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公开(公告)号：KR1019980067569A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003677
申请日：1997-02-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임규홍
IPC: G06F12/16
Abstract: 본 발명은 가동중인 계측 장치를 컴퓨터 시스템 초기화 시간에 초기화하여 메모리 부족으로 인한 에러의 발생을 방지하도록 한 계측장치의 에러 방지방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 계측장치의 메모리 부족으로 인한 에러의 발생을 방지하여 가동율을 향상시키도록 한 계측장치의 에러 방지방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 계측장치의 에러 방지방법은 계측장치의 컴퓨터 시스템을 온시킨 시점부터 사용시간을 카운팅하면서 계측을 실시하고 계측 도중에 시스템 초기화 시간이 경과하면, 시스템을 초기화시키는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 컴퓨터 시스템이 항상 온되어 있어도 메모리 부족으로 인한 소프트웨어 버그와 이에 수반되는 하드웨어 에러의 발생을 사전에 방지하여 계측장치의 가동율을 향상시킨다.-
12.发明公开반도체장치의 비피에스지에 포함된 불순물 측정시 이용되는 계측설비 설정값 보정용 기준 샘플 제조 방법 失效一种用于校准用于测量包含在非双相半导体器件中的杂质的设定点校准设备的参考样品的方法
公开(公告)号：KR1019980012093A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029965
申请日：1996-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
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公开(公告)号：KR1020070017245A
公开(公告)日：2007-02-09
申请号：KR1020050071983
申请日：2005-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8854 , H01L22/12
Abstract: 기판 결함 분류 방법은 기판 상으로 광을 조사한 후, 기판으로부터 산란 또는 반사되는 광을 검출한다. 검출광을 이용하여 각 픽셀의 좌표를 XY축으로, 각 픽셀에 따른 인텐시티 값을 Z축으로 하는 3차원 정보로 변환하고, 3차원 정보와 기 설정된 기준 신호를 비교하여 결함을 판단한다. 3차원 정보의 피크 개수, 기울기, 기울기 방향 등의 특성 파라미터를 이용하여 결함을 분류한다. 따라서 결함을 용이하게 검출 및 분류할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070014241A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050068677
申请日：2005-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/001 , G01N21/8422 , G01N21/95607 , G01N21/95684 , G06T2207/30148
Abstract: A pattern defect detecting method in a semiconductor device is provided to detect easily previously the generation of a fine scum type bridge and a residue type defect using a predetermined material with high reflectivity. An inspection object pattern(102) is formed on a substrate(100). A predetermined material with relatively high reflectivity compared to that of the inspection object pattern is formed along an upper surface of the resultant structure in order to detect easily exactly various defects(104) from the inspection object pattern. Then, a defect detecting process is performed on the inspection object pattern. The inspection object pattern is made of polysilicon or single crystalline silicon. The predetermined material is made of a metallic material such as TiN or Ti.
Abstract translation: 提供半导体器件中的图案缺陷检测方法，以便容易地使用具有高反射率的预定材料容易地检测细小浮渣型桥的产生和残留型缺陷。 检查对象图案（102）形成在基板（100）上。 沿着所得到的结构的上表面形成与检查对象图案相比具有相对高反射率的预定材料，以便从检查对象图案容易地精确检测各种缺陷（104）。 然后，对检查对象图案进行缺陷检测处理。 检查对象图案由多晶硅或单晶硅制成。 预定材料由诸如TiN或Ti的金属材料制成。
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公开(公告)号：KR1020050014424A
公开(公告)日：2005-02-07
申请号：KR1020030053058
申请日：2003-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method for inspecting a substrate is provided to detect foreign substances remaining on various layers formed on a semiconductor substrate, by irradiating the second laser beam with a wavelength selected from the first laser beams with a plurality of wavelengths to the semiconductor substrate, by detecting a surface defect of the semiconductor substrate from the light scattered from the substrate and by using a laser beam with a wavelength selected from the wavelengths with strongest spectrum. CONSTITUTION: The first laser beams with mutually different wavelengths are sequentially irradiated to a semiconductor substrate(S110). The first light scattered from the surface of the substrate by the irradiation of the first laser beams and the second light scattered from the particles on the substrate are detected(S120). The intensity of the first light is compared with the intensity of the second light to calculate difference values(S130). By the irradiation of the second laser beam, the second laser beam with a wavelength corresponding to the highest difference value among the difference values is irradiated to the substrate(S210). The defect of the substrate is detected from the third light scattered from the surface of the substrate and the fourth light scattered from the particles on the substrate. The first laser beam is supplied from a laser source with a plurality of resonators. The wavelength of the first laser beam is varied by the plurality of resonators.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检查基板的方法，用于通过用从多个波长的第一激光束向半导体基板照射具有选自第一激光束的波长的第二激光束向半导体基板照射残留在半导体基板上形成的各层上的异物，由 从从衬底散射的光以及使用具有选自最强光谱的波长的波长的激光束检测半导体衬底的表面缺陷。 构成：将相互不同波长的第一激光依次照射到半导体基板（S110）。 检测从基板的表面通过第一激光束的照射和从基板上的粒子散射的第二光散射的第一光（S120）。 将第一光的强度与第二光的强度进行比较以计算差值（S130）。 通过照射第二激光束，将对应于差值中的最高差值的波长的第二激光束照射到基板（S210）。 从从基板的表面散射的第三光和从基板上的粒子散射的第四光检测基板的缺陷。 第一激光束由具有多个谐振器的激光源提供。 第一激光束的波长由多个谐振器变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020000020607A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039277
申请日：1998-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method of measuring a height of a pattern using an in-line scanning electron microscope for manufacturing a semiconductor device is provided to measure the height without any damage. CONSTITUTION: A method of measuring a height of a pattern using an in-line scanning electron microscope(SEM) comprises the steps of: inserting a wafer having an element pattern exposing a predetermined portion of the wafer and an arbitrary thickness into a process chamber of the in-line SEM to be stably placed on a wafer stage; a first focusing on the upper part of the element pattern; a second focusing on the exposed part of the wafer by elevating the wafer stage after maintaining the focus of the upper part; and determining the height of the element pattern by measuring the elevated distance of the wafer stage during the second focusing.
