公开(公告)号：KR1020040093255A

公开(公告)日：2004-11-05

申请号：KR1020030025533

申请日：2003-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  여재현 ,  이윤정 ,  임기빈

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L27/1085

Abstract: PURPOSE: A method of forming a metal thin film using an ALD(Atomic Layer Deposition), a method of forming a lanthanum oxide layer and a method of forming a high dielectric layer of a semiconductor device are provided to restrain a low dielectric layer from being formed on a surface of a lower electrode and to improve step coverage on the lower electrode by forming a metal oxide film using two-step depositing processes. CONSTITUTION: An oxygen-depleted metal oxide film(22) is formed on a semiconductor substrate(10) by performing the first ALD using the first reactant made of an organic metal compound. A metal oxide film(26) is formed on the oxygen-depleted metal oxide film by performing the second ALD using the second reactant made of the first reactant and an oxidizer. The first reactant contains lanthanum.

Abstract translation: 目的：提供使用ALD（原子层沉积）形成金属薄膜的方法，形成氧化镧层的方法和形成半导体器件的高介电层的方法，以限制低介电层 形成在下电极的表面上，并通过使用两步沉积工艺形成金属氧化物膜来改善下电极上的台阶覆盖。 构成：通过使用由有机金属化合物制成的第一反应物进行第一ALD，在半导体衬底（10）上形成氧耗尽的金属氧化物膜（22）。 通过使用由第一反应物和氧化剂制成的第二反应物进行第二ALD，在氧耗尽的金属氧化物膜上形成金属氧化物膜（26）。 第一反应物含有镧。

公开(公告)号：KR1020040061093A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：KR1020020086874

申请日：2002-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  여재현 ,  이윤정 ,  박기연

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4481

Abstract: PURPOSE: An apparatus for depositing a semiconductor thin film is provided to decrease the number of valves installed in an oxidizing agent supplying line by using a gaseous oxidizing agent as carrier gas and by transferring a liquid oxidizing agent to a process chamber. CONSTITUTION: A reaction is performed in a process chamber(60). A reaction gas supply unit(73) supplies reaction gas or inert gas to the process chamber. An oxidizing agent supply unit(63) supplies an oxidizing agent to the process chamber. An exhaust unit(93) exhausts gas. The oxidizing agent supply unit supplies the first oxidizing agent to the process chamber or supplies the second oxidizing agent to the process chamber by using the first oxidizing agent as carrier gas.

Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积半导体薄膜的装置，通过使用气态氧化剂作为载体气体并将液体氧化剂转移到处理室来减少安装在氧化剂供应管线中的阀的数量。 构成：在处理室（60）中进行反应。 反应气体供给单元（73）向处理室供给反应气体或惰性气体。 氧化剂供给单元（63）向处理室供给氧化剂。 排气单元（93）排出气体。 氧化剂供给单元将第一氧化剂供给到处理室，或者通过使用第一氧化剂作为载气将第二氧化剂供给到处理室。

公开(公告)号：KR1020040016779A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：KR1020030052909

申请日：2003-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤정 ,  박인성 ,  임기빈 ,  여재현 ,  박기연

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02181 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/31683 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: PURPOSE: A method for forming an oxide layer by an atomic layer deposition(ALD) method is provided to increase a deposition rate and improve a deposition characteristic of a metal oxide layer by performing an ALD method using an oxidizing agent and a precursor including Hf and an amino group. CONSTITUTION: The surface of a substrate(1) is exposed to a precursor including an amino group to form a chemically absorbed precursor layer on the surface of the substrate. The chemically absorbed precursor layer is oxidized by using an oxidizing agent to form an oxide layer on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种通过原子层沉积（ALD）方法形成氧化物层的方法，以通过使用氧化剂和包含Hf的前体的ALD方法来提高沉积速率并提高金属氧化物层的沉积特性， 氨基。 构成：将衬底（1）的表面暴露于包含氨基的前体，以在衬底的表面上形成化学吸收的前体层。 通过使用氧化剂将化学吸收的前体层氧化，以在衬底上形成氧化物层。

公开(公告)号：KR1020040016155A

公开(公告)日：2004-02-21

申请号：KR1020020048404

申请日：2002-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여재현 ,  원석준 ,  김성태 ,  김영선 ,  박인성 ,  이윤정 ,  임기빈 ,  박기연

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a capacitor of a semiconductor memory device is provided to maximize capacitance and improve an electrical characteristic of the capacitor by densifying a dielectric layer while effectively eliminating the impurities inside the dielectric layer. CONSTITUTION: A lower electrode(20) is formed on a semiconductor substrate(10). A HfO2 dielectric layer(30) is formed on the lower electrode. A vacuum heat treatment process is performed on the HfO2 dielectric layer. An upper electrode is formed on the vacuum heat-treated HfO2 dielectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体存储器件的电容器的方法，以通过致密化电介质层来最大化电容并改善电容器的电特性，同时有效地消除介电层内的杂质。 构成：在半导体衬底（10）上形成下电极（20）。 在下电极上形成HfO 2电介质层（30）。 对HfO 2电介质层进行真空热处理。 在真空热处理的HfO 2电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：KR102148338B1

公开(公告)日：2020-08-26

申请号：KR1020130050114

申请日：2013-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  김현준 ,  안세형 ,  박영근 ,  임기빈

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

公开(公告)号：KR101654027B1

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：KR1020100023405

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기철 ,  이종철 ,  임기빈 ,  여재현

IPC: H01L21/02 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/11568

Abstract: 다층유전막을포함하는반도체소자의제조방법을개시한다. 본발명에따른반도체소자의제조방법은반도체기판상에금속원자및 실리콘원자를포함하는다층유전막을형성하는단계를포함하되, 다층유전막을형성하는단계는포함된금속원자및 실리콘원자의개수합계중 실리콘원자의개수가가지는비율인실리콘농도가서로다른적어도 2개의결정질금속실리케이트막을형성한다.

