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公开(公告)号：KR1020060119063A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041607
申请日：2005-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/355 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N5/3559 , H04N5/3597 , H04N5/3745 , H04N5/37457
Abstract: A unit pixel of a CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor, a pixel array and a CMOS image sensor including the unit pixel and the pixel array are provided to improve the dynamic range of a floating diffusion node of a transfer transistor and transfer efficiency of photogenerated charges by inserting a boosting capacitor between the gate and floating diffusion node of the transfer transistor. A unit pixel of a CMOS image sensor includes a photo-electric converter(210), a transfer transistor(220), a boosting capacitor(250), and a signal transfer circuit(240). The photo-electric converter generates charges in response to incident light. The transfer transistor transfers charges accumulated in the photo-electric converter to a floating diffusion node in response to a transfer control signal. The boosting capacitor is inserted between the gate and the floating diffusion node of the transfer transistor. The signal transfer circuit transfers the voltage of the floating diffusion node in response to a select signal.
Abstract translation: 提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器，像素阵列和包括单位像素和像素阵列的CMOS图像传感器的单位像素，以改善传输晶体管的浮动扩散节点的动态范围和传输效率 通过在转移晶体管的栅极和浮动扩散节点之间插入升压电容器来产生光生电荷。 CMOS图像传感器的单位像素包括光电转换器（210），传输晶体管（220），升压电容器（250）和信号传输电路（240）。 光电转换器响应于入射光而产生电荷。 转移晶体管响应于转移控制信号将累积在光电转换器中的电荷转移到浮动扩散节点。 升压电容器插入在转移晶体管的栅极和浮动扩散节点之间。 信号传送电路响应于选择信号传输浮动扩散节点的电压。
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公开(公告)号：KR101896666B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020120073439
申请日：2012-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/2226 , H04N5/2258 , H04N5/23245 , H04N5/3696 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 깊이센서픽셀과대상의동작을감지할수 있는모션센서픽셀을포함하는이미지센서칩의동작방법은모드선택신호에따라, 상기깊이센서픽셀과상기모션센서픽셀중에서어느하나를활성화시키는단계, 및활성화된어느하나로부터출력된픽셀신호를처리하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101848771B1
公开(公告)日：2018-05-28
申请号：KR1020120012930
申请日：2012-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N13/271 , G01S7/4863 , H01L27/14656 , H04N5/37452
Abstract: 3차원이미지센서및 3차원이미지센서를포함한휴대용장치가개시된다. 본발명의실시예들에따른 3차원이미지센서는광전하를생성하는광 검출부, 플로팅확산영역, 전송게이팅신호가인가되면, 상기생성된광전하를플로팅확산영역으로전송하는트랜스퍼트랜지스터,제1 단자와상기플로팅확산영역사이에연결되어상기광전하들을상기제1 단자로전송하는리셋트랜지스터; 및드라이브게이팅신호가인가되면, 상기광 검출부으로부터기설정된단위시간외에서발생하는잉여광전하를제2 단자로방출하는오버플로우트랜지스터를포함하는복수의깊이픽셀들이배열된픽셀어레이및 상기픽셀어레이로부터센싱된깊이정보를리드아웃하기위한리드아웃회로를포함한다. 상기리드아웃회로는제1 플로팅확산영역으로의상기광전하전송구간과제2 플로팅디퓨전영역으로의상기광전하전송구간이오버랩되지않는경우상기트랜스퍼트랜지스터에상기전송게이팅신호를각각인가하고, 상기광전하전송구간이오버랩되는경우상기오버플로우트랜지스터에상기드라이브게이팅신호를인가하는로직부를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150000250A
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020130072469
申请日：2013-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/357
CPC classification number: H04N3/155 , G01S17/89 , H04N5/3745 , H04N5/37452
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 단위 픽셀은 단위 광신호에 응답하여, 광 노드에 전기 신호를 생성하기 위한 포토 다이오드, 상기 광 노드로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 수신된 전기 신호에 응답하여, 외부 단자로 제 1 및 제 2 프레임 신호들을 출력하는 출력부, 상기 광 노드 및 전원 단자 사이에 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 프레임 신호들이 상기 외부 단자로 출력될 때, 상기 광 노드에 생성된 상기 전기 신호를 상기 전원 단자로 방전시키는 방전부를 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，本发明涉及一种单位像素和一种包括该像素的图像传感器，包括：光电二极管，其响应于单位光信号而向光节点产生电信号; 输出单元，其从所述光学节点接收电信号，并响应于所接收的电信号输出第一和第二帧信号; 以及放电单元，当第一和第二帧信号被输出到外部端子时，连接到光节点和电源端子电并且将向光节点产生的电信号放电到电源端子。 本发明通过使用全局快门方法来减少单位像素的耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100818724B1
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：KR1020060067198
申请日：2006-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: CMOS 이미지 센서 회로가 개시된다.상기 CMOS 이미지 센서는 2개의 단위 픽셀들로 이루어진 다수의 단위 블록들을 구비한다. 상기 단위 픽셀들은 플로팅 디퓨전, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터, 및 셀렉션 트랜지스터를 공유한다. 상기 단위 픽셀들 각각은 육각형 구조의 포토 다이오드, 상기 포토 다이오드로부터 발생되는 광전하의 상기 플로팅 디퓨전으로의 전송을 제어하는 트랜스퍼 트랜지스터, 및 상기 포토 다이오드로 입사되는 빛을 필터링하기 위한 컬러 필터를 더 구비한다. 상기 단위 픽셀들 각각의 필터는 동일한 색을 필터링하는 컬러 필터이다. 상기 CMOS 이미지 센서 회로는 디지털 카메라, 모바일 기기, 컴퓨터용 카메라 등에 구비될 수 있다.
