公开(公告)号：KR1020160034112A

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：KR1020140125232

申请日：2014-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박미라 ,  성대진 ,  양유신 ,  이나경 ,  이상길 ,  전충삼 ,  정용덕

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/677

CPC classification number: G01R31/307 ,  G01R31/2831 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14

Abstract: 웨이퍼스토커상에반도체웨이퍼를적재하고, 이송모듈을이용하여상기반도체웨이퍼를상압의레이저어닐모듈의내부로이송하고, 레이저광선을이용하여상기반도체웨이퍼의일부영역들을국부적으로어닐하고, 상기이송모듈을이용하여상기어닐된반도체웨이퍼를진공의전자빔주사모듈의내부로이송하고, 상기반도체웨이퍼의어닐된영역내에전자빔을주사하고, 및상기전자빔이주사된영역으로부터방출되는 2차전자들을포집하는것을포함하는반도체소자의저항성결함검사방법이설명된다.

Abstract translation: 描述了一种用于检查半导体器件的电阻缺陷的方法。 该方法包括以下步骤：将半导体晶片装载在晶片储片器上; 通过使用转移模块将半导体晶片转移到大气压的激光退火模块; 通过使用激光束对半导体晶片的一些部分进行局部退火; 通过所述转印模块将所述退火的半导体晶片转换成真空状态的电子束扫描模块; 用电子束扫描半导体晶片的退火部分; 并收集从电子束扫描的部分发射的二次电子。

公开(公告)号：KR1020150028415A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130106919

申请日：2013-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임민호 ,  양유신 ,  이상길 ,  정용덕 ,  조형석

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8835

Abstract: 기판의 결함 검출 방법에 따르면, 제 1 강도를 갖는 제 1 광을 제 1 어퍼처를 통해서 기판의 제 1 영역으로 조사한다. 상기 제 1 영역으로부터 반사된 제 1 반사광으로부터 상기 제 1 영역 내의 결함을 검출한다. 제 2 강도를 갖는 제 2 광을 제 2 어퍼처를 통해서 상기 기판의 제 2 영역으로 조사한다. 상기 제 2 영역으로부터 반사된 제 2 반사광으로부터 상기 제 2 영역 내의 결함을 검출한다. 따라서, 기판의 각 영역별로 최적의 검출 조건으로 단시간 내에 결함을 정확하게 검출할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及检测基板的缺陷的方法及其执行装置。 根据检测衬底的缺陷的方法，通过第一孔将具有第一强度的第一光照射到衬底的第一区域。 通过使用来自第一区域的第一反射光来检测第一区域中的缺陷。 具有第二强度的第二光通过第二孔照射到衬底的第二区域。 通过使用来自第二区域的第二反射光来检测第二区域中的缺陷。 因此，在短时间内在最佳检测条件下，由衬底的区域精确地检测缺陷。

公开(公告)号：KR1020140028701A

公开(公告)日：2014-03-10

申请号：KR1020120095593

申请日：2012-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박미라 ,  손영훈 ,  양유신 ,  이상길 ,  정용덕

IPC: G01R31/02

CPC classification number: G01N23/2251 ,  G01R31/305 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2806

Abstract: Provided are a method of inspecting a semiconductor device and a semiconductor inspecting apparatus used for the same. The method comprises: obtaining a reference electron-decay time of a reference pattern; performing detection operations to detect secondary electron amounts on a detection target pattern N times (N >= 2), wherein each of the detection operations comprises irradiating an electron beam to the detection target pattern, and detecting secondary electron amounts from the detection target pattern after the reference electron-decay time has elapsed from when the electron beam is blocked; and determining the detection operation for which the maximum secondary electron amount among the N number of detected secondary electron amounts is obtained. [Reference numerals] (S100) Obtain a reference electron-decay time of a reference pattern; (S200) Perform detection operations to detect secondary electron amounts on a detection target pattern N times; (S300) Determine the detection operation for which the maximum secondary electron amount among the N number of detected secondary electron amounts is obtained

Abstract translation: 提供了一种检查半导体器件的方法和用于其的半导体检查装置。 该方法包括：获得参考图案的参考电子衰减时间; 执行检测操作以检测检测目标图案上的二次电子量N次（N> = 2），其中每个检测操作包括向检测目标图案照射电子束，并且在检测目标图案之后检测来自检测目标图案的二次电子量 参考电子衰减时间从电子束被阻塞时就已经过去了; 并且确定获得N个检测到的二次电子量中的最大二次电子量的检测操作。 （附图标记）（S100）获得参考图案的参考电子衰减时间; （S200）进行检测动作，检测检测对象图案上的二次电子量N次; （S300）求出N次检测出的二次电子量的最大二次电子量的检测动作

公开(公告)号：KR1020060039533A

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：KR1020040088647

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  학교법인 한국정보통신학원

Inventor： 윤천주 ,  이혁재 ,  유학 ,  정용덕 ,  원용협

IPC: G02B6/35 ,  G02B26/08

CPC classification number: G02B6/3548 ,  G02B6/2746 ,  G02B26/08

Abstract: 본 발명은 입력된 광신호를 전기 신호로 변환하지 않고 입력된 광신호를 광신호 상태에서 스위칭 할 수 있는 광 스위치, 입력된 광신호가 패킷 광신호이거나 버스트 광신호인 경우 고속 스위칭을 수행할 수 있는 광 스위치를 제안한다. 이를 위해 본 발명은 패브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 스위치를 제안한다. 패브리-페롯 레이저 다이오드 광스위치는 주입 잠김 성질과 전기적 조절 신호를 이용하여 입력 광신호를 통과시키거나 막는 역할을 한다. 따라서, 전기적 조절 신호가 인가되지 않으면 광신호가 출력되지 않으며 전기적 조절 신호가 인가되면 입력된 광신호가 주입잠김 되어 출력 된다.
FP-LD, 광 패킷 스위치, 스위칭 조절 신호, 주입잠김