公开(公告)号：KR1020090096064A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020080021403

申请日：2008-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정영천 ,  한정욱 ,  유재민 ,  박재현 ,  노관종 ,  임병철 ,  정용석

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28141 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477

Abstract: A nonvolatile memory device having a vertical cell and a method for manufacturing the same are provided to obtain a suitable process for a high integration device by forming a floating gate and a control gate on a side of a vertical active region. In a nonvolatile memory device having a vertical cell and a method for manufacturing the same, a plurality of vertical active areas is formed on a semiconductor substrate(100). A source and a drain(130) are formed at the lower part of the vertical active area upper part and side. A tunnel dielectric layer(135) is formed on the side wall of the vertical activity area, and a floating gate electrode(140) is formed on the tunnel oxide film. An inter layer dielectric(145) is formed on the floating gate electrode. A control gate(150) is formed while surrounding the inter-layer insulating film and the floating gate electrode.

Abstract translation: 提供具有垂直单元的非易失性存储器件及其制造方法，以通过在垂直有源区域的侧面上形成浮置栅极和控制栅极来获得高集成度器件的合适的工艺。 在具有垂直单元的非易失性存储器件及其制造方法中，在半导体衬底（100）上形成多个垂直有源区。 源极和漏极（130）形成在垂直有源区域上部和侧部的下部。 隧道介电层（135）形成在垂直活动区域的侧壁上，并且在隧道氧化膜上形成浮栅电极（140）。 在浮栅电极上形成层间电介质（145）。 在围绕层间绝缘膜和浮栅电极的同时形成控制栅极（150）。

公开(公告)号：KR1020080074573A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：KR1020070013878

申请日：2007-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류지도 ,  서보영 ,  전희석 ,  유현기 ,  최성곤 ,  전창민 ,  정용석

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/2463

Abstract: A method for manufacturing a mask ROM(Read-Only-Memory) having a short channel in an on-cell region and a mask ROM manufactured by the same are provided to improve leakage current characteristic of a mask ROM device by preventing a lattice damage of a gate electrode and an interface damage. An isolation layer defining an active region is formed on a semiconductor substrate. The active region has OFF and ON active regions(102a). An OFF gate electrode(114a) having a first width is formed on the OFF active region. A gate electrode having a second width is formed on the ON active region. Before the isolation layer is formed, p-type impurity is ion-implanted to the semiconductor substrate. OFF and ON channel regions formed respectively on lower portions of the OFF and ON electrodes have same densities. Before the OFF and ON gate electrodes are formed, a gate dielectric is formed.

Abstract translation: 提供一种用于制造在单元格区域中具有短通道的掩模ROM（只读存储器）和由其制造的掩模ROM的方法，以通过防止掩模ROM器件的晶格损伤来改善掩模ROM器件的漏电流特性 栅电极和界面损坏。 在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。 有源区域具有OFF和ON有效区域（102a）。 在OFF有源区域上形成具有第一宽度的OFF栅电极（114a）。 具有第二宽度的栅电极形成在ON有源区上。 在形成隔离层之前，将p型杂质离子注入到半导体衬底中。 OFF和ON电极分别形成在OFF和ON电极的下部的ON和OFF通道区域具有相同的密度。 在形成OFF和ON栅电极之前，形成栅极电介质。

公开(公告)号：KR1019980017384A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960037161

申请日：1996-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석

IPC: G06K5/00

Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야:하드 디스크 드라이브의 데이타 전송오류 방지방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적과제:하드 디스크 드라이브의 데이타 리드/라이트 동작시 디스크와 호스트컴퓨터 사이의 데이타 전송오류를 방지할 수 있는 방법을 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지:하드 디스크 드라이브의 데이타 전송오류 방지방법에 있어서, 호스트컴퓨터로부터 전송되는 데이타에 어드레스를 부여하는 과정과, 전송된 데이타와 부여된 어드레스를 디스크상에 함께 기록하는 과정과, 리드데이타 전송시 각 섹터에 부여된 어드레스와 전송하고자 하는 목표섹터의 어드레스가 동일할 경우에만 리드데이타를 전송하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도:디스크와 호스트컴퓨터사이의 데이타 전송에 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970060046A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR1019960000298

