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    교차점 래치 및 그의 동작 방법
    11.
    发明公开
    교차점 래치 및 그의 동작 방법 有权
    交叉点闩锁及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020080101280A

    公开(公告)日：2008-11-21

    申请号：KR1020070047833

    申请日：2007-05-16

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정현종 ,  서순애 ,  이장원 ,  전대영 ,  정란주 ,  김동철 ,  배지영

    IPC: G11C11/00

    CPC classification number: H03K3/40 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/77 ,  G11C13/0002 ,  G11C5/02 ,  G11C2213/31

    Abstract: A cross-point latch and method of operating the same is provided to shorten latch time and be manufacture easily while having excellent reliability of the latch. A cross-point latch includes a signal line(1), a control line(2, 3) crossing the signal line and unipolar switch(4, 5) at the crossing of the signal line and the control line. A bipolar unipolar switch comprises the resistance changing material. The resistance changing material is one of the niO, feO, coO, nbO2, zrO2, hfO2, znO, tbO, YO and WO3. The bipolar unipolar switch is at the crossing of the first and the second control line. Different voltages are supplied to the first and the second control line with supplying the input voltage to the signal line. One of the unipolar switches is closed and the other is opened.

    Abstract translation: 提供了一种交叉点闩锁及其操作方法，以缩短闩锁时间并且容易地制造，同时具有优异的闩锁可靠性。 交叉点锁存器包括信号线（1），在信号线和控制线交叉处与信号线和单极开关（4,5）相交的控制线（2,3）。 双极单极开关包括电阻变化材料。 电阻变化材料是niO，feO，coO，nbO2，zrO2，hfO2，znO，tbO，YO和WO3之一。 双极单极开关处于第一和第二控制线的交叉处。 通过向信号线提供输入电压，向第一和第二控制线提供不同的电压。 单极开关之一是闭合的，另一个是打开的。

    원자층 증착용 가스 공급 장치
    12.
    发明公开
    원자층 증착용 가스 공급 장치 无效
    用于同时加热容器的原子层沉积物的气体供应装置，包括仅使用一个加热器，包括粉末源和载体气体

    公开(公告)号：KR1020050004379A

    公开(公告)日：2005-01-12

    申请号：KR1020030044542

    申请日：2003-07-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이재철 ,  정란주 ,  류연택

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45525

    Abstract: PURPOSE: A gas supplying apparatus for atomic layer deposition is provided to heat simultaneously a container including a powder source and a carrier gas implanted therein by using only one heater. CONSTITUTION: A container(210) is used for storing a powder source. A cover(113) is used for covering a top part of the container. A gas inflow tube(120) includes a preheating part wound around an outer circumference of the container and a connection part for connecting the preheating part to a carrier gas storage tank. A gas exhaust tube(130) is used for exhausting a source gas and a carrier gas. A heater(140) is used for heating the container and the preheating part. A temperature sensor is used for measuring an internal temperature of the container. A temperature controller(143) is used for controlling a power source of the heater according to the measured temperature.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于原子层沉积的气体供应装置，通过仅使用一个加热器同时加热包含粉末源和载体的容器。 构成：容器（210）用于储存粉末源。 盖（113）用于覆盖容器的顶部。 气体流入管（120）包括围绕容器的外周缠绕的预热部分和用于将预热部分连接到载气储罐的连接部分。 排气管（130）用于排出源气体和载气。 加热器（140）用于加热容器和预热部件。 温度传感器用于测量容器的内部温度。 温度控制器（143）用于根据测量的温度控制加热器的电源。

    리소그라피 장치 및 리소그라피 방법
    16.
    发明公开
    리소그라피 장치 및 리소그라피 방법 有权
    LITHOGRAPHY设备和LITHOGRAPHY方法

    公开(公告)号：KR1020090003801A

    公开(公告)日：2009-01-12

    申请号：KR1020070066767

    申请日：2007-07-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정현종 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  이장원

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/70775 ,  G03F7/7085 ,  H01L22/12

    Abstract: The lithography device and lithography method are provided to improve the charge mobility of the channel by forming the patterned layer on the material layer. The structure(5) including the object of the lithography process is loaded on the stage(20). The electron gun(30) is equipped in the ceiling of the chamber(1) of the upside of the stage. The electron gun generates the electron beam. The first and second detectors(40, 50) can be equipped in the side wall of the chamber. The second detector can be the electron detector for detecting the diffraction pattern(or, the scattering pattern) of the electronics.

