公开(公告)号：KR101967352B1

公开(公告)日：2019-04-10

申请号：KR1020120122385

申请日：2012-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  오세충 ,  배병재 ,  정대은

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：KR1020160077330A

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020140186234

申请日：2014-12-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신혜민 ,  박준호 ,  정대은

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기메모리소자의제조방법은기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 상기터널배리어층및 상기상부자성층을패터닝하여자기터널접합(magnetic tunnel junction) 패턴을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록제1 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면에고분자패턴을형성하는단계; 상기고분자패턴의상면이노출되도록제2 절연층을형성하는단계; 상기자기터널접합패턴의상면이노출되도록상기고분자패턴을제거하는단계; 및상기고분자패턴이제거된공간에도전성금속을충전하여금속배선을형성하는단계;를포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及能够改善磁存储器件的磁隧道结特性的磁存储器件的制造方法。 根据本发明的实施例的磁存储器件的制造方法包括：在衬底上形成下磁性层，隧道势垒层和上磁性层的步骤; 通过图案化下磁性层，隧道势垒层和上磁性层形成磁隧道结图形的步骤; 形成第一绝缘层以暴露磁性隧道结图案的顶表面的步骤; 在磁隧道结图案的顶表面上形成聚合物图案的步骤; 形成第二绝缘层以暴露聚合物图案的顶表面的步骤; 去除聚合物图案以暴露磁性隧道结图案的顶表面的步骤; 以及通过填充去除聚合物图案的导电金属形成金属线的步骤。

公开(公告)号：KR1020160069599A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020140175196

申请日：2014-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정대은

IPC: H01L43/12 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

Abstract: 본발명의실시예에따른자기메모리소자의제조방법은, 기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을형성하는단계; 상기하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을포함하는적층체를식각하여자기터널접합패턴을형성하는단계; 상기자기접합터널패턴을덮는붕소흡착층을형성하는단계; 및상기상부및 하부자성층내에포함된붕소를붕소흡착층내로흡착시키기위해열처리하는단계; 를포함하고, 상기열처리하는단계는수소, 산소또는질소중 적어도하나의가스를포함하는가스분위기에서수행된다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造具有改善的电磁特性的磁存储器件的方法。 根据本发明的实施例的制造磁存储器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成下磁层，隧道势垒层和上磁层; 通过蚀刻包括下磁性层，隧道势垒层和上磁性层的层叠体形成磁隧道结图形; 形成覆盖所述磁隧道结图案的硼吸附层; 并进行热处理，以将上下磁性层中的硼吸附到硼吸附层中。 热处理步骤在包括氢，氧和氮中的至少一种的气体气氛下进行。

公开(公告)号：KR1020160010139A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：KR1020140091113

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정대은 ,  김상용 ,  송윤종

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C2013/0083 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 자기기억소자및 그의형성방법이제공된다. 상기자기기억소자는기판상에위치하고, 자성패턴들및 상기자성패턴들사이에위치하는터널배리어패턴을포함하는자기터널접합패턴; 및상기자기터널접합패턴상에위치하고, 상기자성패턴들보다높은결정화온도를갖는제 1 결정보존패턴을포함한다. 상기제 1 결정보존패턴은비정질이다.

Abstract translation: 提供一种磁存储器件及其形成方法。 磁存储器件包括：磁性隧道结图案，其位于衬底上并且包括磁图案和位于磁图案之间的隧道势垒图案; 以及位于磁性隧道结图案上并且具有比磁性图案更高的结晶温度的第一结晶保存图案。 第一个结晶保存图案是无定形的。

公开(公告)号：KR1020150026118A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：KR1020130104507

申请日：2013-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용관 ,  정대은 ,  한신희

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: A magnetic memory device is provided. The magnetic memory device comprises: a plurality of word lines extended along a direction crossing multiple activation areas; at least one source line connected to multiple first activation areas selected among the activation areas in a lower level than an upper surface of a circuit board; multiple contact pads connected to multiple second activation areas selected among the activation areas; multiple varied contact plugs connected to the second activation areas through the contact pads and arranged as six angle array structure; and multiple variable resistance structures connected to the second activation areas and arranged as the six angle array structure.

Abstract translation: 提供磁存储器件。 磁存储器件包括：沿着穿过多个激活区域的方向延伸的多个字线; 至少一个源极线连接到在比电路板的上表面低的水平的激活区域中选择的多个第一激活区域; 多个接触垫连接到从激活区域中选择的多个第二激活区域; 多个不同的接触插头通过接触垫连接到第二激活区域并且被布置成六角阵列结构; 以及连接到第二激活区域并被布置为六角阵列结构的多个可变电阻结构。