Abstract:
인지 무선 통신 장치 및 인지 무선 통신 방법이 개시된다. 인지 무선 통신 방법은 프라이머리 시스템의 프라이머리 사용자 및 세컨더리 시스템의 세컨더리 송신기로부터 복수의 안테나들을 통하여 신호들을 수신하는 단계-상기 수신된 신호들은 상기 세컨더리 송신기의 적어도 하나의 알려진 신호(known signal)와 관련된 성분을 포함함.-, 상기 수신된 신호들 및 상기 세컨더리 송신기의 적어도 하나의 알려진 신호(known signal)와 관련된 성분을 기초로 생성된 상관 행렬을 이용하여 상기 수신된 신호들 중 상기 프라이머리 사용자의 신호가 존재하는지 여부를 판단하는 단계 및 상기 프라이머리 사용자의 신호가 존재하는지 여부에 따라 인지 무선(cognitive radio) 기술을 이용하여 사용 가능한(available) 무선 자원을 인지하는 단계를 포함한다. 인지 무선, 프라이머리, 세컨더리, 파일럿, 알려진 신호, 상관 행렬, 간섭
Abstract:
터치 디스플레이 장치가 개시된다. 본 터치 디스플레이 장치는 복수의 영상 입력 장치와 통신을 수행하기 위한 통신부, 복수의 영상 입력 장치 각각으로부터 제공되는 복수의 영상을 하나의 화면 내에 디스플레이하는 디스플레이부, 복수의 영상 입력 장치의 화면 스케일 정보가 저장된 저장부, 복수의 영상 중에서 하나의 영상에 대한 터치 조작을 감지하는 감지부, 터치 조작이 감지되면, 터치 조작이 감지된 영상을 제공한 영상 입력 장치의 화면 스케일 정보에 따라, 디스플레이부의 전체 화면 내에서의 실제 터치 좌표 값을, 터치된 영상을 제공한 영상 입력 장치에 대응되는 상대적인 터치 좌표 값으로 변환하고, 변환된 터치 좌표 값을 터치된 영상을 제공한 영상 입력 장치로 전송하는 제어부를 포함한다.
Abstract:
The present invention relates to equipment for testing a semiconductor device and method of testing the semiconductor device using the same. The method of testing the semiconductor device includes the steps of: loading a paneled PCB including unit PCBs, each of which has a semiconductor device mounted thereon, on test equipment; checking product information on the paneled PCB loaded on the test equipment; electrically connecting the paneled PCB that the product information is checked to one of main testers, each of which includes a main test interface directly connected to a cloud server in which multiple types of firmware for various kinds of tests are stored, in the test equipment; delivering the product information on the paneled PCB to the main tester electrically connected to the paneled PCB; requesting a main test for the paneled PCB using the product information from the main tester receiving the product information; and unloading the paneled PCB that the main test is completed by the main tester from the test equipment.
Abstract:
The present invention relates to a method for transmitting an image and an electronic device for transmitting an image. A method for transmitting an image in an electronic device comprises the steps of: displaying a history of message transmission and reception with at least one different electronic device; detecting a selection of a camera execution menu; displaying a preview screen of a camera within a screen where the message transmission and reception history is displayed; detecting a touch on the displayed preview screen; photographing a subject when the displayed preview screen is touched; detecting a gesture of the photographed image; and transmitting the photographed image to the electronic device according to the detected gesture when the gesture of the photographed image is detected. Therefore, an image can be photographed and transmitted without screen switching while a message application is executed.
Abstract:
PURPOSE: A heat-releasing structure, a lighting device adopting the same, and a manufacturing method of the lighting device are provided to improve insulation characteristics by forming a ceramic layer with a thermal spray coating method. CONSTITUTION: A ceramic layer(20) is formed on the surface of a metal heat-releasing unit(10). An organic insulating layer(30) is formed on the surface of the ceramic layer. The metal heat-releasing unit contains a material having thermal conductivity of more than 100 W/m·k. The ceramic layer contains a material having thermal conductivity of more than 10 W/m·k.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve a driving current property of a transistor by increasing tension stress applied to a channel region. CONSTITUTION: A gate structure is formed on a substrate. A sacrificial spacer is formed on the sidewall of a gate structure. A source/drain region(162) is formed by implanting a first impurity to the upper side of the substrate through a first ion implantation process. The used sacrificial spacer is removed. A source/drain extension region(172) and a carbon doping region(182) are formed by implanting the first impurity and carbon to the upper side of the substrate through a second ion implantation process using the gate structure as an ion implantation mask.