육각형 포토 다이오드, 허니콤, 공유 플로팅 디퓨전-
公开(公告)号：KR1020080007937A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：KR1020060067198
申请日：2006-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor and an image sensing method using the same are provided to improve resolution by improving a degree of integration through floating diffusion for sharing a circuit between unit pixels, support a pixel summation mode, and implement overflow drain which is generated at high illumination. A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor include plural unit blocks configured with two unit pixels. Each of the unit blocks comprises the followings. Two photo diodes(130,140) have a hexagon structure. The two unit pixels share floating diffusion(135). First and second transfer transistors(131,141) are installed between the photo diodes and the floating diffusion. A reset transistor(134) is connected with the floating diffusion. A drive transistor is connected with the floating diffusion and a gate. A selection transistor is serially connected with the drive transistor.
Abstract translation: 提供CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器和使用其的图像感测方法，以通过提高通过浮动扩散的积分程度来提高分辨率，以在单元像素之间共享电路，支持像素求和模式并实现溢出漏极 其在高照度下产生。 CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器包括配置有两个单位像素的多个单位块。 每个单元块包括以下内容。 两个光电二极管（130,140）具有六边形结构。 两个单位像素共享浮动扩散（135）。 第一和第二转移晶体管（131,141）安装在光电二极管和浮动扩散之间。 复位晶体管（134）与浮动扩散连接。 驱动晶体管与浮动扩散和栅极连接。 选择晶体管与驱动晶体管串联连接。
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公开(公告)号：KR100660865B1
公开(公告)日：2006-12-26
申请号：KR1020050048823
申请日：2005-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3741
Abstract: 이미지 센서에서 공유된 배선/트랜지스터를 가지는 픽셀 회로 및 구동 방법이 개시된다. 상기 이미지 센서에서는, 롤링 셔터 동작을 위하여, 이웃 픽셀의 리셋 트랜지스터와 같은 콘택을 통하여 공급되는 공유된 제1 신호가 리셋 트랜지스터를 통하여 FD 노드로 전달되고, 다른 이웃 픽셀의 소스-폴로워 트랜지스터와 같은 콘택을 통하여 공급되는 공유된 제2 신호가 소스-폴로워 트랜지스터에 공급되어 상기 FD 노드에 전달된 신호에 기반한 리셋신호 및 영상신호가 출력된다. 글로벌 셔터 동작을 위해서는, 이웃 픽셀과 공유되고 오버-플로우 제어 신호에 따라 동작하는 오버-플로우 게이트 트랜지스터에 의하여 두 픽셀들에서 동시에 해당 광소자들의 출력과 상기 공유된 제1 신호가 연결된다.
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公开(公告)号：KR100640605B1
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020040103635
申请日：2004-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/341 , H01L27/148
Abstract: 신호 전하를 전압으로 변환시키는 신호 컨버터는, 신호 전하를 받는 제1 스테이지의 제1 드라이버 트랜지스터를 포함한다. 후속 드라이버 트랜지스터는 제1 드라이버 트랜지스터의 출력에 연결되고, 그 후속 드라이버의 게이트 절연막은 줄어든 두께를 갖는다. 후속 드라이버 트랜지스터는 제2 스테이지를 구성하거나 또는 제3 스테이지를 구성한다. 후속 드라이버 트랜지스터의 게이트 절연막 두께의 감소는 전하 전달 효율의 감소 없이 전압 이득(AV
total )을 증가시켜서 신호 컨버터의 전체 감도(sensitivity)를 증가시킨다.-
公开(公告)号：KR1020030013624A
公开(公告)日：2003-02-15
申请号：KR1020010047728
申请日：2001-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a notched gate electrode and fabrication method thereof are provided to prevent punch through and reduce sheet resistance at the source and drain region and overlap capacitance at the edge of a gate electrode. CONSTITUTION: A sacrificial insulating layer with an opening and a spacer are formed on a semiconductor substrate(10). A gate oxide layer with a notch in the lower part is formed by a damascene method. A silicon nitride and oxide layer is eliminated and a sacrificial spacer is removed, when a portion of the substrate is exposed. As a halo ion is injected into the exposed part, a halo ion region(42) is formed. A spacer(52) is formed around the sidewall of the gate electrode. A source and drain region(62) with low doping density is formed by the first ion implantation. Metal silicide layer(70) is formed on the whole surface and the second spacer is formed outside the first one. A source and drain region(92) with high doping density is formed by the second ion implantation(90).
Abstract translation: 目的：提供一种具有缺口栅电极的半导体器件及其制造方法，以防止穿通并降低源极和漏极区域处的薄层电阻并且在栅电极的边缘处重叠电容。 构成：在半导体衬底（10）上形成具有开口和间隔物的牺牲绝缘层。 通过镶嵌法形成下部具有凹口的栅氧化层。 当衬底的一部分被暴露时，消除氮化硅和氧化物层并去除牺牲隔离物。 当将卤素离子注入暴露部分时，形成晕圈离子区域（42）。 在栅电极的侧壁周围形成间隔物（52）。 通过第一离子注入形成具有低掺杂密度的源区和漏区（62）。 金属硅化物层（70）形成在整个表面上，第二间隔物形成在第一间隔物的外面。 通过第二离子注入（90）形成具有高掺杂密度的源区和漏区（92）。
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