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公开(公告)号：KR1020170107203A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160030824
申请日：2016-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 메모리소자는, 기판상에, 제1 방향으로연장되는복수의제1 도전패턴들이구비된다. 상기제1 도전패턴들상에제1 선택패턴이구비된다. 상기제1 선택패턴상에적층되는제1 가변저항패턴및 제1 가열전극을포함하고, 상기제1 가변저항패턴및 제1 가열전극은서로접촉되고, 상기접촉된부위는제1 접촉면적을갖는제1 구조물이구비된다. 상기제1 구조물상에상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는제2 도전패턴이구비된다. 상기제2 도전패턴들상에제2 선택패턴이구비된다. 상기제2 선택패턴상에적층되는제2 가변저항패턴및 제2 가열전극을포함하고, 상기제2 가변저항패턴및 제2 가열전극은서로접촉되고, 상기접촉된부위는상기제1 접촉면적과다른제2 접촉면적을갖는제2 구조물이구비된다. 상기제2 구조물상에, 상기제1 방향으로연장되는제3 도전패턴이구비된다. 상기메모리소자는상, 하부에형성되는메모리셀의전기적특성의차이가감소될수 있다.
Abstract translation: 存储元件设置有在基板上沿第一方向延伸的多个第一导电图案。 在第一导电图案上提供第一选择图案。 以及第一可变电阻图案和层压在第一选择图案上的第一加热电极，其中第一可变电阻图案和第一加热电极彼此接触，并且被接触部分具有第一接触区域 提供了第一种结构。 并且在第一结构上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二导电图案。 并且在第二导电图案上提供第二选择图案。 并且，第二可变电阻图案和第二加热电极层叠在第二选择图案上，其中第二可变电阻图案和第二加热电极彼此接触，并且被接触部分与第一接触区域 提供具有不同的第二接触区域的第二结构。 在第二结构上设置沿第一方向延伸的第三导电图案。 可以减小在存储器件的上侧和下侧上形成的存储器单元的电特性的差异。
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公开(公告)号：KR1020170107163A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160030731
申请日：2016-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/24 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L45/00 , H01L43/08
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2427 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 반도체메모리소자및 이의제조방법이개시된다. 반도체메모리소자는기판상에서제1 방향을따라연장하고상면에다수의돌출부와리세스가교대로배치되는제1 도전라인, 제1 도전라인의상부에제2 방향을따라연장하도록배치되어돌출부에서제1 도전라인과교차하는제2 도전라인, 제1 및제2 도전라인의각 교차점마다배치되는다수의메모리셀 구조물및 리세스에배치되어제1 도전라인상에서서로인접하게위치하는메모리셀 구조물을분리하는절연플러그를포함한다. 리세스의깊이만큼선택셀의주울열이인접셀로전달되는열전달경로를증가시킴으로써선택셀과인접셀 사이의열간섭을방지한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。 的半导体存储器装置被布置成在第一导电线，其设置在多个突起瓦里访问交联的顶表面和延伸在第一方向上所述衬底上的第一导电性的突起的第一导电线的顶部上沿第二方向延伸 的第二导电线，所述第一mitje 2被布置在多个存储单元结构，以及设置在导电线的每个交叉点，用于分离其位于彼此相邻的所述第一导电线相交的线的存储器单元结构中的绝缘插塞的凹部 它包括。 通过增大至所选择的小区的焦耳热的凹部的深度递送到相邻小区传热路径防止所选择的小区和相邻小区之间的热干扰。
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公开(公告)号：KR1020170099216A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160021318
申请日：2016-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 본발명의기술적사상에의한메모리소자는, 기판상에서제1 방향으로연장하고서로이격배치된복수의제1 도전라인들; 상기복수의제1 도전라인들상에서상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되고서로이격배치된복수의제2 도전라인들; 상기제1 도전라인들과상기제2 도전라인들사이의복수의교차지점들에각각배치되고, 제1 선택소자층, 제1 중간전극층, 제1 가변저항층및 제1 상부전극층이차례로적층된구조를각각포함하는복수의제1 메모리셀들; 및상기제2 도전라인들하에서상기제2 방향을따라상기제1 메모리셀들과교대로배치되는복수의제1 절연구조물들;을포함하고, 상기제1 절연구조물들은, 상기제1 상부전극층의상면보다높은상면을가지고, 상기제2 도전라인들은, 상기제1 