公开(公告)号：KR1020160118782A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020150047492

申请日：2015-04-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  김상원 ,  설민수 ,  박성준 ,  조연주

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/36

Abstract: 5 내지 100nm의사이즈를갖는그래핀나노파티클및 용매를포함하는하드마스크조성물및 이를이용한미세패턴의형성방법을개시한다.

公开(公告)号：KR1020170014870A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150108864

申请日：2015-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송현재 ,  남승걸 ,  박성준 ,  신건욱 ,  신현진 ,  이재호 ,  이창석 ,  조연주

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L29/45

Abstract: 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.

Abstract translation: 多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。 第二材料层连接到第一材料层。 第二材料层与第一材料层间隔开。 扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。 扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。 第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。 多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。

公开(公告)号：KR1020160141589A

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020150077490

申请日：2015-06-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창석 ,  신건욱 ,  신현진 ,  박성준 ,  송현재 ,  이향숙 ,  조연주

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/101 ,  H01L27/228

Abstract: 배선구조및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된배선구조는, 두전도성물질층과, 그사이의계면에이차원층상물질층을구비하는구조를가진다.

Abstract translation: 布线结构可以包括在至少两个导电材料层之间的界面中的至少两个导电材料层和二维层状材料层。 二维层状材料层可以包括使二维层状材料层上的导电性材料层的粒径增大的晶粒扩展层。 增加的晶粒尺寸可能导致第二导电材料层的电阻降低。 结果，可以减小布线结构的总电阻。 二维层状材料层可有助于减小布线结构的总厚度。 因此，可以实现不增加其厚度的低电阻和高性能布线结构。

公开(公告)号：KR1020160114446A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：KR1020150040963

申请日：2015-03-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 설민수 ,  김상원 ,  신현진 ,  박성준 ,  조연주

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094

Abstract: 하드마스크조성물및 이를이용한패턴형성방법이제공된다. 상기하드마스크조성물은 B 및/또는 N이도핑된복수의그래핀나노시트와용매를포함한다. 상기그래핀나노시트는대략 5~1000nm 사이즈를가질수 있다. 상기조성물은방향족고리함유물질을더 포함할수 있다.

Abstract translation: 硬掩模组合物包括掺杂有硼（B）和/或氮（N）和溶剂的多个石墨烯纳米片。 石墨烯纳米片的尺寸可以在约5nm至约1000nm的范围内。 硬掩模组合物可以包括含芳环的材料。

公开(公告)号：KR1020160100711A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020150023540

申请日：2015-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송현재 ,  남승걸 ,  조연주 ,  박성준 ,  신현진 ,  이재호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L49/02 ,  H01L29/16 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/28247 ,  C01B32/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L28/57 ,  H01L29/1606

Abstract: 그래핀성장분석법에관해개시되어있다. 개시된방법은기판상에 2D 물질을형성한다음, 결함을탐지하기위한물질(결함을표시하기위한물질)을 2D 물질의결함상에증착시키고, 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지를획득하거나상기탐지물질의맵 좌표를획득하고, 획득한이미지나맵 좌표를처리한다. 이러한방법에서상기탐지물질은원자층증착이나화학기상증착을이용하여상기 2D 물질결함상에증착시킬수 있다. 상기탐지물질은유기물질또는무기물질일수 있다. 상기유기물질과상기무기물질은금속, 반도체또는유전체일수 있다. 상기유전체는산화물일수 있다. 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지는 TEM, SEM, CD-SEM 또는 OM으로촬영하여획득할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于分析石墨烯生长的方法。 该方法包括：在衬底上形成2D材料; 在2D材料的缺陷上沉积用于检测作为用于指示缺陷的材料的缺陷的材料的材料; 获得沉积有缺陷检测材料的2D材料的图像，或者获得用于检测缺陷的材料的地图坐标; 并处理所获得的图像或地图坐标。 在这种方法中，通过使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD），用于检测缺陷的材料可以沉积在2D材料的缺陷上。 用于检测缺陷的材料可以是无机或有机材料。 无机或有机材料可以是金属，半导体或电介质。 电介质可以是氧化物。 可以使用TEM，SEM，CD-SEM或OM获得其上沉积有缺陷的材料的2D材料的图像。