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公开(公告)号：KR1020160010974A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140091807
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N21/9501 , G02B3/0006 , G02B21/0016 , G02B26/0808
Abstract: 예시적인실시예들에따른광학측정시스템은검사대상체의표면에입사시키기위한평행광을생성하고평행광의파장을가변할수 있는평행광생성부, 평행광의경로상에위치하여소정의회전각으로회전가능하도록구비되어평행광의파장및 회전각에따라검사대상체의표면에대한평행광의입사각및 입사위치를각각변경할수 있는회전격자, 및회전격자를통과한평행광이입사각및 입사위치로검사대상체의표면에입사및 반사하여생성되는반사광을수집하는수집부를포함할수 있다. 파장을가변하고회전격자를회전시켜검사대상체의표면에대한평행광의입사각및 입사위치를변경할수 있기때문에, 빠른속도로검사대상체의표면을검사할수 있다. 광학측정시스템의결점검출효율이높일수 있고반도체생산공정의전체효율및 생산성을높일수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的光学测量系统可以包括：平行光产生部分，其产生入射到待测试物体的表面的平行光，并且可以改变平行光的波长; 旋转光栅，其可以根据旋转角度和平行光的波长相对于待测试物体的表面改变平行光的入射角和入射位置，被配置为可以以固定的旋转角度旋转 同时位于平行光的路径上; 并且收集通过经过旋转光栅的平行光产生的反射光的收集部分入射到入射角和入射位置的待测试物体表面并从其反射。 光学测量系统可以快速测试被测物体的表面，因为光学测量系统可以通过改变波长来改变平行光相对于待测物体表面的入射角和入射位置， 旋转旋转光栅。 此外，本发明可以提高光学测量系统的缺陷检测效率，并且可以提高半导体生产过程的总效率和生产率。
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公开(公告)号：KR1020150094118A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140015005
申请日：2014-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 리뷰 장치의 동작 방법은 반도체 웨이퍼의 결함을 검출하는 단계; 반도체 웨이퍼의 영역들 중 검출된 결함이 포함되는 영역의 고배율 영상을 획득하는 단계; 획득한 고배율 영상을 기반으로 자기 영상 비교 동작을 수행하여 결함의 위치를 감지하는 단계; 감지된 결함의 위치를 기반으로 결함의 특징을 추출하는 단계; 및 추출된 특징을 기반으로 검출된 결함의 유형을 분류하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种检查装置的操作方法，其能够对没有参考图像的基于磁图像比较的检测到的缺陷的类型进行分类。 根据本发明的实施例的检查装置的操作方法包括：检测半导体晶片的缺陷的步骤; 获得包括在半导体晶片的区域中检测到的缺陷的区域的高倍率图像的步骤; 通过基于所获得的高倍数图像执行磁图像比较操作来检测缺陷的位置的步骤; 基于检测到的缺陷的位置提取缺陷的特征的步骤; 以及基于所提取的特性对检测到的缺陷的类型进行分类的步骤。
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公开(公告)号：KR102240270B1
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：KR1020140091807
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 예시적인실시예들에따른광학측정시스템은검사대상체의표면에입사시키기위한평행광을생성하고평행광의파장을가변할수 있는평행광생성부, 평행광의경로상에위치하여소정의회전각으로회전가능하도록구비되어평행광의파장및 회전각에따라검사대상체의표면에대한평행광의입사각및 입사위치를각각변경할수 있는회전격자, 및회전격자를통과한평행광이입사각및 입사위치로검사대상체의표면에입사및 반사하여생성되는반사광을수집하는수집부를포함할수 있다. 파장을가변하고회전격자를회전시켜검사대상체의표면에대한평행광의입사각및 입사위치를변경할수 있기때문에, 빠른속도로검사대상체의표면을검사할수 있다. 광학측정시스템의결점검출효율이높일수 있고반도체생산공정의전체효율및 생산성을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130102311A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023458
申请日：2012-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/225 , G01B21/20
CPC classification number: G01B15/00 , G01N23/225 , G06T7/60 , G06T2207/10061 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/24578 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817
Abstract: PURPOSE: A method and a device for measuring a stepped portion of an element by using a scanning electron microscope are provided to measure a 3D etching depth regardless of the repeatability and shape of minute patterns with a non-contact scanning method. CONSTITUTION: A method for measuring a stepped portion of an element by using a scanning electron microscope includes the following steps of: providing an element including first and second regions, and a stepped portion formed between the first and second regions; acquiring SEM images (200) including a first SEM image region in respect to a first region and a second SEM image region (220) in respect to a second region by photographing the element with the scanning electron microscope; calculating a first peak value related to the first SEM image region and a second peak value related to the second SEM image region by making a histogram of a gray level by using the SEM images; repeating the step of calculating the first and second peak values according to a changed focal distance while changing the focal distance of the scanning electron microscope; and determining the height of the stepped portion by analyzing progresses of changes in the first and second peak values due to the change in the focal distance.
