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公开(公告)号：KR1020080006327A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020060065379
申请日：2006-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/8806
Abstract: A method for inspecting a surface of wafer and an apparatus for performing the same are provided to improve sensitivity of inspecting a defect on the wafer by scanning in both X and Y directions once, thereby reducing a scanning time and increasing a throughput. A method for inspecting a surface of wafer includes the steps of: emitting a laser light(S100); dividing the laser beam into lights with a plurality of optical axes and irradiating the lights on a target inspecting face in a plurality of directions(S200); detecting the laser lights irradiated and reflected on the target inspecting face(S300); and determining a defect from information of the detected laser lights(S400). In the step of irradiating the laser lights, a first light as a part of the laser lights is reflected and irradiated on a surface of the target inspecting face in a first direction and a second light as the other part of the laser lights is irradiated in a second direction.
Abstract translation: 提供了用于检查晶片表面的方法和用于执行晶片表面的装置，以通过在X和Y方向上扫描一次来提高检查晶片缺陷的灵敏度，从而减少扫描时间并提高生产量。 用于检查晶片表面的方法包括以下步骤：发射激光（S100）; 将激光束分成具有多个光轴的光，并在多个方向上照射目标检查面上的光（S200）; 检测在目标检查面上照射和反射的激光（S300）。 以及从所检测的激光的信息确定缺陷（S400）。 在照射激光的步骤中，作为激光的一部分的第一光被照射在第一方向的目标检查面的表面上，并且作为激光的另一部分照射第二光 第二个方向。
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公开(公告)号：KR1020060060276A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020040099214
申请日：2004-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/02
Abstract: 미세 구조물의 치수를 신속하게 측정할 수 있는 측정 방법에 따르면, 미세 구조물에 광을 조사한 다음, 산란된 광을 수집한다. 피 측정체로 입사되는 광의 위상과 피 측정체로부터 반사된 광의 위상의 차이를 산출하고, 산출된 위상 차이와 기준 위상 차이 데이터를 비교하여 미세 구조물의 적어도 두 종류 이상의 치수들을 산출한다. 기준 위상 차이 데이터는, 미세 구조물의 깊이를 변화시켜가며 입사광의 위상과 반사광의 위상 차이를 데이터베이스화한 깊이 데이터와, 임계치수를 변화시켜가며 입사광의 위상과 반사광의 위상 차이를 데이터베이스화한 임계치수 데이터와, 두께를 변화시켜가며 입사광의 위상과 반사광의 위상 차이를 데이터베이스화한 두께 데이터를 포함한다. 본 발명에 따르면, 피측정 미세 구조물의 적어도 둘 이상의 치수들을 동시에 산출할 수 있다. 따라서 치수 측정 공정에 소요되는 시간 및 비용을 상당부분 절감할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120057819A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020100119334
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/681 , G01B11/00 , G01B11/002 , G03F9/00 , G03F9/70 , H01L21/68 , H01L22/12 , H01L22/30
Abstract: PURPOSE: A method for arranging a substrate and an apparatus for executing the same are provided to improve manufacture yield of a semiconductor device by drastically shortening time to be required to arrange the substrate. CONSTITUTION: A perception unit(310) successively recognizes first, second, third, and fourth alignment marks according to the degree of definition. The perception unit comprises a display unit(312) for indicating an alignment value. A determination unit(320) determines whether the first, second, third, and fourth alignment marks are arranged according to the alignment value or not. The determination unit comprises an input unit(322) for establishing an alignment limit value. An alignment unit(330) transfers a stage according to a result determined in the determination unit. The alignment unit comprises a horizontal driving unit(332) for transferring the stage along a horizontal direction.
Abstract translation: 目的：提供一种用于布置基板的方法和用于执行该基板的装置，以通过显着缩短布置基板所需的时间来提高半导体器件的制造成品率。 构成：感知单元（310）根据定义的程度连续地识别第一，第二，第三和第四对准标记。 感知单元包括用于指示对准值的显示单元（312）。 确定单元（320）确定是否根据对准值来布置第一，第二，第三和第四对准标记。 确定单元包括用于建立对准极限值的输入单元（322）。 对准单元（330）根据在确定单元中确定的结果传送舞台。 对准单元包括用于沿水平方向传送台的水平驱动单元（332）。
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公开(公告)号：KR1020090060706A
公开(公告)日：2009-06-15
申请号：KR1020070127622
申请日：2007-12-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/544 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7046 , H01L23/544 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , G03F9/7088 , H01L2924/00
Abstract: A method for aligning a substrate and an apparatus for performing the same are provided to prevent a decision error of a substrate alignment by recognizing a second aligning mark inside a shot region if a first aligning mark is not recognized inside a shot region. An allowable alignment score is set in order to determine non-recognition of a first aligning mark and a second aligning mark(ST210-ST220). The first aligning mark positioned inside a shot region on a substrate is recognized(ST240). The second aligning mark positioned inside the shot region is selectively recognized according to the recognition of the first aligning mark. The substrate is aligned by using the mark recognized among the first aligning mark and the second aligning mark.