상부전극층의상면에연결되는복수의볼록부들과, 상기볼록부들사이에서상기제1 절연구조물들을수용하는복수의오목부들이교대로배치되는구조를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术构思的存储器件包括：在基板上沿第一方向延伸且彼此间隔开的多条第一导线; 多条第二导线，在所述多条第一导线上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸并彼此间隔开; 多个第一导电层，布置在第一导线和第二导线之间的多个交叉处，并且具有第一选择元件层，第一中间电极层，第一可变电阻层， 多个第一存储器单元，每个都包括结构; 并且多个第一绝缘结构沿着第二方向与第一存储单元交替布置在第二导线下方， 第二导线具有连接到第一上电极层的上表面的多个凸部和交替地在凸部之间容纳第一绝缘结构的多个凹部 等等。
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公开(公告)号：KR101308549B1
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020070070161
申请日：2007-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C8/08 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 본 발명은 멀티-레벨 상변환 메모리 장치의 쓰기 방법을 제공하며, 쓰기 방법은 프로그램될 데이터에 따라 선택된 메모리 셀에 제 1 쓰기 전류를 공급하는 단계와; 그리고 상기 프로그램될 데이터에 따라 상기 선택된 메모리 셀로 제 2 쓰기 전류를 공급하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110076394A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020090133094
申请日：2009-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/12 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , H01L21/76205 , H01L45/126
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device is provided to improve the data preserving characteristic and the durability of the device by being composed of a phase change material film containing germanium, tellurium, and selenium and a phase change auxiliary film containing germanium. CONSTITUTION: A first electrode(412) is prepared. A second electrode(464) is separated from the first electrode. A phase change material film(440) is arranged between the first electrode and the second electrode. A phase change auxiliary film(432) covers at least part of the phase change material film and is separated from the first electrode. The phase change auxiliary film contains at least one of components composing the phase change material film.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件，通过由包含锗，碲和硒的相变材料膜和含有锗的相变辅助膜组成来提高器件的数据保存特性和耐久性。 构成：制备第一电极（412）。 第二电极（464）与第一电极分离。 相变材料膜（440）布置在第一电极和第二电极之间。 相变辅助膜（432）覆盖相变材料膜的至少一部分并与第一电极分离。 相变辅助膜含有构成相变材料膜的成分中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170098673A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160050113
申请日：2016-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 메모리소자는제1 방향으로연장되는제1 도전라인, 상기제1 도전라인상에서상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는제2 도전라인, 상기제2 도전라인상에서상기제1 방향으로연장되는제3 도전라인;,상기제1 도전라인과상기제2 도전라인의교차지점에배치되며, 제1 선택소자층과제1 가변저항층을포함하는제1 메모리셀; 및상기제3 도전라인과상기제2 도전라인의교차지점에배치되며, 제2 선택소자층과제2 가변저항층을포함하는제2 메모리셀을포함하고, 상기제1 선택소자층의상기제1 및제2 방향들에수직한제3 방향을따른제1 높이는상기제2 선택소자층의상기제3 방향을따른제2 높이와다르다.
