公开(公告)号：KR1020170014870A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020150108864

申请日：2015-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송현재 ,  남승걸 ,  박성준 ,  신건욱 ,  신현진 ,  이재호 ,  이창석 ,  조연주

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L29/45

Abstract: 확산방지층, 확산방지층을포함하는다층구조체및 이를구비하는소자에관해개시되어있다. 개시된다층구조체는제1 물질층과제2 물질층사이에이차원물질(2D material)을포함하는확산방지층을구비할수 있다. 상기이차원물질은비그래핀계열(non-graphene-based)의물질일수 있다. 예컨대, 상기이차원물질은이차원결정구조를갖는금속칼코게나이드계(metal chalcogenide-based) 물질일수 있다. 상기제1 물질층은반도체또는절연체일수 있고, 상기제2 물질층은도전체일수 있다. 상기다층구조체의적어도일부는전자소자용연결배선(interconnection)을구성할수 있다.

Abstract translation: 多层结构包括第一材料层（L10），第二材料层（L20）和扩散阻挡层（B10）。 第二材料层连接到第一材料层。 第二材料层与第一材料层间隔开。 扩散阻挡层在第一材料层和第二材料层之间。 扩散阻挡层可以包括二维（2D）材料。 2D材料可以是非石墨烯材料，例如具有2D晶体结构的金属硫族化物基材料。 第一材料层可以是半导体或绝缘体，第二材料层可以是导体。 多层结构的至少一部分可以构成电子设备的互连。

公开(公告)号：KR1020160137298A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：KR1020150110233

申请日：2015-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이민현 ,  김해룡 ,  신현진 ,  남승걸 ,  박성준

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06 ,  H01L21/285

Abstract: 금속과반도체사이에이차원결정구조를갖는이차원물질층을개재함으로써접촉저항을줄인반도체소자가개시된다. 개시된반도체소자는반도체층, 상기반도체층에전기적으로접촉하는금속층, 및상기반도체층과금속층사이에배치된것으로이차원결정구조를갖는이차원물질층을포함할수 있다. 이차원물질층은터널링전류를통해금속과반도체사이의전류흐름을원활하게함으로써반도체층과금속층사이의접촉저항을저감시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020160100711A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020150023540

申请日：2015-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송현재 ,  남승걸 ,  조연주 ,  박성준 ,  신현진 ,  이재호

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L49/02 ,  H01L29/16 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/28247 ,  C01B32/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L28/57 ,  H01L29/1606

Abstract: 그래핀성장분석법에관해개시되어있다. 개시된방법은기판상에 2D 물질을형성한다음, 결함을탐지하기위한물질(결함을표시하기위한물질)을 2D 물질의결함상에증착시키고, 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지를획득하거나상기탐지물질의맵 좌표를획득하고, 획득한이미지나맵 좌표를처리한다. 이러한방법에서상기탐지물질은원자층증착이나화학기상증착을이용하여상기 2D 물질결함상에증착시킬수 있다. 상기탐지물질은유기물질또는무기물질일수 있다. 상기유기물질과상기무기물질은금속, 반도체또는유전체일수 있다. 상기유전체는산화물일수 있다. 상기탐지물질이증착된 2D 물질의이미지는 TEM, SEM, CD-SEM 또는 OM으로촬영하여획득할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于分析石墨烯生长的方法。 该方法包括：在衬底上形成2D材料; 在2D材料的缺陷上沉积用于检测作为用于指示缺陷的材料的缺陷的材料的材料; 获得沉积有缺陷检测材料的2D材料的图像，或者获得用于检测缺陷的材料的地图坐标; 并处理所获得的图像或地图坐标。 在这种方法中，通过使用原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD），用于检测缺陷的材料可以沉积在2D材料的缺陷上。 用于检测缺陷的材料可以是无机或有机材料。 无机或有机材料可以是金属，半导体或电介质。 电介质可以是氧化物。 可以使用TEM，SEM，CD-SEM或OM获得其上沉积有缺陷的材料的2D材料的图像。

公开(公告)号：KR1020160065676A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：KR1020140169977

申请日：2014-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상원 ,  남승걸 ,  신현진 ,  김해룡 ,  박성준

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L2224/141 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L23/36 ,  Y02P70/613

Abstract: 열전도필름을가진반도체패키지가개시된다. 개시된반도체패키지는기판상의반도체칩과, 상기기판과마주보게상기반도체칩의하면에접촉되게부착된열전도필름과, 상기기판상에서상기반도체칩의측면을둘러싸는몰딩재를포함한다. 상기열전도필름에는복수의제1홀이형성되며, 상기제1홀에는상기반도체칩과상기기판의상면에접촉하는칩 범프가배치될수 있다.

Abstract translation: 公开了具有导热膜的半导体封装。 半导体封装包括：衬底上的半导体芯片; 所述导热膜附接到所述半导体芯片的下表面并与所述半导体芯片的下表面接触以面对所述衬底; 以及构造成围绕所述基板上的所述半导体芯片的一侧的成型材料。 多个第一孔形成在导热膜中。 芯片凸块可以布置在第一孔中，其中芯片凸块接触半导体芯片和衬底的上表面。 因此，半导体封装可以减少由于热劣化而造成的损坏。