公开(公告)号：KR1019980048858A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960067506

申请日：1996-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기태

IPC: H01L21/28

Abstract: 공정 마진을 확보하면서 보다 미세한 폭을 갖는 콘택패드층을 형성함으로써 고집적 메모리 소자를 구현할 수 있는 반도체 장치의 콘택패드 형성방법에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은, 게이트 전극을 갖는 반도체 기판 상에 제1 절연층과 제2 절연층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 절연층에 콘택홀이 형성될 영역을 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 제2 절연층에 언더컷(under cut)이 되도록 습식 식각을 진행하는 단계와, 상기 언더컷이 되도록 습식 식각이 진행된 제2 절연층에 건식 식각 공정을 진행하여 하부의 제1 절연층에 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀이 형성된 반도체 기판의 전면에 도전층을 적층하는 단계와, 상기 도전층 및 제2 절연층을 에치백(Etchback)하는 평탄화 공정을 진행하여 콘택패드를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택패드 형성방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970077234A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960017469

申请日：1996-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기태

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR100985184B1

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：KR1020080071755

申请日：2008-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정홍식 ,  정기태 ,  유경창 ,  김형준

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1683

Abstract: 본 발명은 전기 소자 및 전기 소자의 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 기판에 형성된 하부 배선, 하부 배선 상에 형성된 제1 상변화 패턴, 제1 상변화 패턴 상에 형성된 제2 상변화 패턴, 및 상변화 패턴 상에 형성된 상부 배선을 포함하되, 상기 제1 상변화 패턴의 결정화 온도는 제2 상변화 패턴의 결정화 온도보다 높다.
상변화 기억 소자, 퓨즈, 리던던시, 복층 상변화 패턴

公开(公告)号：KR1020100098133A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017154

申请日：2009-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황영남 ,  박순오 ,  정홍식 ,  정기태

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/065 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A multi-bit phase change memory device is provided to implement a multi-bit phase change memory device which operates over two bits by using a phase change material. CONSTITUTION: A storage node(100) comprises a phase change material(10), a top electrode(20) and a bottom electrode(30). A heating element(40) applying heat to the phase change material is arranged between the bottom electrode and the phase change material. The phase change material has a first crystalline structure when supplying current pulse to heat the phase change material with over a first crystallization temperature. The phase change material has a second crystalline structure when supplying current pulse to heat the phase change material with over a second crystallization temperature.

Abstract translation: 目的：提供多位相变存储器件来实现通过使用相变材料在两位上操作的多位相变存储器件。 构成：存储节点（100）包括相变材料（10），顶部电极（20）和底部电极（30）。 向相变材料施加热量的加热元件（40）设置在底部电极和相变材料之间。 当提供电流脉冲以在第一结晶温度下加热相变材料时，相变材料具有第一晶体结构。 当提供电流脉冲以在第二结晶温度下加热相变材料时，相变材料具有第二晶体结构。

公开(公告)号：KR1020090123244A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：KR1020080049221

申请日：2008-05-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정혁 ,  이광진 ,  하대원 ,  정기태 ,  강대환

IPC: G11C13/02 ,  G11C7/10 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  G11C5/14 ,  G11C7/1096 ,  G11C13/0038 ,  G11C2213/72

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a writing method thereof are provided to increase durability by preventing characteristic deterioration of a phase-change memory cell irrespective of repetitive writing of reset data. CONSTITUTION: It is determined whether write data to be written in a selected phase-change memory cell is set data or reset data(S10). Write data corresponding to the set data offers a pulse for writing the set data to the phase-change memory cell. A write operation of the set data having no write verification operation is performed(S50). Write data corresponding to the reset data performs a write-write verification loop. A level of a pulse corresponding to an initial reset status is offered at a level lower than a pulse for writing general reset data(S20). A write verification operation for the reset data is performed(S30). A pulse having a level increased more than a previously applied pulse is provided to the selected phase-change memory cell(S40).

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其写入方法以通过防止相变存储器单元的特性劣化来提高耐久性，而不管重复写入复位数据。 构成：确定要写入所选择的相变存储单元中的写入数据是否被设置数据或复位数据（S10）。 与设定数据相对应的写入数据提供用于将设定数据写入相变存储单元的脉冲。 执行没有写入验证操作的设置数据的写入操作（S50）。 与复位数据相对应的写入数据执行写入验证循环。 提供与初始复位状态对应的脉冲电平低于写入通用复位数据的脉冲（S20）。 执行复位数据的写入验证操作（S30）。 具有比预先施加的脉冲高的电平的脉冲被提供给所选择的相变存储单元（S40）。

公开(公告)号：KR100570475B1

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020040064030

申请日：2004-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현 ,  정홍식 ,  정기태 ,  정원철

IPC: G11C11/15

Abstract: 도금층으로 둘러싸인 분할된 서브 디지트 라인들을 갖는 자기 램 셀의 제조방법들을 제공한다. 이 방법들은 반도체기판 상에 제1 층간절연층을 형성하는 것과, 상기 제1 층간절연층 내에 그루브를 형성하는 것을 구비한다. 상기 그루브를 갖는 기판 상에 콘포말한 도금층(conformal cladding layer)을 형성한다. 상기 그루브 내의 상기 도금층의 소정영역 상에 격리벽(separating wall)을 형성하여 상기 그루브의 적어도 일부를 제1 및 제2 그루브들로 분할시킨다. 상기 제1 및 제2 그루브들 내에 각각 제1 및 제2 서브 디지트 라인들을 형성한다. 상기 격리벽 및 도금층을 관통하여 상기 서브 디지트 라인들 사이의 영역을 지나는 개구부를 형성하고, 상기 개구부의 측벽 상에 스페이서를 형성한다. 상기 스페이서를 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 층간절연막을 식각하여 상기 반도체기판을 노출시키는 자기저항체 콘택 홀을 형성한다.

