公开(公告)号：KR100614239B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020040034351

申请日：2004-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  김명석 ,  강종묵 ,  김익주

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.
연마 두께, 가변 타임 방식, 폐루프 제어, 세정

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法，该方法包括一个抛光步骤和清洁步骤。 抛光步骤包括中间研磨步骤的最后研磨步骤包括研磨所述废物通过可变时间的方式通过具有厚度的膜中的控制回路来设置被抛光，直到由终点检测方法制造的晶片曝光的下部。 此外，所述清洁步骤包括以下步骤：用去离子水洗涤该晶片，该方法包括：刷清洁晶片与化学液体含有氢氟酸，所述方法包括：刷清洁晶片与化学液体，包括氨，氨，过氧化氢，并与去离子水的混合化学溶液的晶片 步骤的清洁，以及包括使用所述马兰戈尼原理的干燥步骤。

公开(公告)号：KR100547940B1

公开(公告)日：2006-04-10

申请号：KR1019980039668

申请日：1998-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철규 ,  강종묵

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 화학 기계 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 기술을 적용한 반도체 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 연마장치는 소정 속도로 회전하는 연마정반 상에서 웨이퍼를 지지함과 아울러 일정 궤도를 따라 이동 가능하도록 설치된 하나 이상의 연마헤드; 및 상기 연마헤드의 상부에 배치되어 회전 및 승강하고, 그 저면부에 연마패드가 부착된 연마패드 구동부;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 연마정반 상에 설치된 연마패드의 상부에 회전 및 승강 구동하는 연마헤드부를 설치하고 이 연마헤드부의 저면에 웨이퍼를 흡착하여 회전 연마하던 기존의 씨엠피 시스템과는 달리, 연마정반 상에 웨이퍼를 적재 및 고정하기 위한 연마헤드를 설치하고 그 상부에 회전 및 승강 구동하는 연마패드부를 설치하여 웨이퍼 이송 및 적재시의 안정성을 도모함으로써 웨이퍼의 파손을 최소화할 수 있게 되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020020014058A

公开(公告)日：2002-02-25

申请号：KR1020000047120

申请日：2000-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강종묵

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: An apparatus for polishing a semiconductor device is provided to prevent a sensing error in sensing whether a wafer is absorbed to a membrane of a polishing head, by using a vacuum control unit to supply a vacuum state having a predetermined degree of vacuum to the polishing head. CONSTITUTION: The wafer is absorbed to a plurality of polishing heads in which the wafer is polished. A vacuum supply unit supplies a vacuum state to the plurality of polishing heads to make the wafer absorbed to the polishing heads. The vacuum control unit controls the degree of vacuum supplied to the plurality of polishing heads.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光半导体器件的装置，用于通过使用真空控制单元来提供具有预定真空度的真空状态来防止在检测晶片是否被吸收到抛光头的膜上的感测误差 抛光头。 构成：将晶片吸收到抛光晶片的多个抛光头。 真空供给单元向多个研磨头供给真空状态，使晶片吸收到研磨头。 真空控制单元控制提供给多个抛光头的真空度。

公开(公告)号：KR1020010036499A

公开(公告)日：2001-05-07

申请号：KR1019990043528

申请日：1999-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강종묵 ,  최선희

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) apparatus for a semiconductor wafer is provided to prevent erosion of a disc head, by preventing contaminant mixed with slurry and deionized water from penetrating the disc head of a pad conditioner in a cleaning process using deionized water of high pressure. CONSTITUTION: A pad conditioner disc head part(48) polishes a wafer settled on a pad, and moves to a clean cup(40) for an interval of time to clean contaminant on the pad after the polishing process and stands by. A cleaning unit sprays deionized water of high pressure to the wafer to clean the contaminant on the pad after the polishing process. A clean cup guide(50) prevents mixture liquid of the deionized water and the contaminant reflected from the pad from penetrating the pad conditioner disc head part standing by in the clean cup. A clean cup guide driving unit(46) transfers the clean cup guide to a position intercepting an inlet of the pad conditioner disc head part or transfers the clean cup guide from the position to another position.

Abstract translation: 目的：提供用于半导体晶片的化学机械抛光（CMP）装置，以防止盘头的侵蚀，通过防止在清洁过程中与浆料和去离子水混合的污染物渗透垫调节剂的盘头，使用去离子水 高压力。 构成：衬垫调节盘头部分（48）抛光沉积在衬垫上的晶片，并在抛光过程和待机之后移动到干净的杯（40）一段时间以清洁衬垫上的污染物。 清洁装置将抛光过程中的高压去离子水喷射到晶片上以清洁焊盘上的污染物。 清洁杯​​导向器（50）防止去离子水的混合液体和从衬垫反射的污染物渗透在清洁杯中的衬垫调节盘头部。 清洁杯​​引导器驱动单元（46）将清洁杯引导件传送到拦截垫调节器盘头部分的入口的位置，或将清洁杯引导件从该位置传送到另一位置。

公开(公告)号：KR1020050108915A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020040034351

申请日：2004-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조찬우 ,  부재필 ,  김명석 ,  강종묵 ,  김익주

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/013 ,  B24B37/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 연마 단계와 세정 단계를 포함한다. 연마 단계는 종말점 검출법에 의해 웨이퍼의 하부막이 노출될 때까지 연마가 이루어지는 중간 연마 단계와 폐루프 제어에 의한 가변 타임 방식에 의해 설정두께까지 연마가 이루어지는 최종 연마 단계를 포함한다. 또한, 세정 단계는 탈이온수로 웨이퍼를 세척하는 단계, 불산을 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아를 포함한 약액으로 웨이퍼를 브러시 세정하는 단계, 암모니아, 과산화수소, 그리고 탈이온수의 혼합 약액으로 웨이퍼를 세정하는 단계, 그리고 마란고니 원리를 이용한 건조 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020030004491A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：KR1020010039992

申请日：2001-07-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강종묵 ,  최병기

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A polishing pad conditioner having a sensor is provided to prevent a polishing error of a wafer by stopping execution of a surface conditioning process of a polishing pad in a non-contacting state between a pad conditioning head and a polishing pad. CONSTITUTION: A diaphragm is formed at an upper portion of a pad conditioning head(20). The pad conditioning head(20) is shifted to an upper direction or a lower direction when an automatic control portion(140) supplies air or vacuum to the diaphragm. The pad conditioning head(20) is contacted with a surface of the polishing pad(60) when the pad conditioning head(20) is shifted to the lower direction. A sensor(100) is installed at a floor(120) on which a pad surface conditioning device(200) is adhered. The sensor(100) is used for detecting a rising state or a falling state of the pad conditioning head(20).

Abstract translation: 目的：提供一种具有传感器的抛光垫调节器，通过停止在衬垫调节头和抛光垫之间的非接触状态下执行抛光垫的表面调节处理来防止晶片的抛光误差。 构成：在衬垫调节头（20）的上部形成隔膜。 当自动控制部分（140）向隔膜供应空气或真空时，衬垫调节头（20）向上方向或下方移动。 当衬垫调节头（20）向下方移动时，衬垫调节头（20）与抛光垫（60）的表面接触。 传感器（100）安装在其上粘附有垫表面调节装置（200）的地板（120）上。 传感器（100）用于检测焊盘调节头（20）的上升状态或下降状态。