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公开(公告)号：KR1020170062301A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150167947
申请日：2015-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은무선침입방지시스템(wireless intrusion prevention system) 내전자장치의접속차단방법에관한것으로, 제 1 통신모듈을통해, 복수의채널에서순차적으로무선프레임을모니터링하는단계; 상기모니터링결과수신된적어도하나의무선프레임에기반하여제 1 차단메시지를생성하고, 상기적어도하나의무선프레임중 소정무선네트워크기술이적용된제 1 무선프레임에기반하여제 2 차단메시지를생성하는단계; 및제 2 통신모듈을통해, 상기제 1 또는제 2 차단메시지중 적어도하나를전송하는단계를포함한다. 다만, 상기실시예에한정되지않으며다른실시예가가능하다.
Abstract translation: 本发明包括在多个信道的监测无线电帧中序列的步骤，即，通过第一通信模块的方法用于阻止在所述电子装置中的无线入侵防御系统（无线入侵防御系统）连接; 其中，所述监测结果产生基于所接收的至少一个无线帧上的第一阻挡消息，并且生成所述第一无线帧，其特征在于，施加所述无线电帧的至少一个预定无线电网络技术的基础上的第二中断消息; 并且通过第二通信模块发送第一阻塞消息和第二阻塞消息中的至少一个。 然而，本发明不限于上述实施例，并且其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：KR1020170014870A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108864
申请日：2015-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/28525 , H01L21/28568 , H01L23/485 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L29/45
Abstract: 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.
Abstract translation: 多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。 第二材料层连接到第一材料层。 第二材料层与第一材料层间隔开。 扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。 扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。 第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。 多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。
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公开(公告)号：KR1020170011796A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150105075
申请日：2015-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/02118 , H01L21/02274
Abstract: 2차원물질하드마스크와그 제조방법및 2차원물질하드마스크를이용한물질층패턴형성방법에관해개시되어있다. 개시된 2차원물질하드마스크는수소(H)와산소(O)를포함하고, 층상의결정구조를갖는 2차원물질층을포함한다. 상기 2차원물질층은탄소구조체(예, 그래핀시트)를포함하는물질층일수 있다. 상기 2차원물질층은비탄소구조체를포함하는물질층일수 있다.
Abstract translation: 2D材料硬掩模包括氢，氧和具有层状晶体结构的2D材料层。 2D材料层可以是包括碳结构（例如，石墨烯片）和非碳结构之一的材料层。
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公开(公告)号：KR1020160141589A
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150077490
申请日：2015-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/53271 , H01L27/101 , H01L27/228
Abstract: 배선구조및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된배선구조는, 두전도성물질층과, 그사이의계면에이차원층상물질층을구비하는구조를가진다.
Abstract translation: 布线结构可以包括在至少两个导电材料层之间的界面中的至少两个导电材料层和二维层状材料层。 二维层状材料层可以包括使二维层状材料层上的导电性材料层的粒径增大的晶粒扩展层。 增加的晶粒尺寸可能导致第二导电材料层的电阻降低。 结果，可以减小布线结构的总电阻。 二维层状材料层可有助于减小布线结构的总厚度。 因此，可以实现不增加其厚度的低电阻和高性能布线结构。
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公开(公告)号：KR1020160137298A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150110233
申请日：2015-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L21/285
Abstract: 금속과반도체사이에이차원결정구조를갖는이차원물질층을개재함으로써접촉저항을줄인반도체소자가개시된다. 개시된반도체소자는반도체층, 상기반도체층에전기적으로접촉하는금속층, 및상기반도체층과금속층사이에배치된것으로이차원결정구조를갖는이차원물질층을포함할수 있다. 이차원물질층은터널링전류를통해금속과반도체사이의전류흐름을원활하게함으로써반도체층과금속층사이의접촉저항을저감시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking16.发明公开
公开(公告)号：KR1020160125919A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020160049391
申请日：2016-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C01B19/04 , C01B17/00 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/306 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/0262
Abstract: 하기화학식 1로표시되는전이금속전구체및 화학식 1d로표시되는전이금속전구체중에서선택된하나이상; 및하기화학식 2로표시되는칼코겐전구체를포함하는층상전이금속칼코겐화합물(layered transition metal chalcogenide)막형성용조성물및 및이를이용한층상전이금속칼코겐화합물막의제조방법이제시된다. [화학식 1] M(R)(H)(R)상기화학식 1 중, M, R및 R는, a, b 및 c는상세한설명에서기재된바와같고, [화학식 1d] M(R)화학식 1d 중, M, R, d는상세한설명에서기재된바와같고, [화학식 2] M’X상기화학식 2 중, M’, X는상세한설명에서기재된바와같다.
