公开(公告)号：KR1020170037444A

公开(公告)日：2017-04-04

申请号：KR1020150137086

申请日：2015-09-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신건욱 ,  신현진 ,  김창현 ,  이창석 ,  박성준 ,  송현재

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L23/53276 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5283

Abstract: 연결구조체및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된연결구조체는, 비금속성물질층과, 금속층과, 비금속성물질층및 금속층을연결하도록비금속성물질층과금속층사이에형성되는그래핀층을포함한다. 비금속성물질층및 금속층중 어느하나와그래핀층사이에는계면결합을형성하며금속물질을포함하는제1접합층이삽입된다.

Abstract translation: 公开了一种连接结构和使用该连接结构的电子设备。 所公开的连接结构包括非金属材料层，金属层以及形成在非金属材料层和金属层之间以连接非金属材料层和金属层的石墨烯层。 包括金属材料的第一结合层插入在石墨烯层和非金属材料层之间以及石墨烯层和非金属材料层之间。

公开(公告)号：KR1020150056372A

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：KR1020130139321

申请日：2013-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재호 ,  변경은 ,  송현재 ,  신현진 ,  이민현 ,  유인경 ,  박성준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66015

Abstract: 분리된정션컨택을갖는그래핀소자및 그제조방법이개시된다. 개시된실시예에따른그래핀소자는그래핀을채널로서사용하는전계효과트랜지스터로서, 소스전극및 드레인전극이그래핀채널과직접접촉하지않고, 반도체를도핑하여형성된정션컨택이그래핀채널과소스전극사이및 그래핀채널과드레인전극사이에각각분리되어배치되어있다. 따라서, 게이트전극에전압이인가되지않은오프시에는그래핀채널과정션컨택사이의장벽으로인해캐리어가이동할수 없다. 그결과, 개시된실시예에따른그래핀소자는낮은오프시전류를가질수 있다.

Abstract translation: 公开了一种石墨烯装置，其包括分离的接合点及其制造方法。 根据本发明的实施例公开的石墨烯装置是使用石墨烯作为通道的场效应晶体管。 源电极和漏电极不与石墨烯通道直接接触。 通过掺杂半导体形成的结接点分别布置在石墨烯通道和源电极之间以及石墨烯通道和漏电极之间。 因此，在没有向栅电极施加电压的断开状态下，载体不被石墨烯通道和结接点之间的阻挡层移动。 结果，根据本发明的实施例的所公开的石墨烯装置具有处于低关闭状态的电流。

公开(公告)号：KR102059131B1

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：KR1020130037664

申请日：2013-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종 ,  서형석 ,  박성준 ,  변경은 ,  송현재 ,  양희준 ,  허진성

IPC: H01L29/16 ,  C01B32/182

公开(公告)号：KR102059129B1

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：KR1020120132603

申请日：2012-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동욱 ,  신현진 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  우윤성 ,  이재호 ,  정현종 ,  허진성

IPC: C01B31/02 ,  H01B13/00

公开(公告)号：KR101920724B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020120143825

申请日：2012-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변경은 ,  박성준 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618

Abstract: 전자소자가개시된다. 개시된전자소자는, 반도체층과, 반도체층의소정영역에직접적으로컨택되는그래핀과, 그래핀상에형성되는금속층을포함하며, 반도체층은전체적으로도핑농도가일정하거나, 소정영역이 10cm이하의도핑농도를가지도록마련된다.

公开(公告)号：KR101910976B1

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：KR1020120077368

申请日：2012-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이재호 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  신형철 ,  이재홍 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938

Abstract: 본개시는그래핀채널층을포함하는고성능전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면기판과, 상기기판상에마련되며슬릿을구비하고있는그래핀채널층과, 상기그래핀채널층에전압을인가하기위해마련되며서로이격되어형성되는소스전극과드레인전극과, 상기그래핀채널층에전계를형성하기위해마련되는게이트전극및 상기그래핀채널층과상기게이트전극사이에마련되는게이트절연층을포함하는전계효과트랜지스터를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR101813186B1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：KR1020160162297

申请日：2016-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  송현재 ,  박성준 ,  신건욱 ,  이창석