Abstract translation: 存储器件包括在第一方向上延伸的第一导线，在第一导线上沿与第一方向相交的第二方向延伸的第二导线，在第二导线上沿第一方向延伸的第二导线， 第一存储单元，设置在所述第一导线和所述第二导线的交叉处，所述第一存储单元包括第一选择元件层任务1可变电阻层; 以及第二存储单元，设置在第三导线和第二导线的交叉处并且包括第二选择元件层任务2可变电阻层， 并且沿着垂直于第二方向的第三方向的第一高度不同于沿着第二选择元件层的沿着第三方向的第二高度。
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公开(公告)号：KR1020170096722A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020160018304
申请日：2016-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1683
Abstract: 가변저항메모리장치는제1 도전라인들, 제2 도전라인들, 메모리유닛, 및절연막구조물을포함할수 있다. 상기제1 도전라인들은각각이기판상면에평행한제2 방향으로연장될수 있으며, 상기기판상면에평행하고상기제2 방향과교차하는제1 방향을따라복수개로형성될수 있다. 상기제2 도전라인들은상기제1 도전라인들상에서각각이상기제1 방향으로연장될수 있으며, 상기제2 방향을따라복수개로형성될수 있다. 상기메모리유닛은상기제1 및제2 도전라인들사이에서상기기판상면에수직한제3 방향으로이들이서로오버랩되는각 영역들에형성되며가변저항패턴을포함할수 있다. 상기절연막구조물은상기제1 및제2 도전라인들사이에형성되어상기메모리유닛들을커버할수 있으며, 상기제3 방향으로상기제1 및제2 도전라인들중 어느것과도오버랩되지않는영역들중 적어도일부에형성된에어갭을포함할수 있다.
Abstract translation: 可变电阻存储器件可以包括第一导线，第二导线，存储单元和绝缘膜结构。 所述第一导电线可以在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸，分别，可以在沿着平行于且相交于所述基板的上表面上的第二方向的第一方向上的多个部件形成。 第二导线可以是第一，和在基座上延伸，在所述第一导电线中的每个的至少一个方向上，也可以形成沿所述第二方向上的多个块。 存储器单元可以包括可变电阻图案，该可变电阻图案形成在第一和第二导线在与基板的上表面垂直的第三方向上彼此重叠的每个区域中。 绝缘膜结构可以形成在第一和第二导线之间以覆盖存储单元，并且可以形成在不与第一和第二导线中的任一个在第三方向上重叠的区域的至少一部分上。 空隙。
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公开(公告)号：KR1020090123244A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080049221
申请日：2008-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , G11C5/14 , G11C7/1096 , G11C13/0038 , G11C2213/72
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a writing method thereof are provided to increase durability by preventing characteristic deterioration of a phase-change memory cell irrespective of repetitive writing of reset data. CONSTITUTION: It is determined whether write data to be written in a selected phase-change memory cell is set data or reset data(S10). Write data corresponding to the set data offers a pulse for writing the set data to the phase-change memory cell. A write operation of the set data having no write verification operation is performed(S50). Write data corresponding to the reset data performs a write-write verification loop. A level of a pulse corresponding to an initial reset status is offered at a level lower than a pulse for writing general reset data(S20). A write verification operation for the reset data is performed(S30). A pulse having a level increased more than a previously applied pulse is provided to the selected phase-change memory cell(S40).
Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其写入方法以通过防止相变存储器单元的特性劣化来提高耐久性，而不管重复写入复位数据。 构成：确定要写入所选择的相变存储单元中的写入数据是否被设置数据或复位数据（S10）。 与设定数据相对应的写入数据提供用于将设定数据写入相变存储单元的脉冲。 执行没有写入验证操作的设置数据的写入操作（S50）。 与复位数据相对应的写入数据执行写入验证循环。 提供与初始复位状态对应的脉冲电平低于写入通用复位数据的脉冲（S20）。 执行复位数据的写入验证操作（S30）。 具有比预先施加的脉冲高的电平的脉冲被提供给所选择的相变存储单元（S40）。
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公开(公告)号：KR100914267B1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：KR1020070060562
申请日：2007-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C11/56 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C16/3427
Abstract: 본 발명은 가변저항 메모리 장치를 제공한다. 상기 가변저항 메모리 장치는 프로그램된 데이터 상태에서의 칼코겐 물질의 저항의 시간에 따른 변동지수가 0.18 이하가 되도록 조절된다. 상기 칼코겐 물질이 수소, 탄소 또는 질소 원자를 함유하도록 하여, 칼코겐 비정질 물질의 저항 드리프트를 최소화한다. 멀티-레벨 가변 저항소자의 데이터들이 안정된 상태를 유지할 수 있다.
칼코겐, 저항, 드리프트, 멀티-레벨
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