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公开(公告)号：KR1020060018300A
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：KR1020040066619
申请日：2004-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/641
Abstract: 발명은 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 낮은 열전도성을 갖는 절연성물질인 사파이어기판을 제거하고 실리콘기판과 같은 도전성 기판을 장착함으로써 휘도 및 신뢰성을 향상시킨 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 전극이 형성된 상면을 갖는 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층; 상기 활성층 하면에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 고반사성 오믹콘택층; 및 상기 고반사성 오믹콘택층 하면에 형성된 금속 기판을 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 열방출효과가 양호해지고, 순방향 전압을 감소시킬 수 있으며, 정전기 방전효과도 향상시킬 수 있다. 또한, 넓은 발광면적을 확보할 수 있어 휘도를 보다 향상시키는 효과가 있다.
수직구조 발광소자, GaN, 사파이어 기판, 금속기판, 질화물 반도체Abstract translation: 发明涉及一种垂直结构的氮化物，更特别地，氮化物半导体发光器件，其移除所述绝缘材料的垂直结构是蓝宝石基板，以及提高通过安装的导电性基板的亮度和可靠性，例如具有低导热性的半导体发光元件的硅衬底 。 本发明提供了一种发光器件，包括：第一导电型氮化物半导体层，具有其上形成有第一电极的上表面; 有源层，形成在第一导电型氮化物半导体层的下表面上; 第二导电型氮化物半导体层，形成在有源层的底表面上; 高反射欧姆接触层，形成在第二导电型氮化物半导体层的下表面上; 并且在高反射性欧姆接触层的下表面上形成金属基板。 根据本发明，可以提高散热效果，降低正向电压，并且可以提高静电放电效果。 另外，可以确保大的发光面积，从而提高亮度。
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2.发明授权레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 有权一种制造用于使用激光和发光二极管对发光二极管基板进行表面处理的发光二极管的方法
公开(公告)号：KR100649494B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020040064535
申请日：2004-08-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02378 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , Y10S438/964
Abstract: 본 발명은 레이저를 이용한 발광 다이오드 기판의 표면 처리 과정을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 레이저빔을 기판에 투사하여 미세한 요철 형상을 형성하므로 발광 다이오드의 기판을 종래기술에 비해 더욱 미세하게 표면 처리할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드의 광추출효율을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 종래기술에서 문제되는 화학적 식각 및/또는 물리적 연마에 따른 기판의 스트레스나 결함 등을 방지할 수 있다.
발광 다이오드, 전반사, 광손실, 스트레스, 레이저, 요철Abstract translation: 本发明涉及一种通过发光二极管的制造方法，并且该方法包括用激光的发光二极管衬底的表面处理产生的发光二极管。 本发明是形成通过投影在衬底上的激光束的微细的凹凸形状，所以能够进一步精细加工的表面比的现有技术中的LED基板。 因此，不仅能够提高发光二极管根据化学蚀刻和/或物理磨损是在现有技术中存在的问题，以防止应力和缺陷在基板的光提取效率。
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020060016177A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020040064535
申请日：2004-08-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02378 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , Y10S438/964
Abstract: 본 발명은 레이저를 이용한 발광 다이오드 기판의 표면 처리 과정을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 레이저빔을 사파이어 기판에 투사하여 미세한 요철 형상을 형성하므로 발광 다이오드의 기판을 종래기술에 비해 더욱 미세하게 표면 처리할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드의 광추출효율을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 종래기술에서 문제되는 화학적 식각 및/또는 물리적 연마에 따른 기판의 스트레스나 결함 등을 방지할 수 있다.
발광 다이오드, 전반사, 광손실, 스트레스, 레이저, 요철-
公开(公告)号：KR100658143B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020050116690
申请日：2005-12-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: A method for forming a vertically structured GaN type light emitting diode device is provided to prevent damage of a light emitting structure by a laser scribing process. A light emitting structure(110) is formed by laminating an n-type GaN-based semiconductor layer, an active layer, and a p-type GaN-based semiconductor layer on a substrate(100). The light emitting structure is divided into LED units. A plurality of p-type electrodes(120) are formed on the light emitting structure of the LED units. A plating seed layer(130) is formed on the p-type electrode. A structure supporting layer is formed on the plating seed layer. A mask(200) is formed on a lower surface of the substrate corresponding to the plating seed layer. The substrate is divided into the substrate having the light emitting structure without the plating seed layer and the substrate having the light emitting structure and the plating seed layer by an LLO process. An n-type electrode(150) is formed on the exposed light emitting structure of the substrate having the light emitting structure and the plating seed layer.