Abstract translation: 提供了一种用于对准衬底和用于执行衬底的装置的方法，用于通过在射击区域内不识别到第一对准标记的情况下识别射击区域内的第二对准标记来防止衬底对准的判定误差。 为了确定不识别第一对准标记和第二对准标记（ST210-ST220），设置允许的对准分数。 识别位于基板上的拍摄区域内的第一对准标记（ST240）。 根据第一对准标记的识别，选择位于拍摄区域内的第二对准标记。 通过使用在第一对准标记和第二对准标记之间识别的标记对齐基板。
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公开(公告)号：KR1020080011541A
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020060071982
申请日：2006-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 백종선
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/32963 , H01L21/67253
Abstract: A method for monitoring an etch process is provided to more precisely and easily estimate the etch thickness and etch endpoint of a specific layer by monitoring the information of etch quantity of a layer having etch selectivity with respect to the specific layer while etching the specific layer including byproducts of several angstroms on the inner wall of a contact hole. A semiconductor structure is formed on a substrate(S110). An insulation layer is formed on the semiconductor structure(S120). The insulation layer is patterned to expose the semiconductor structure(S130). Etch byproducts deposited on the exposed semiconductor structure are removed during the patterning process(S140). In the process for removing byproducts, the etch quantity of the insulation layer is monitored to detect an etch endpoint for stopping an etch process for removing the etch byproducts(S150). The semiconductor structure can be made of a material having etch selectivity with respect to the insulation layer.
Abstract translation: 提供了一种用于监测蚀刻工艺的方法，通过监测具有相对于特定层的蚀刻选择性的层的蚀刻量的信息，同时蚀刻特定层，以更精确和容易地估计蚀刻厚度和蚀刻端点，包括 在接触孔的内壁上的几埃的副产物。 在衬底上形成半导体结构（S110）。 在半导体结构上形成绝缘层（S120）。 图案化绝缘层以暴露半导体结构（S130）。 在图案化过程中去除沉积在暴露的半导体结构上的蚀刻副产物（S140）。 在去除副产物的过程中，监测绝缘层的蚀刻量以检测用于停止用于去除蚀刻副产物的蚀刻工艺的蚀刻终点（S150）。 半导体结构可以由具有相对于绝缘层的蚀刻选择性的材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060060277A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020040099215
申请日：2004-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/02
CPC classification number: G01B11/022 , G01B11/028
Abstract: 미세 구조물을 효과적으로 측정할 수 있는 측정 방법에 따르면, 피 측정체에 형성된 미세 구조물을 다수의 영역으로 구획하여 영역별로 측정 지점을 설정하고, 측정 지점에 위치하는 미세 구조물의 치수를 측정한다. 측정 지점을 설정하는 단계에서, 측정 지점의 위치 정보를 나타낼 수 있는 식별 기호를 부여하고, 측정 지점에 부여된 식별 기호에 따라 측정 결과를 분류한다. 이 경우, 영역별로 다른 개수의 측정 지점을 설정할 수 있다. 피 측정체를 영역별로 구획하여 디스플레이 함으로써, 측정 지점을 잘못 설정하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 영역별로 측정 대상이 다르게 설정할 수도 있고, 측정 결과도 그룹화 할 수 있어 측정 공정의 효율을 극대화 시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101718359B1
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020100119334
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 기판정렬방법에따르면, 기판상의제 1 샷영역(shot region) 내에위치한제 1 정렬마크와제 2 정렬마크를순차적으로인식한다. 상기제 1 정렬마크와상기제 2 정렬마크중에서먼저인식된어느하나의정렬마크를이용해서상기기판을 1차정렬시킨다. 상기기판상의제 2 샷영역내에위치한상기제 1 정렬마크와상기제 2 정렬마크중에서상기기판의 1차정렬시사용된정렬마크와사용되지않은정렬마크를순차적으로인식한다. 상기기판의 1차정렬시사용된정렬마크와상기사용되지않은정렬마크중에서먼저인식된어느하나의정렬마크를이용해서상기기판을 2차정렬시킨다. 따라서, 정렬마크를인식하는데소요되는시간을단축할수 있다.