Abstract translation: 目的：提供一种使用扫描电子显微镜测量元件的阶梯部分的方法和装置，以便用非接触式扫描方法测量三维蚀刻深度，而不管微小图案的重复性和形状如何。 构成：使用扫描电子显微镜测量元件的阶梯部分的方法包括以下步骤：提供包括第一和第二区域的元件和形成在第一和第二区域之间的阶梯部分; 通过用扫描电子显微镜拍摄元件，获取包括关于第一区域的第一SEM图像区域和相对于第二区域的第二SEM图像区域（220）的SEM图像; 通过使用SEM图像来计算与第一SEM图像区域相关的第一峰值和与第二SEM图像区域相关的第二峰值; 重复在改变扫描电子显微镜的焦距的同时根据改变的焦距来计算第一和第二峰值的步骤; 以及通过分析由于焦距的变化引起的第一和第二峰值的变化的进展来确定阶梯部分的高度。
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公开(公告)号：KR100730363B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020030079380
申请日：2003-11-11
Applicant: 학교법인 한국정보통신학원 , 삼성전자주식회사
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H01S5/5036 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/509
Abstract: 본 발명은 다중 모드의 페브리 페롯 레이저 다이오드를 이용하여 외부로부터 수신되는 광 신호의 파장을 변환하여 출력하는 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는, 프로브 광 신호의 편광을 조절하여 TM 편광의 프로브 광 신호로 출력시키며, 외부로부터 수신되는 펌프 광 신호의 편광을 조절하여 TE 편광의 펌프 광 신호로 출력시킨다. 이후, 출력된 각 신호의 편광과 무관하게 프로브 광 신호와 펌프 광 신호를 결합하며, 이중 프로브 광 신호와 펌프 광 신호의 각 모드가 페브리 페롯 레이저 다이오드의 TM(Transverse Magnetic) 및 TE(Transverse Electric) 모드에 맞도록 세부적으로 조절하여 출력한다. 이후, 페브리 페롯 레이저 다이오드는 TE 편광의 펌프 광 신호를 주입 잠김하여 TM 모드에 따른 흡수골(-출력 광신호의 크기가 최저인 지점-)의 위치를 변위시킴으로써, TE 편광의 펌프 광 신호의 파장을 상기 TM 편광의 프로브 광 신호의 파장으로 변환하여 출력한다.
이를 통하여, 넓은 파장 변환 대역을 제공함과 동시에, 반전 및 비반전의 파장 변환을 용이하게 수행할 수 있다.
페브리 페롯 레이저 다이오드, 파장 변환, 흡수골, 주입 잠김, 변위-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100713158B1
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020040088647
申请日：2004-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 학교법인 한국정보통신학원
Abstract: 본 발명은 입력된 광신호를 전기 신호로 변환하지 않고 입력된 광신호를 광신호 상태에서 스위칭 할 수 있는 광 스위치, 입력된 광신호가 패킷 광신호이거나 버스트 광신호인 경우 고속 스위칭을 수행할 수 있는 광 스위치를 제안한다. 이를 위해 본 발명은 패브리-페롯 레이저 다이오드를 이용한 광 스위치를 제안한다. 패브리-페롯 레이저 다이오드 광스위치는 주입 잠김 성질과 전기적 조절 신호를 이용하여 입력 광신호를 통과시키거나 막는 역할을 한다. 따라서, 전기적 조절 신호가 인가되지 않으면 광신호가 출력되지 않으며 전기적 조절 신호가 인가되면 입력된 광신호가 주입잠김 되어 출력 된다.
FP-LD, 광 패킷 스위치, 스위칭 조절 신호, 주입잠김-
公开(公告)号：KR1020040007352A
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1020030079380
申请日：2003-11-11
Applicant: 학교법인 한국정보통신학원 , 삼성전자주식회사
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H01S5/5036 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/509
Abstract: PURPOSE: An optical wavelength conversion device using injection locking of an FP(Febry-Perot)-LD(Laser Diode) is provided to displace central wavelengths of an absorption block caused by injection locking characteristics for TM(Transverse Magnetic) and TE(Transverse Electric) polarized signals, thereby supplying wide wavelength conversion bands. CONSTITUTION: The first polarization controller(170) controls polarization of a pump optical signal, and outputs the pump optical signal for TE polarization. The second polarization controller(130) controls polarization of a probe optical signal, and outputs the probe optical signal for TM polarization. A PBS(Polarization Beam Separator)(150) couples the probe optical signal with the pump optical signal. An FP-LD(110) injection-locks the pump optical signal, displaces a position of an absorption block in accordance with a TM mode, and converts a wavelength of the pump optical signal into a wavelength of the probe optical signal. A circulator(140) outputs the probe optical signal.