Abstract translation: 提供一种用于形成层状过渡金属硫属化物化合物层的组合物和通过使用该组合物形成层状过渡金属硫属化物化合物层的方法。 组合物包括由式1表示的过渡金属前体和由式2表示的硫族化物前体。€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒM a（R 1）6-bc（H）b（R 2）c其中，在式1中，M，R 1，R 2，a，b和c与详细描述中的定义相同， €ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒM'k X 2其中，在公式2中，M'和X与详细说明中定义的相同 描述。
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公开(公告)号：KR1020160125171A
公开(公告)日：2016-10-31
申请号：KR1020150056002
申请日：2015-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01M4/663 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/5815 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2220/30
Abstract: 전극재료와이를포함하는이차전지및 이들의제조방법에관해개시되어있다. 개시된전극재료는복수의기공을갖는폼 구조체(foam structure) 및상기복수의기공내에구비된복수의나노구조체를포함할수 있다. 상기폼 구조체(foam structure)는그래핀폼 구조체(graphene foam structure)를포함할수 있다. 상기복수의나노구조체는나노파티클(nanoparticle) 및나노로드(nanorod) 중적어도하나를포함할수 있다. 상기복수의나노구조체는이온의수용/방출이가능한물질을포함할수 있다. 상기전극재료는이차전지의음극재료로적용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160004831A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083905
申请日：2014-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G83/001 , C08K3/30 , C08K3/38 , C08K2003/3009 , C08K2003/385 , G03F7/094 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/47 , H01L21/47573
Abstract: i)방향족고리함유모노머및 방향족고리함유모노머를포함하는반복단위를함유하는고분자중에서선택된하나의제1물질, ii)육방정계질화붕소, 칼코게나이드계물질, 0.01 내지 40원자%의산소를함유하는이차원탄소나노구조물및 그전구체로이루어진군으로부터선택된하나이상의제2물질; 및 iii) 용매를포함하는하드마스크조성물및 이를이용한패턴의형성방법이제시된다.
Abstract translation: 公开了一种硬掩模组合物，其包含：（i）选自包含芳族环的单体的聚合物和包含芳族环的单体的重复单元的第一材料; （ii）一种或多种选自包括二维碳纳米结构及其前体的第二材料，其中所述二维碳纳米结构还包含六方氮化硼，硫族化物基材料和0.01-40原子％的 氧; 和（iii）溶剂。 此外，公开了使用硬掩模组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：KR101562201B1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020080096717
申请日：2008-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G03F7/038 , G03F7/0385
Abstract: 본발명은잉크젯프린터헤드및 그의제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는노즐이막히는현상을억제할수 있으며, 잉크의토출시퍼짐현상을억제할수 있는잉크젯프린터헤드및 그의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101522552B1
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：KR1020080108471
申请日：2008-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1623 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , Y10T29/49401
Abstract: 잉크젯프린트헤드및 그제조방법이개시된다. 개시된잉크젯프린트헤드는, 기판과챔버층사이에접착층(glud layer)가형성되며, 이접착층에는노광공정시감광성수지의가교결합을억제하는가교결합억제제(crosslink inhibitor)가포함된다.
Abstract translation: 公开了一种喷墨打印头及其制造方法。 在公开的喷墨打印头中，在基板和腔室层之间形成胶合层，并且粘合剂层包括交联抑制剂，其在曝光工艺期间抑制光敏树脂的交联。
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