Abstract translation: 目的：提供使用用于制造半导体器件的在线扫描电子显微镜来测量图案的高度的方法来测量高度而没有任何损坏。 构成：使用在线扫描电子显微镜（SEM）测量图案的高度的方法包括以下步骤：将具有将晶片的预定部分暴露的元件图案和任意厚度的晶片插入到 将在线SEM稳定地放置在晶片台上; 首先集中在元素图案的上部; 第二个通过在保持上部的焦点之后升高晶片台来聚焦于晶片的暴露部分; 以及通过在第二聚焦期间测量晶片台的升高的距离来确定元件图案的高度。
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公开(公告)号：KR100230984B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960029965
申请日：1996-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L22/34 , H01L21/02129 , H01L21/02362 , H01L21/31625 , H01L22/12
Abstract: 비피에스지막(Boronphosphosilicate Glass Film : 이하 'BPSG막'라 함)내에 포함된 불순물인 붕소(B)와 인(P)의 농도가 시간이 경과되더라도 항상 일정하게 유지될 수 있도록 개선시킨 반도체장치의 비피에스지막에 포함된 불순물 측정용 샘플 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 평탄화막으로서의 BPSG막내부의 불순물 농도를 측정하는 장치의 설정값 보정용 기준시료로 사용되는 반도체장치의 BPSG막에 포함된 불순물 측정시 이용되는 계측설비 설정값 보정용 기준 샘플 제조 방법에 있어서, 기판에 BPSG막을 증착시킨 후 상기 BPSG막 내부에 포함된 수분이 제거되도록 650℃ 내지 750℃ 온도에서 20분 내지 30분 동안 어닐링(Annealing)하는 단계 및 어닐링된 상기 BPSG막상부에 외부의 수분과 상기 BPSG막이 접촉하는 것을 차단하기 위한 차단막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 반도체장치의 BPSG막에 포함된 불순물 측정용 장치의 설정치 보정이 정확히 이루어질 수 있어서, 장비의 유지 및 보수가 용이하고, 측정된 결과에 대한 신뢰성이 극대화될 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100694597B1
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：KR1020050068677
申请日：2005-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G06T7/001 , G01N21/8422 , G01N21/95607 , G01N21/95684 , G06T2207/30148
Abstract: 반도체 장치에서 발생된 미세한 패턴 결함을 검출하는 방법으로, 우선 검사 대상 패턴이 형성되어 있는 기판을 마련한다. 상기 검사 대상 패턴에 생성된 결함의 검출력을 향상시키기 위하여, 상기 검사 대상 패턴, 상기 검사 대상 패턴의 결함 부위 및 기판 표면 상에 연속적으로 상기 검사 대상 패턴에 비해 높은 반사도를 갖는 물질로 이루어지는 표면 박막을 형성한다. 다음에, 상기 표면 박막이 증착된 기판을 검사함으로서 상기 검사 대상 패턴의 결함을 검출한다. 상기 방법에 의하면, 미세한 결함을 용이하게 검출할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070016210A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070495
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/95607 , H01L22/12
Abstract: 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 측정하는 방법에 있어서, 웨이퍼 상에 형성된 패턴으로 광을 조사하고, 상기 조사된 광이 상기 패턴에 일 측 및 타 측에 각각 반사되고, 상기 반사광들을 검출부에서 제1 회절 신호 및 제2 회절신호로 각각 검출한다. 이때, 상기 제1 회절 신호 및 제2 회절 신호가 서로 차이가 발생될 수 있으며, 상기 차이 값이 설정된 값 내에 있는 경우, 상기 패턴은 비대칭적인 수직 프로파일을 갖는 것으로 판단한다. 상기 제1 회절 신호 및 제2 회절 신호를 전자기 이론에 적용하여 상기 패턴의 물리적 정보를 획득할 수 있다. 또한, 상기 제1 회절 신호 및 제2 회절 신호의 차이 값으로 상기 패턴의 비대칭한 정도를 수치화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070016041A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020050070799
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8858 , G01N2021/8887
Abstract: 반도체 기판 상에 형성된 다수의 다이들에 대한 결함 검사 방법에서, 기판 상에는 다수의 행들 및 열들로 배열된 다수의 검사 영역들이 설정되고, 지그재그 형태로 설정된 검사 경로를 따라 상기 검사 영역들로부터 이미지들이 순차적으로 획득된다. 상기 이미지들 중에서 n번째 이미지를 n-1번째 이미지 및 n+1번째 이미지와 비교함으로써 n번째 검사 영역의 결함을 검출할 수 있으며, 상기 n을 변화시키면서 상기 결함 검출 단계를 반복적으로 수행한다. 또한, 상기 다수의 행들 중 첫 번째 행의 첫 번째 검사 영역의 이미지를 상기 첫 번째 행의 두 번째 검사 영역 및 두 번째 행의 마지막 검사 영역으로부터 획득된 이미지들과 각각 비교함으로써 상기 첫 번째 검사 영역의 결함을 검출할 수 있다. 따라서, 기판 상의 최외각 다이들에 대하여도 더블 검출 방식에 의한 결함 검사가 가능하다.
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