公开(公告)号：KR1020160032596A

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：KR1020140122939

申请日：2014-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배진우 ,  권병호 ,  박종혁 ,  박혜성 ,  이준석 ,  임기빈 ,  전희숙 ,  황인석

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11573 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833

Abstract: 본발명의기술적사상에의한반도체소자제조방법은, 셀(cell) 영역및 주변(peri) 영역을가지는기판을준비하는단계, 셀영역에제1 방향으로배치된제1 그루브에의해서로이격되고제1 방향으로연장되며제1 방향과수직한제2 방향으로서로떨어져있는복수개의비트라인구조체를형성하고, 주변영역에비트라인구조체와동일한물질로이루어진복수개의게이트구조체를형성하는단계, 비트라인구조체및 게이트구조체의양쪽측벽에스페이서를형성하는단계, 제1 그루브를매립하고게이트구조체상면을덮는탄소를함유하는희생막을형성하는단계및 희생막을화학적기계적연마하여비트라인구조체및 게이트구조체의상면에서연마정지하는단계를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明的技术思想，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有单元区域和周边区域的衬底; 形成多个位线结构，所述多个位线结构通过沿着与所述第一方向正交的第二方向在所述第一方向上延伸并且在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开的在单元区域中沿第一方向布置的第一槽彼此分离，并且形成 多个栅极结构，由与周边区域中的位线结构相同的材料构成; 在位线结构和栅极结构的两个侧壁上形成间隔物; 形成包含填充所述第一槽并覆盖所述栅极结构的上表面的碳的牺牲层; 并通过对牺牲层进行化学和机械抛光来抛光位线结构和栅极结构的上表面。

公开(公告)号：KR1020150124744A

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020140051678

申请日：2014-04-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영국 ,  임기빈 ,  임한진 ,  황인석

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10823 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7813

Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 액티브영역들을정의하는필드영역을갖는기판내에제1 방향으로신장되는게이트트렌치들이형성될수 있다. 각각의게이트트렌치내에매립게이트들이형성될수 있다. 각각의매립게이트상부의게이트트렌치들을채우고상기액티브영역들의상부표면위로돌출되어상기제1 방향으로신장되는게이트캡핑펜스들이형성될수 있다. 상기게이트캡핑펜스내에, 상기게이트캡핑펜스들을가로질러상기제1 방향과직교하는제2 방향으로신장되는비트라인트렌치들이형성될수 있다. 각각의비트라인트렌치의내벽상에절연체구조물들이형성될수 있다. 각각의비트라인트렌치를채우도록상기절연체구조물들상에비트라인들및 비트라인캡핑패턴들이적층될수 있다. 상기게이트캡핑펜스들에자기정렬되어인접한비트라인들사이의상기기판상에콘택패드들이형성될수 있다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 可以在具有用于限定有源区域的场区域的衬底内部形成沿第一方向延伸的栅极沟槽。 可以在每个栅极沟槽中形成掩埋栅极。 可以形成栅极覆盖栅栏以填充掩埋栅极上方的栅极沟槽，从有源区域的上表面向上突出，并沿第一方向延伸。 位线沟槽可以形成在栅极覆盖栅栏中，以在垂直于第一方向的第二方向上延伸，同时穿过栅极覆盖栅栏。 可以在每个位线沟槽的内壁上形成绝缘体的结构。 位线和位线封盖图案可以堆叠在绝缘体的结构的顶部，以填充每个位线沟槽。 接触焊盘可以形成在衬底的顶部，在栅极覆盖栅栏之间自对准的相邻位线之间。

公开(公告)号：KR101524510B1

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：KR1020080120358

申请日：2008-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최훈상 ,  임기빈 ,  오세훈 ,  강상열 ,  유차영

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/01 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 커패시터는기판, 다수개의제1 스토리지전극들, 다수개의제2 스토리지전극들, 제1 지지막패턴, 유전막및 플레이트전극을포함한다. 상기기판에는다수개의콘택패드들이형성된다. 상기제1 스토리지전극들은상기콘택패드들과각각전기적으로연결되며, 제1 방향과평행한라인들을따라배열된다. 상기제2 스토리지전극들은상기제1 스토리지전극들상에각각적층된다. 상기제1 지지막패턴은서로인접한상기제2 스토리지전극들사이를상기제1 방향과평행한방향을따라연장하며, 상기인접한제2 스토리지전극들과접촉하여지지한다. 상기유전막은상기제1 및제2 스토리지전극들상에형성된다. 상기플레이트전극은상기유전막상에형성된다.

公开(公告)号：KR1020140131142A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：KR1020130050114

申请日：2013-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박기연 ,  김현준 ,  안세형 ,  박영근 ,  임기빈

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 유전막 및 전극간의 계면 처리 기술을 이용하여 유전막 내의 산소 원자의 손실을 방지함으로써, 캐패시터의 정전 용량 및 신뢰성이 개선된 반도체 소자를 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자는 제1 도전체, 상기 제1 도전체 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 갖고, 산소를 공여하는 계면막, 및 상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체를 포함한다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件，其通过使用电介质层和电极之间的界面处理技术来防止电介质层中的氧原子的损伤来提高电容器的容量和可靠性。 半导体器件包括第一导体; 形成在第一导体上的氧化物电介质层; 形成在氧化物介电层上的界面层具有第一成形焓，并供给氧; 以及第二导体，其形成在所述界面层上以接触所述界面层并且具有高于所述第一形成焓的第二形成焓。