Abstract:
반도체 장치의 캐패시터 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판의 상부에 제1 절연층, 식각 저지층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성한다. 상기 제2 절연층의 상부에 캐패시터 영역을 정의하기 위한 감광막 패턴을 형성하고, 상기 감광막 패턴을 이용하여 상기 제2 절연층을 식각한다. 상기 감광막 패턴의 측벽에 제1 스페이서를 형성하고, 상기 제1 스페이서를 이용하여 상기 식각 저지층 및 제1 절연층을 식각하여 상기 기판의 도전성 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 제1 스페이서 및 감광막 패턴을 제거하고, 결과물의 상부에 도전층을 형성한다. 결과물의 상부에 제3 절연층을 증착하고 이를 식각하여 상기 도전층의 단차진 부위에 제2 스페이서를 형성한다. 상기 제2 스페이서를 이용하여 상기 도전층을 에치백하고, 습식 식각 공정으로 상기 제2 스페이서 및 제2 절연층을 제거하여 도전층으로 이루어진 캐패시터의 스토리지 전극을 형성한다. 1회의 사진 공정으로 캐패시터의 스토리지 노드가 되는 콘택홀과 스토리지 전극 패턴을 형성할 수 있으며, 스토리지 전극의 표면에 요철부를 형성하여 캐패시턴스를 증대시킬 수 있다.
Abstract:
반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 다수의 본딩 패드들, 다수의 본딩 패드들의 사이 영역에 형성되고, 외부에서 전기적 신호를 인가하여 전기적 특성을 측정할 수 있도록 적어도 하나의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 다수의 테스트 소자를 포함하는 테스트 소자 그룹을 포함한다. 테스트 소자 그룹, 본딩 패드, 퓨즈
Abstract:
PURPOSE: A bake apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to perform a bake process by floating a wafer on a hot plate. CONSTITUTION: A hot plate(110) is installed at a lower side of the inside of a chamber. A heater coil is wound on the hot plate(110). Three through-holes are formed on the hot plate(110) in order to pass through three guide pins(300). A wafer guide(130) is installed around an edge of the hot plate(110) in order to guide a loading position of a wafer(140). An air plate(200) is installed on an upper surface of the hot plate(110). A space portion is formed in the inside of the air plate(200). A plurality of air injection holes(220) are formed on the air plate(200). Three through-holes are formed on the air plate(200). An air bearing and the air plate(200) are formed with one body. An air supply tube(260) is connected with an entrance of the air bearing. A ring-shaped connection member(310) is connected with lower end portions of the guide pins(300).
Abstract:
본 발명은 반도체소자를 제조하기 위한 노광장치의 초점을 맞추는 방법 관한 것이다. 본 발명에 의한 노광장치의 초점(focus)을 맞추는 방법은 (a) 기판위에 도포된 포토레지스트막상에, 두 개의 삼각형으로 이루어진 패턴을 소정의 위치에 구비한 레티클을 위치시킨 후 노광하는 단계 (b) 상기 노광된 포토레지스트막을 현상함으로써, 상기 포토레지스트막에 상기 패턴을 형성하는 단계 및 (c) 상기 포토레지스트막에 형성된 상기 패턴의 상태를 검사하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 노광장치의 초점이 맞은 상태를 빠르고 용이하게 판단할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An arrangement method of an alignment key and a method for manufacturing a semiconductor chip using the same are provided to arrange lots of chip areas on a wafer by arranging alignment keys on the chip areas. CONSTITUTION: A shot group(200) including a plurality of chip areas(210) is defined. The plurality of chip areas included in the shot group is arranged along column and row. A key area(220) is provided to each chip area. One or more alignment keys are arranged on each key area. A scribe lane(230) is arranged between chip areas. A semiconductor device is formed on the plurality of chip areas by executing a plurality of exposure processes to the shot group. The plurality of chip areas is divided by dicing the scribe lane.
Abstract:
A wafer for manufacturing a semiconductor device having a scribe lane including an overlapped region between a TEG(Test Element Group) region and a photolithography pattern region, a photomask including the same, and a layout including the same are provided to increase a degree of integration of semiconductor chips on a wafer by utilizing efficiently the scribe lane. A wafer for manufacturing a semiconductor device includes a TEG region including a TEG and a photolithography pattern region including photolithography patterns(K1-K5). The TEG includes a region on which a probing pad is formed. The photolithography patterns include an alignment key for aligning the wafer and a photomask or an overlay measurement key for measuring an overlap of patterns. The photolithography patterns include test patterns for testing electrically various characteristics of the semiconductor device.
Abstract:
PURPOSE: A method for inspecting an electrical characteristic of a semiconductor device is provided to correct a test error prior to a test process by correcting the position of a pad at least once so that test probes are located in the center of the pad. CONSTITUTION: A wafer is placed on a chuck. The chuck is adjusted to align the test probes for applying predetermined current and the pads formed on the wafer(S300). By using the pad in a wafer setup file and a display window for position correction displayed in an image display apparatus, a contact mark formation position of the predetermined pads is predicted and whether a predicted contact mark is located in the center of the predetermined pad is determined(S310). If the predicted contact mark is located in a position separated from the center of the predetermined pad, the chuck is adjusted by such a distance that the predicted contact mark is separated from the center of the predetermined pad. The position of the predetermined pad is corrected to locate the predicted contact mark in the center of the predetermined pad(S320). If the predicted contact mark is located in the center of the predetermined pad, the pad of selected chips among the semiconductor chips are coupled to the test probes to perform a predetermined test process(S330). Whether the contact mark formed in the pad is precisely formed in the pad is inspected by the test probes. Necessary steps are taken according to the inspection result.