Abstract translation: 根据基板对准方法，顺序识别位于基板上的第一曝光区域中的第一对准标记和第二对准标记。 并且第一对准标记和第二对准标记中的一个用于首先对准感受器衬底。 顺序地识别基板的第一次排序中使用的对准标记和基板上的第一对准标记和位于第二拍摄区域中的第二对准标记中未使用的对准标记。 使用在衬底的第一次排序中使用的对准标记和先前从未使用的对准标记识别出的对准标记对准衬底衬底。 因此，可以缩短识别对准标记所需的时间。
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公开(公告)号：KR1020160026557A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020140115662
申请日：2014-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B27/02
CPC classification number: G02B27/0176 , G02B2027/0136 , G02B2027/0156 , G06F1/163 , H05K5/0004 , H05K5/0017 , H05K5/0086 , H05K5/0204
Abstract: 헤드마운트디스플레이장치는일면이사용자의얼굴과대면하도록형성된메인프레임; 상기메인프레임의적어도일부와결합하여상기메인프레임이상기얼굴에고정될수 있도록형성되는착용파트; 상기메인프레임의타면에외부전자장치가장착될수 있도록공동구조로형성되는안착부; 및상기안착부에상기외부전자장치를고정하는적어도하나이상의체결부를포함하고, 상기체결부는임의의경사개방각을가지는것을특징으로한다. 다른실시예가더 가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种头戴式显示装置，其能够使用便携式移动通信终端作为显示器，并且使用便携式移动通信终端作为显示器将便携式移动通信终端安装在头戴式显示装置上。 头戴式显示装置包括：主框架，其一侧面向使用者的脸部; 组合到主框架的至少部分的可穿戴部件，以使主框架固定在面上; 安装单元，其具有用于安装待安装在主框架的另一侧的外部电子设备的空的雕刻结构; 以及至少一个组合单元，用于将外部电子设备固定在安装单元上。 另外，组合单元具有一定的倾斜开放角度。 也可以实现其他实施例。
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公开(公告)号：KR1020150092627A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140013225
申请日：2014-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/06 , G01N21/956 , G06F19/00
CPC classification number: G01B11/0625 , G01B2210/56 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 다중 분석 알고리즘 및 관련된 설비에 관한 것이다. 다수의 분석 모델들을 준비한다. 상기 분석 모델들은 모델-THK 및 모델-CD을 갖는다. 패턴의 광 신호(optic signal)를 측정한다. 상기 모델-THK를 이용하여 상기 광 신호에서 상기 패턴의 두께를 분석한다. 상기 모델-CD을 이용하여 상기 광 신호에서 상기 패턴의 시디(CD)를 분석한다. 상기 두께 및 상기 시디(CD)를 출력한다. 상기 패턴의 상기 두께를 분석하는 것과 상기 패턴의 상기 시디(CD)를 분석하는 것은 상기 광 신호를 공유할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及多分析算法和相关装置。 准备了多个分析模型。 分析模型有一个模型-THK和一个模型CD。 测量图案的光信号。 通过使用模型THK从光信号分析图案的厚度。 通过使用模型CD从光信号分析图案的CD。 输出厚度和CD。 对图案厚度的分析和图案的CD的分析可以共享光信号。
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公开(公告)号：KR1020100098146A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090017169
申请日：2009-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a semiconductor device and a method for measuring the semiconductor device are provided to improve the reliability of a CD value by analyzing reflection value of a semiconductor device. CONSTITUTION: A beam projection unit project electronic beam on a sample. The whole-area is comprised of a CD region and a normal region. An analysis section(200) is electrically connected to the beam projection unit. The analysis section is comprised of a recognition part(220) and a controller(210). The recognition part recognizes the reflected light from the surface of the sample to transmit it to the controller.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体器件的装置和用于测量半导体器件的方法，以通过分析半导体器件的反射值来提高CD值的可靠性。 规定：光束投影单元将电子束投射在样品上。 整个区域由CD区域和正常区域组成。 分析部分（200）电连接到光束投影单元。 分析部分由识别部分（220）和控制器（210）组成。 识别部件识别来自样品表面的反射光以将其发送到控制器。
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