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公开(公告)号：KR100170351B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019960046324
申请日：1996-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C11D1/78
Abstract: 금속 오염 물질을 제거하기 위하여 이용되는 세정 용액과 그 세정 용액을 제조하는 방법 및 그 세정 용액을 이용하여 금속 물질로 오염된 반도체 제조 장비 또는 웨이퍼를 세정하는 방법에 대하여 개시한다. 이는 반도체 제조 장비 또는 웨이퍼 상의 금속 오염 물질을 제거하기 위한 세정 용액은 하기 화학식 1로 표시되는 인산 킬레이트제를 포함하며, 그 세정 용액은 인산(H3PO4)을 산화 반응시켜 제조하고, 금속 오염 물질(M
n+ )이 인산 킬레이트제에 의한 킬레이트 반응으로 결합되어 반도체 제조 장비 또는 웨이퍼로부터 제거되는 것을 특징으로 한다. 이로써, 반도체 제조 장비 또는 웨이퍼에 손상을 주지 않고, 높은 세정력을 가지면서, 효과적으로 금속 오염 물질을 제거할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980073955A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009556
申请日：1997-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 제조 장치의 세정조에 대해 기재되어 있다. 이는, 그릇 모양의 베스와, 베스의 하단부에 설치되며 상부 구멍들과 하부 구멍들 또는 상부 구멍들과 하부 이격부들이 서로 정렬되도록 배치된 두 개이상의 정류판들, 및 상부 구멍 또는 상부 이격부의 정확히 한가운데에 위치하는 웨이퍼들을 구비한다. 이때, 구멍의 크기와 구멍과 이격부의 크기는 각각 3㎜이하이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼들 사이로 통과하는 탈이온수의 양을 늘릴 수 있으므로 웨이퍼의 세정효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980073945A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970009546
申请日：1997-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 습식 처리조 내에 오염물이 잔류하지 않는 구조를 가지는 웨이퍼 습식 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 습식 처리 방법. 웨이퍼 습식 처리 장치는 습식 처리조에 적어도 2종류의 액체를 선택적으로 공급할 수 있는 공급 노즐을 포함한다. 웨이퍼 습식 처리 방법에서는 습식 처리조 내에 처리액을 공급하고, 처리액을 사용하여 습식 처리조 내에서 웨이퍼를 소정의 시간 동안 습식 처리하고, 처리액을 배수하고, 습식 처리조 내부를 알콜을 함유하는 유기 용제를 사용하여 1차 세척하고, 습식 처리조 내부를 순수를 사용하여 2차 세척하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019980065684A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000797
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 세정액 및 이를 이용한 반도체장치의 세정방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 세정액은 순수에 암모니아용액과 웨이퍼 표면에 흡착된 금속오염물을 착화합물화시키는 제1 첨가제와 이러한 착화합물과 웨이퍼간에 반발을 일으키는 제2 첨가제를 포함하고 있으며, 이러한 세정액을 사용하여 웨이퍼를 사용하면, 세정공정에 사용하는 브러쉬등에 의해 웨이퍼에 금속오염물질들이 재 흡착되더라도 상기 제1 첨가제에 의해 착화합물되고 이것은 상기 제2 첨가제에 의해 웨이퍼와 분리되므로 세정공정에서 브러쉬등에 오염물질이 웨이퍼에 재 흡착되는 것을 방지할 수 있어 적정량의 세정액만으로도 충분한 세정을 이룰 수 있고 이에 따라 과다한 암모니아의 사용을 방지할 수 있으므로 세정효율의 증대와 세정공정에 소요되는 원가를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980048372A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066942
申请日：1996-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 세정액 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 웨이퍼를 총 부피를 기준으로 0.001 ∼ 99%의 유기 용제와, 상기 유기 용제 부피를 기준으로 10
-3 ∼ 10%의 플루오로붕산(fluoroboric acid)과, 잔량의 순수를 포함하는 세정액을 사용하여 세정한다. 본 발명에 의하면, 웨이퍼상에 잔류하는 폴리머를 단순한 공정에 의하여 효과적으로 제거할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019980005759A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025230
申请日：1996-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR1019970077266A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960015554
申请日：1996-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 건조 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 축을 중심으로 원심 회전 가능한 건조 장치 본체와, 상기 본체를 밀봉하기 위한 커버와, 상기 본체 내에 회전 가능하게 설치되고, 증기를 발생시키는 증기 발생 장치와, 상기 증기 발생 장치로부터 공급되는 증기를 상기 본체 내에 분사할 수 있도록 상기 증기 발생 장치의 일단에서 방사 방향으로 설치된 복수의 분사 노즐과, 상기 본체 내에 설치되고 건조될 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대를 포함한다. 본 발명에 의하면, IPA 증기를 이용한 웨이퍼 건조공정에서 웨이퍼가 고정 상태로 있지 않고 원심 회전되므로 반응성 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970077238A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960015557
申请日：1996-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 세정액은 10∼99.9중량%의 질산과, 0.1∼25중량%의 플루오르화 붕소산과, 잔량의 에탄올을 포함한다. 본 발명에 의한 세정방법에 의해 상기 세정액을 이용하면 금속층이 노출된 반도체 기판을 효과적으로 세정할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150094141A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140015060
申请日：2014-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L25/02
CPC classification number: H04W52/243
Abstract: 본 발명은 무선 통신 시스템에서 전력 이득 제어에 관한 것으로, 수신단 장치는, 제1반송파 신호의 전력 및 제2반송파 신호의 전력에 기초하여 인접 채널 간섭의 발생 여부를 판단하는 제어부와, 상기 제어부로부터 제공되는 상기 인접 채널 간섭을 고려하여 결정된 이득 제어 신호에 따라 상기 제1반송파 신호에 대한 전력 이득을 조절하는 증폭기를 포함한다. 또한, 본 발명은 상술한 실시 예와 다른 실시 예들도 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及控制无线通信系统中的功率增益，其中接收端设备包括：控制单元，确定是否基于第一载波信号的功率和第二载波信号的功率发生相邻信道干扰; 以及放大器，根据通过考虑由控制单元提供的相邻信道干扰确定的增益控制信号来调整第一载波信号的功率增益。 此外，本发明包括上述实施例以及其他实施例。
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