Abstract translation: 目的：提供一种使用FP（Febry-Perot）-LD（激光二极管）的注入锁定的光学波长转换装置，用于取代由TM（横向磁性）和TE（横向电气）的注入锁定特性引起的吸收块的中心波长 ）极化信号，从而提供宽波长转换频带。 构成：第一偏振控制器（170）控制泵浦光信号的偏振，并输出用于TE偏振的泵浦光信号。 第二偏振控制器（130）控制探测光信号的偏振，并输出用于TM偏振的探测光信号。 PBS（偏振光束分离器）（150）将探测光信号与泵浦光信号耦合。 FP-LD（110）注射锁定泵浦光信号，根据TM模式移位吸收块的位置，并将泵浦光信号的波长转换成探测光信号的波长。 循环器（140）输出探测光信号。
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公开(公告)号：KR101896903B1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：KR1020120023458
申请日：2012-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/225 , G01B21/20
CPC classification number: G01B15/00 , G01N23/225 , G06T7/60 , G06T2207/10061 , H01J37/222 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J2237/24578 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817
Abstract: 주사전자현미경을이용하여소자의단차를측정하는방법은, 제1 및제2 영역을포함하되, 상기제1 영역과상기제2 영역사이에단차가형성된소자를제공하고, 주사전자현미경(SEM)으로상기소자를촬영하여 SEM 이미지를획득하되, 상기 SEM 이미지는상기제1 영역에대한제1 SEM 이미지영역및 상기제2 영역에대한제2 SEM 이미지영역을포함하고, 상기 SEM 이미지를그레이레벨의히스토그램화하여, 상기제1 SEM 이미지영역과관련된제1 피크값(peak value)과상기제2 SEM 이미지영역과관련된제2 피크값을산출하되, 상기주사전자현미경의초점거리를변경시키면서변경된초점거리에따른상기제1 및제2 피크값을산출하는것을반복하고, 초점거리의변화에따른상기제1 피크값의변화의추이와, 초점거리의변화에따른상기제2 피크값의변화의추이를분석하여, 상기단차의크기를결정하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140039680A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120106179
申请日：2012-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: According to a method of measuring an overlay, a first image of a first overlay key is obtained. A first intensity profile of the first image is measured. A second image of a second overlay key is obtained. A second intensity profile of the second image is measured. The second intensity profile is corrected in order to make the first intensity profile match the second intensity profile. An overlay is obtained by the corrected second intensity profile and the first intensity profile. Therefore, a misalignment value of the overlay keys can be accurately calculated by inversely correcting the profile of the overlay key. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (ST100) Obtain a first image of a first overlay key; (ST110) Measure a first intensity profile of the first image; (ST120) Obtain a second image of a second overlay key; (ST130) Measure a second intensity profile of the second image; (ST140) Calculate NIC values by analyzing the contrast of each pixel of the first image and the second image; (ST150) Calculate entire NIC values of all overlay patterns of the first overlay key and the second overlay key; (ST160) Process the second image by using the corrected second profile; (ST170) Obtain a first misalignment value between the first overlay key and the second overlay key from the NIC values; (ST180) Obtain a second misalignment value by performing the ST100 to ST170 to a third overlay key and a fourth overlay key; (ST190) Measure the overlay from the first misalignment value and the second misalignment value
Abstract translation: 根据测量覆盖的方法，获得第一覆盖键的第一图像。 测量第一图像的第一强度分布。 获得第二覆盖键的第二图像。 测量第二图像的第二强度分布。 校正第二强度分布以使第一强度分布匹配第二强度分布。 通过校正的第二强度分布和第一强度分布获得覆盖。 因此，可以通过逆向校正覆盖键的轮廓来精确地计算覆盖键的未对准值。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （ST100）获取第一重叠键的第一图像; （ST110）测量第一图像的第一强度分布; （ST120）获取第二覆盖键的第二图像; （ST130）测量第二图像的第二强度分布; （ST140）通过分析第一图像和第二图像的每个像素的对比度来计算NIC值; （ST150）计算第一覆盖键和第二覆盖键的所有覆盖图案的整个NIC值; （ST160）通过使用校正的第二轮廓来处理第二图像; （ST170）从NIC值获取第一重叠键和第二覆盖键之间的第一未对准值; （ST180）通过将ST100〜ST170执行到第三覆盖键和第四覆盖键，获得第二未对准值; （ST190）从第一个未对准值和第二个未对准值测量叠加
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