    Abstract translation: 提供光刻设备和光刻方法以通过在材料层上形成图案化层来改善通道的电荷迁移率。 包括光刻处理对象的结构（5）被装载在平台（20）上。 电子枪（30）装在台的上侧的室（1）的天花板中。 电子枪产生电子束。 第一和第二检测器（40,50）可以装在腔室的侧壁中。 第二检测器可以是用于检测电子器件的衍射图案（或散射图案）的电子检测器。

    전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법
    17.
    发明公开
    전이 금속 고용체를 포함하는 저항성 메모리 소자 및 그제조 방법 有权
    电阻随机存取存储器，其中包含过渡金属固体溶液及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020080044479A

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：KR1020060113385

    申请日：2006-11-16

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이명재 ,  박영수 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  안승언

    IPC: H01L27/105

    CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

    Abstract: A resistive memory device having transition metal solid solution and a method for manufacturing the same are provided to obtain stable set voltage, reset voltage, and resistance characteristics during an operation. A resistive memory device having transition metal solid solution includes a lower electrode(21), a solid solution layer(24), a resistive layer(22), and a upper electrode(23). The solid solution layer is formed on the lower electrode. The resistive layer is formed on the solid solution layer. The upper electrode is formed on the resistive layer. The solid solution layer is a transition metal solid solution. The resistive layer is formed of a transition metal oxide. The transition metal oxide includes at least one of Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide, or Nb oxide.

    Abstract translation: 提供具有过渡金属固溶体的电阻式存储器件及其制造方法，以在操作期间获得稳定的设定电压，复位电压和电阻特性。 具有过渡金属固溶体的电阻式存储器件包括下电极（21），固溶层（24），电阻层（22）和上电极（23）。 固溶层形成在下电极上。 电阻层形成在固溶层上。 上电极形成在电阻层上。 固溶层为过渡金属固溶体。 电阻层由过渡金属氧化物形成。 过渡金属氧化物包括Ni氧化物，Ti氧化物，Hf氧化物，Zr氧化物，Zn氧化物，W氧化物，Co氧化物或Nb氧化物中的至少一种。

    리소그라피 장치 및 리소그라피 방법
    18.
    发明授权
    리소그라피 장치 및 리소그라피 방법 有权
    平版印刷设备和光刻法

    公开(公告)号：KR101437583B1

    公开(公告)日：2014-09-12

    申请号：KR1020070066767

    申请日：2007-07-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정현종 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  이장원

    IPC: H01L21/027

    Abstract: 리소그라피(lithography) 장치 및 리소그라피 방법에 대해 개시한다. 본 발명의 리소그라피 장치는 기판에 대한 리소그라피 공정을 수행하기 위한 리소그라피 장치에 있어서, 상기 기판의 결정 구조를 분석하기 위한 분석 장치 및 상기 분석된 결정 구조를 기초해서 상기 기판의 위치를 조정하는 수단을 포함하고, 상기 리소그라피 장치는 상기 위치가 조정된 기판에 대하여 리소그라피 공정을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 한다.

    전하 트랩형 메모리 소자
    20.
    发明公开
    전하 트랩형 메모리 소자 无效
    充电跟踪记忆设备

    公开(公告)号：KR1020090010758A

    公开(公告)日：2009-01-30

    申请号：KR1020070074120

    申请日：2007-07-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이장원 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  정현종

    IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

    CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    Abstract: A charge trap type memory device including a charge trapping layer is provided to improve retention characteristic and electric charge mobility horizontally like metal. As to a non-volatile memory device in which a tunnel insulating layer(120), a charge trapping layer(130), a blocking insulation film(140) and a top gate electrode(150) are successively laminated on a semiconductor substrate, the charge trapping layer is made of grapheme. The charge trapping layer is made of a plurality of grapheme layers. The tunnel insulating layer is made of silicon carbide. The blocking insulation film is an alumina or a hafnium oxide layer.

    Abstract translation: 提供包括电荷捕获层的电荷陷阱型存储装置，以改善水平地像金属的保持特性和电荷迁移率。 对于在半导体衬底上依次层叠有隧道绝缘层（120），电荷俘获层（130），阻挡绝缘膜（140）和顶栅电极（150）的非易失性存储器件， 电荷捕获层由图形制成。 电荷捕获层由多个图形层构成。 隧道绝缘层由碳化硅制成。 阻挡绝缘膜是氧化铝或氧化铪层。

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