公开(公告)号：KR100512168B1

公开(公告)日：2005-09-02

申请号：KR1020020054904

申请日：2002-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기태

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/005

Abstract: 감지증폭기가 비트 라인들 사이에 나타나는 증폭된 전압차를 감지증폭한다. 비트 라인들 사이에 나타나는 미소 전압차를 용량성 커플링을 이용하여 증폭한 후 상기 감지증폭기를 활성화시킨다. 상기 비트 라인들 및 감지증폭기를 전기적으로 결합하는 비트 라인 격리 트랜지스터들을 턴-온하여 상기 한 쌍의 비트 라인들에 상기 미소 전압차가 나타나게 한 후 상기 비트 라인 격리 트랜지스터들을 턴-오프하여 상기 비트 라인 격리 트랜지스터와 비트 라인 사이에 용량성 커플링을 발생시킨다. 이에 따라 비트 라인 사이의 전압차가 증폭된다.

公开(公告)号：KR1020040049987A

公开(公告)日：2004-06-14

申请号：KR1020020077170

申请日：2002-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영섭 ,  정기태 ,  정창웅

IPC: B65H75/06

CPC classification number: B29C66/54 ,  B29C65/08 ,  B29C65/58 ,  B29C66/1142 ,  B29C66/225 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73921 ,  B29C66/81422 ,  B29C66/8322 ,  B29L2031/704 ,  B65H75/14 ,  B65H75/50 ,  B29K2077/00 ,  B29K2059/00 ,  B29K2055/02

Abstract: PURPOSE: A spool for winding optical fiber is provided to reduce assembly processes and improve productivity by welding flanges of the spool with an ultrasonic welding machine. CONSTITUTION: A spool for winding optical fiber is composed of first and second cylindrical barrels(201,301) on which the optical fiber is wound, and first and second disk-shaped flanges(200,300). The first and second flanges protrude from the first and second barrels, respectively, and restrain the wound optical fiber. Ultrasonic welding contact points(400) are formed at the first and second barrels. The first and second flanges are welded to each other along the contact points by an ultrasonic welding machine(500).

Abstract translation: 目的：提供用于卷绕光纤的卷轴，以通过用超声波焊接机焊接卷轴的凸缘来减少组装过程并提高生产率。 构成：用于卷绕光纤的卷轴由卷绕光纤的第一和第二圆筒（201,301）和第一和第二盘形凸缘（200,300）组成。 第一和第二凸缘分别从第一和第二筒突出，并且限制卷绕的光纤。 在第一和第二桶形成超声波焊接接触点（400）。 第一和第二凸缘通过超声波焊接机（500）沿接触点彼此焊接。

公开(公告)号：KR1020040023224A

公开(公告)日：2004-03-18

申请号：KR1020020054904

申请日：2002-09-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기태

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2207/005

Abstract: PURPOSE: A sense amplifier for sensing a micro-voltage difference and a sensing method thereof are provided to sense easily the micro-voltage difference by turning-off a bit line separation transistor. CONSTITUTION: A sense amplifier for sensing a micro-voltage difference includes a couple of bit line separation transistors(204a,204b), a couple of voltage-dependent capacitors(206a,206b), and a sense amplifier unit(202). The bit line separation transistors(204a,204b) are used for dividing the first bit line and the second bit line into two parts, respectively. The voltage-dependent capacitors(206a,206b) are connected to the bit line connected to sources of the bit line separation transistors and the ground part. The sense amplifier unit(202) is connected to the bit line connected to the voltage-dependent capacitors in order to sense and amplify the voltage difference between the voltage-dependent capacitors.

Abstract translation: 目的：提供用于感测微电压差的读出放大器及其感测方法，以便通过断开位线分离晶体管来容易地感测微电压差。 构成：用于感测微电压差的感测放大器包括一对位线分离晶体管（204a，204b），一对依赖于电压的电容器（206a，206b）和读出放大器单元（202）。 位线分离晶体管（204a，204b）分别用于将第一位线和第二位线分成两部分。 电压相关电容器（206a，206b）连接到连接到位线分离晶体管和接地部分的源极的位线。 感测放大器单元（202）连接到与电压相关的电容器连接的位线，以感测和放大电压相关的电容器之间的电压差。

公开(公告)号：KR1020090108479A

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020080033916

申请日：2008-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유경창 ,  정홍식 ,  정기태 ,  박정훈 ,  송윤종

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1675 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/76256 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1691

Abstract: PURPOSE: A method for forming a phase change memory unit, a manufacturing method of a phase change memory device using the same, and a phase change memory device formed by the same are provided to prevent deterioration of a phase change material film. CONSTITUTION: A conductive film is formed on a substrate(100) in which a trench is formed. A first electrode is formed by flattening a top part of the conductive film until a top surface of the substrate is exposed. A second spacer is formed, and covers a part of the first electrode. A phase change material film is formed on the first electrode and the second spacer. A second electrode is formed on the phase change material film.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成相变存储器单元的方法，使用该相变存储器单元的相变存储器件的制造方法以及由其形成的相变存储器件，以防止相变材料膜的劣化。 构成：在形成有沟槽的基板（100）上形成导电膜。 第一电极通过使导电膜的顶部平坦化直到基板的顶表面露出而形成。 形成第二间隔物，并覆盖第一电极的一部分。 相变材料膜形成在第一电极和第二间隔物上。 在相变材料膜上形成第二电极。