597166B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020050036958
申请日：2005-05-03
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, N형 전극의 인접한 부분에 집중된 전류의 흐름을 발광부의 중심부분으로 유도하게 할 수 있고 이에 따라 전류확산의 효과가 증대되어 발광다이오드 칩의 발광효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 의한 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법은, 소정의 결정방향을 갖는 광투과성 기판; 상기 기판 상에 N형 질화물 반도체층, 활성층, P형 질화물 반도체층이 순차적으로 형성되어 이루어지며, 상기 N형 질화물 반도체층의 복수의 영역이 소정 폭을 가지도록 노출됨으로써 형성된 메사와, 상기 복수의 메사와 메사 사이에 위치한 상기 N형 질화물 반도체층의 복수의 영역이 소정 폭을 가지도록 노출됨으로써 형성된 홈을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 홈 표면에 걸쳐 형성되는 홈 절연층; 상기 발광 구조물의 P형 질화물 반도체층 상부와 상기 홈 표면에 형성된 절연층에 걸쳐 형성되는 P형 전극; 및 상기 발광 구조물의 복수의 메사에 형성되는 N형 전극;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
홈, 홈 절연층, 전류확산, 홈의 간격Abstract translation: 本发明是一种倒装芯片发光二极管，并且涉及制造一样，电流集中到N型电极的附近的流动可以在中央部部分的发射和构成的电流扩散相应增加的影响而引起的，所述LED芯片的方法 有一个优点是可以提高发光效率。
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公开(公告)号：KR2019960002846U
公开(公告)日：1996-01-22
申请号：KR2019940016379
申请日：1994-06-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 민복기
IPC: G11B5/127
Abstract: 이고안은테이프레코더드럼의자기헤드에관한것으로서, 상부드럼저면에고정나사에의해고정되는자기헤드선단면에돌출형성된돌기부상, 하측면에가압력에의해칩이접착된자기헤드가휘어질수 있도록슬롯또는홈을형성시킴으로써, 자기헤드제조시상부드럼의종류에따른칩의절대높이를맞추기위해사용되는별도의조정부재가삭제되어재료비및 작업공정이절감되며, 칩의절대높이관리가용이함은물론상부드럼의가공치수를여러종류에서한 종류로통일하여생산성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 磁带录像机磁鼓的磁头具有一个突出部分，该突出部分从通过上鼓的底表面上的固定螺钉固定的磁头的端面突出， 或通过形成槽，一个单独的调节元件是用来与对应于上鼓的类型在制造磁头除去芯片的绝对高度，并降低材料成本和工作过程中，给药的绝对高度是易于在芯片的，以及上 通过将滚筒的加工尺寸统一为各种类型，可以提高生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070047047A
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020050103752
申请日：2005-11-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 분포되며 상기 오믹콘택층과의 접촉저항이 10
-2 Ωㆍ㎠ 이상이 되도록 단결정이 손상된 다수의 쇼트키 접합영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전류 크라우딩현상이 완화되어 보다 낮은 순방향 전압과 높은 발광효율을 갖는 고신뢰성 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 기대할 수 있다.
플립칩(flip-chip), 질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류크라우딩(current crowding)-
公开(公告)号：KR100665284B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050106155
申请日：2005-11-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/302
Abstract: A semiconductor light emitting diode is provided to prevent a current concentrating phenomenon by forming a trench which decreases a variation between current passages penetrating a semiconductor layer. A semiconductor light emitting diode includes an n-type semiconductor layer, an active layer(105), and a p-type semiconductor layer which are sequentially deposited on a substrate. A p-type electrode(120) is formed on the p-type semiconductor layer, and an n-type electrode(130) is formed on an upper surface of the n-type semiconductor layer which is mesa-etched. A trench(140) is formed on the n-type semiconductor layer to prevent current concentration. The trench extends from the upper surface of the n-type semiconductor layer or a bottom surface of the substrate to penetrate the n-type semiconductor layer.
Abstract translation: 提供半导体发光二极管以通过形成减小穿透半导体层的电流通路之间的变化的沟槽来防止电流集中现象。 半导体发光二极管包括依次沉积在衬底上的n型半导体层，有源层（105）和p型半导体层。 p型电极（120）形成在p型半导体层上，n型电极（130）形成在被蚀刻的n型半导体层的上表面上。 在n型半导体层上形成沟槽（140）以防止电流集中。 沟槽从n型半导体层的上表面或衬底的底表面延伸以穿透n型半导体层。
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公开(公告)号：KR100674875B1
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1020050056762
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/14
Abstract: 플립칩 구조를 갖는 플립칩형 발광 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 플립칩형 발광 장치는, 서브마운트 상의 일 금속전극으로부터 공급되는 전류가 질화물 반도체 발광 다이오드의 n측 전극까지 전달되는 복수의 경로에서 서로 동일한 저항이 형성되는 구조를 갖는다. 이를 위해 상기 질화물 반도체 발광 다이오드는, 상기 n형 질화물 반도체층 상면의 둘레를 따라 형성된 n측 전극 및 상기 p형 질화물 반도체층 상면의 중심부에 형성된 제1 p측 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상면에 형성되며 상기 제1 p측 전극으로부터 상기 n측 전극 사이에 실질적으로 등간격으로 배치된 복수개의 제2 p측 전극으로 이루어진 복수개의 p측 전극을 포함한다. 또한, 상기 서브마운트에서는 공급되는 전류가 직접 상기 p측 전극으로 인가되지 않고, 상기 n형 질화물 반도체와 실질적으로 동일한 면저항을 갖는 저항층을 통과한 후 상기 질화물 반도체 발광 다이오드의 p측 전극으로 제공됨으로써 질화물 반도체 발광 다이오드의 n측 전극까지 전달되는 복수의 경로에서 서로 동일한 저항이 형성되는 구조가 형성된다.
플립칩, 발광 다이오드(LED), 서브마운트(submount)-
公开(公告)号：KR1020070005283A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020050060519
申请日：2005-07-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/42 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/38
Abstract: A nitride-based semiconductor LED is provided to increase light emitting efficiency greatly and generally by making uniform a diffusion path of current flowing from a p-type electrode to an n-type nitride semiconductor layer via a transparent conductive layer. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate. An active layer(130) is formed on a predetermined region of the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer. A transparent conductive layer is formed on the p-type nitride semiconductor layer, divided into a plurality of regions through the n-type electrode. An insulation layer(180) is formed on the center part of the upper surface of the transparent conductive layer, having a contact hole(185) for defining a p-type contact region wherein the contact hole is positioned in the center part of the insulation layer. A p-type electrode(160) is formed on the insulation layer, electrically connected to the transparent conductive layer through a contact hole. An n-type electrode(170) is formed on the n-type nitride semiconductor layer in which the active layer is not formed.
Abstract translation: 提供了一种基于氮化物的半导体LED，以大大提高发光效率，并且通常通过使从p型电极流向n型氮化物半导体层的电流的扩散路径通过透明导电层而均匀化。 在基板上形成n型氮化物半导体层（120）。 在n型氮化物半导体层的预定区域上形成有源层（130）。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（140）。 在p型氮化物半导体层上形成透明导电层，通过n型电极分割成多个区域。 绝缘层（180）形成在透明导电层的上表面的中心部分上，具有用于限定p型接触区域的接触孔（185），其中接触孔位于绝缘体的中心部分 层。 p型电极（160）形成在绝缘层上，通过接触孔与透明导电层电连接。 在未形成有源层的n型氮化物半导体层上形成n型电极（170）。
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