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/033 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/62 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70883

Abstract: 포토마스크용펠리클과이를포함하는레티클및 리소그래피용노광장치에관해개시되어있다. 개시된포토마스크용펠리클은펠리클멤브레인을포함할수 있고, 상기펠리클멤브레인은나노결정질그래핀(nanocrystalline graphene)을포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀은결함을가질수 있다. 상기나노결정질그래핀은나노스케일의복수의결정립을포함할수 있고, 상기복수의결정립은방향족고리구조를갖는이차원탄소구조체를포함할수 있다. 상기나노결정질그래핀의결함은 sp3 탄소원자, 산소원자, 질소원자및 탄소공공중 적어도하나를포함할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于光掩模的防护薄膜组件，包括该防护薄膜组件的光罩以及用于光刻的曝光设备。 所公开的用于光掩模的薄膜可以包括薄膜，并且薄膜可以包括纳米晶体石墨烯。 纳米晶体石墨烯可能有缺陷。 纳米晶体石墨烯可以包括多个纳米尺度的晶粒，并且所述多个晶粒可以包括具有芳香环结构的尺寸碳结构。 纳米晶体石墨烯的缺陷可以包括sp 3碳原子，氧原子，氮原子和碳空位中的至少一个。

公开(公告)号：KR1020140102990A

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020130016595

申请日：2013-02-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재호 ,  정현종 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  허진성

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: Disclosed are a graphene memory using a graphene layer as a charge-trap layer and a method of operating the same. The graphene memory includes a source and a drain spaced apart from each other on a conductive semiconductor substrate; a graphene layer which comes into contact with the conductive semiconductor substrate and is spaced apart from the source and the drain on the substrate between the source and the drain; and a gate electrode formed on the graphene layer. A Schottky barrier is formed between the conductive semiconductor substrate and the graphene layer such that the graphene layer stores charges.

Abstract translation: 公开了使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器及其操作方法。 石墨烯存储器包括在导电半导体衬底上彼此间隔开的源极和漏极; 石墨烯层，其与导电半导体衬底接触并且与源极和漏极之间的衬底上的源极和漏极间隔开; 以及形成在石墨烯层上的栅电极。 在导电半导体衬底和石墨烯层之间形成肖特基势垒，使得石墨烯层存储电荷。

公开(公告)号：KR1020140075460A

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：KR1020120143825

申请日：2012-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 변경은 ,  박성준 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종 ,  허진성

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  B82Y99/00

Abstract: An electronic device is disclosed. The disclosed electronic device includes a semiconductor layer, graphene which is directly in contact with the preset region of the semiconductor layer, and a metal layer which is formed on the graphene. The semiconductor layer has a totally uniform doping concentration or has a preset region of a doping concentration of 10^19 cm^-3 or less.

Abstract translation: 公开了一种电子设备。 所公开的电子器件包括半导体层，直接与半导体层的预设区域接触的石墨烯和形成在石墨烯上的金属层。 半导体层具有完全均匀的掺杂浓度或者具有10 ^ 19cm -3 -3或更小的掺杂浓度的预设区域。

公开(公告)号：KR1020140045841A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：KR1020120112087

申请日：2012-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  이재호 ,  정현종

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7376

Abstract: Disclosed is a tunneling field effect transistor including a graphene channel. The disclosed tunneling field effect transistor comprises a first electrode on a substrate, a semiconductor layer on the first electrode, a graphene channel which is extended in a first region which is separated from the first electrode on the semiconductor layer, a second electrode on the graphene channel disposed on the first region, a gate insulating layer which covers the graphene channel, and a gate electrode on the gate insulating layer. The first electrode and the graphene channel face the semiconductor layer in the second region.

Abstract translation: 公开了包括石墨烯通道的隧道场效应晶体管。 所公开的隧道场效应晶体管包括衬底上的第一电极，第一电极上的半导体层，在与半导体层上的第一电极分离的第一区域中延伸的石墨烯通道，石墨烯上的第二电极 设置在第一区域上的通道，覆盖石墨烯通道的栅极绝缘层和栅极绝缘层上的栅电极。 第一电极和石墨烯通道面向第二区域中的半导体层。