Abstract translation: 提供了一种用于形成垂直结构的GaN型发光二极管器件的方法，以防止通过激光划片工艺损坏发光结构。 发光结构（110）通过在衬底（100）上层叠n型GaN基半导体层，有源层和p型GaN基半导体层而形成。 发光结构被分成LED单元。 多个p型电极（120）形成在LED单元的发光结构上。 在p型电极上形成电镀籽晶层（130）。 在电镀种子层上形成结构支撑层。 掩模（200）形成在基板的与电镀籽晶层相对应的下表面上。 通过LLO工艺将衬底分成具有不具有电镀籽晶层的发光结构的衬底以及具有发光结构和电镀籽晶层的衬底。 在具有发光结构和电镀籽晶层的衬底的暴露的发光结构上形成n型电极（150）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576853B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030093091
申请日：2003-12-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/45 , H01L2224/45 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/43 , H01L2924/01006
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싼 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 순차적으로 형성된 활성층과 p형 질화물 반도체층으로 이루어진 발광구조물과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p측 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 n측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, n측 전극형성에 따른 활성영역의 감소를 최소화하고, 순방향 전압특성을 개선함으로써 전체 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
질화물 반도체 발광소자(nitride semiconductor light emitting diode), 전류분산(current spreading)Abstract translation: 发明依次到涉及的氮化物半导体发光器件中，第一区域和具有由围绕所述第一区域和所述n型氮化物半导体层的第二区域的第二区域隔开的顶表面上的第二n型氮化物半导体层 形成在所述p型氮化物半导体层上的p型电极和形成在所述n型氮化物半导体层的所述第一区域上的n侧电极， 提供了一种发光装置。
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公开(公告)号：KR100616600B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020040066619
申请日：2004-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/641
Abstract: 발명은 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 낮은 열전도성을 갖는 절연성물질인 사파이어기판을 제거하고 실리콘기판과 같은 도전성 기판을 장착함으로써 휘도 및 신뢰성을 향상시킨 수직구조 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 제1 전극이 형성된 상면을 갖는 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층; 상기 활성층 하면에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 하면에 형성된 고반사성 오믹콘택층; 및 상기 고반사성 오믹콘택층 하면에 형성된 금속 기판을 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 열방출효과가 양호해지고, 순방향 전압을 감소시킬 수 있으며, 정전기 방전효과도 향상시킬 수 있다. 또한, 넓은 발광면적을 확보할 수 있어 휘도를 보다 향상시키는 효과가 있다.
수직구조 발광소자, GaN, 사파이어 기판, 금속기판, 질화물 반도체-
公开(公告)号：KR100609119B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020050037749
申请日：2005-05-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/08 , H01L21/306
Abstract: 본 발명은 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것으로, 사파이어기판상에 n형 질화갈륨층, 활성층 및 p형 질화갈륨층을 순차적으로 형성하여 질화갈륨계 LED 구조물을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 소정 간격으로 식각함으로써, 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 제1차 아이솔레이션(isolation)시키는 단계; 상기 제1차 아이솔레이션된 질화갈륨계 LED 구조물상에 도전성기판을 접합하는 단계; 상기 도전성기판을 접합한 후, 상기 사파이어기판을 제거하는 단계; 상기 사파이어기판을 제거한 후 노출된 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 소자 크기대로 식각함으로써, 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 제2차 아이솔레이션(isolation)시키는 단계; 및 상기 도전성기판 하면에 p형 전극을 형성하고, 상기 사파이어기판을 제거한 후 노출된 상기 질화갈륨계 LED 구조물상에 n형 전극을 형성한 후, 소자분리공정을 행하는 단계를 포함하는 것을 주요한 특징으로 함으로써, LED 소자의 제조 과정에서 상기 질화갈륨계 LED 구조물에 가해지는 스트레스를 줄일 수 있고, 또한 양질의 LED 소자를 제조할 수 있는 이점이 있다.
발광다이오드, LED, 수직구조 발광다이오드, 아이솔레이션, 사파이어기판Abstract translation: 本发明包括作为一种制造GaN基垂直结构的发光二极管器件，以形成n型氮化镓层，有源层和，以形成一个氮化镓基LED结构的蓝宝石基板上形成p型氮化镓层的方法; 首先通过以预定间隔蚀刻氮化镓基LED结构来隔离氮化镓基LED结构; 将导电衬底结合到第一隔离氮化镓基LED结构; 在键合导电衬底之后去除蓝宝石衬底; 去除蓝宝石衬底，然后根据元件尺寸蚀刻暴露的氮化镓基LED结构，以二次隔离氮化镓基LED结构; 和主要的特征在于，包括在导电性基板的下表面上形成p型电极之后，并在镓上形成的n型电极去除蓝宝石衬底，执行设备分离步骤的一个步骤之后暴露的氮化物基LED的结构 因此，可以减小在LED器件的制造过程中施加于氮化镓基LED结构的应力，并且可以制造高质量的LED器件。
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公开(公告)号：KR100587018B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020050016109
申请日：2005-02-25
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 복수의 발광구조물을 갖는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 발광구조물의 상면에 일체형으로 반사막을 형성함으로써, 플립칩 구조에 적용시 상기 복수개의 발광구조물 사이에서 발생하는 광 누설의 방지를 통해 발광효율을 개선한 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명은, 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되며, 복수개의 본딩 패드와 상기 본딩 패드 사이를 연결하는 전극지로 이루어진 n측 전극; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 상기 n측 전극이 형성되지 않은 영역에 상기 n측 전극에 의해 분리되어 형성되며, 순차적으로 적층된 활성층 및 p형 질화물 반도체층으로 이루어진 복수개의 발광구조물; 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n측 전극을 전기적으로 아이솔레이션 시키며, 상기 복수개의 발광구조물 사이에 위치한 상기 n측 전극의 전극지를 덮도록 형성되는 절연층; 및 상기 복수개의 발광구조물 상부 및 상기 절연층 상에 일체형으로 형성된 반사층을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체 발광소자, 반사층, 발광구조물, 절연층, 본딩패드, 전극지Abstract translation: 本发明涉及一种具有多个发光结构的，倒装芯片氮化物半导体发光器件，其中，通过当应用于倒装芯片结构上的光的上表面上一体地形成反射膜从所述多个发光结构之间的发光结构，防止漏光的 用于倒装芯片的氮化物半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR1020050061743A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030093091
申请日：2003-12-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382 , H01L24/45 , H01L2224/45 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/45099 , H01L2224/43 , H01L2924/01006
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 제1 영역과 상기 제1 영역을 둘러싼 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 순차적으로 형성된 활성층과 p형 질화물 반도체층으로 이루어진 발광구조물과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p측 전극과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 n측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, n측 전극형성에 따른 활성영역의 감소를 최소화하고, 순방향 전압특성을 개선함으로써 전체 발광효율을 크게 향상시킬 수 있다.
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