申请日：1996-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석

IPC: G11B5/012

Abstract: 본 발명은 하드 디스크의 디펙트 처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 불량 섹터를 대치하기 위해 소정의 스페어 섹터를 두는 디펙트 처리방법에 있어서, 트랙당 1개의 스페어 섹터를 두지 않고 실린더의 맨 마지막 트랙에 소정 갯수의 스페어 섹터를 두는 한편, 설정된 스페어 섹터의 수보다 많은 수의 불량 섹터가 존재하는 경우의 불량 섹터를 처리하기 위해 불량 섹터 중 현재의 실린더에서 처리하지 못하는 불량 섹터는 가장 가까운 인접 실린더의 사용되지 않는 스페어 섹터에 재할당하여 처리하는 점에 그 특징이 있다.
이와 같이 트랙당이 아닌 실린더당 일정한 갯수의 스페어 섹터를 마련함으로써 스페어 섹터가 차지하는 크기를 줄일 수 있고, 재할당된 섹터를 가장 가까운 실린더의 스페어 섹터로 대치함으로써 재할당된 섹터를 판독/기록하기 위한 씨크 시간을 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR101920718B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020120082239

申请日：2012-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  정용석 ,  김용성 ,  이창승 ,  문창렬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

Abstract: 개시된그래핀소자제조장치는전극; 기판과, 상기기판상에형성된금속촉매층과, 상기금속촉매층상에형성된그래핀층과상기그래핀층위에형성된보호층을포함하는그래핀구조체; 상기전극과상기금속촉매층간에전압을인가하는전원부; 상기전극과상기그래핀구조체를수용하는수조; 상기수조를채우는전해질;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170029809A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：KR1020150126863

申请日：2015-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서기석 ,  심재철 ,  이길호 ,  정용석 ,  고관협 ,  송윤종

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: 자기저항메모리장치제조방법에서, 기판상에제1 층간절연막및 식각저지절연막을순차적으로형성한다. 상기식각저지절연막및 상기제1 층간절연막을관통하는하부전극을형성한다. 상기하부전극및 상기식각저지절연막상에자기터널접합(MTJ) 구조물막 및상부전극을순차적으로형성한다. 상기상부전극을식각마스크로사용하는물리적식각공정을수행하여상기 MTJ 구조물막을패터닝함으로써, 상기하부전극에적어도부분적으로접촉하는 MTJ 구조물을형성하다. 상기제1 층간절연막은상기식각저지절연막에의해보호되어상기물리적식각공정에의해식각되지않는다.

Abstract translation: 在制造磁阻存储器件的方法中，在衬底上顺序地形成第一层间绝缘膜和蚀刻停止绝缘膜。 穿透蚀刻停止绝缘膜和第一层间绝缘膜的下电极被形成。 MTJ结构膜和上电极依次形成在下电极和蚀刻停止绝缘膜上。 执行使用上电极作为蚀刻掩模的物理蚀刻工艺以图案化MTJ结构膜以形成至少部分地与下电极接触的MTJ结构。 第一层间绝缘膜由腐蚀停止绝缘膜保护，并且不被物理腐蚀过程腐蚀。

公开(公告)号：KR1020150025492A

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：KR1020130103462

申请日：2013-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석 ,  이상희

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2061 ,  G03F1/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/3045 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776 ,  H01L21/0275 ,  G03F7/40

Abstract: 전자 빔을 이용하는 패턴 형성 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템이 제공된다. 이 방법은 전자 빔의 공간적 분포를 정의하는 노광 레이아웃을 준비하고, 노광 레이아웃에 기초하여 마스크막에 대한 전자 빔 노광 공정을 실시하고, 마스크막에 대한 현상 공정을 실시하여 제 1 패턴을 포함하는 마스크 패턴들을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 제 1 패턴은 단일한 꽉찬 패턴이고, 노광 레이아웃은 제 1 패턴에 대응되는 영역에서 서로 다른 복수의 전자 빔 조건들을 정의하는 제 1 데이터를 포함할 수 있다.

Abstract translation: 提供了使用电子束的图案化方法和进行该电子束的曝光系统。 该方法包括准备限定电子束的空间分布的曝光布局，基于曝光布局对掩模层执行电子束曝光处理，以及通过对掩模层进行显影处理来形成包括第一图案的掩模图案 。 第一种模式是单一填充模式。 曝光布局可以包括在对应于第一图案的区域中限定不同电子束条件的第一数据。

公开(公告)号：KR102197873B1

公开(公告)日：2021-01-04

申请号：KR1020130103462

申请日：2013-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석 ,  이상희

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 전자빔을이용하는패턴형성방법및 이를수행하는노광시스템이제공된다. 이방법은전자빔의공간적분포를정의하는노광레이아웃을준비하고, 노광레이아웃에기초하여마스크막에대한전자빔 노광공정을실시하고, 마스크막에대한현상공정을실시하여제 1 패턴을포함하는마스크패턴들을형성하는것을포함할수 있다. 제 1 패턴은단일한꽉찬패턴이고, 노광레이아웃은제 1 패턴에대응되는영역에서서로다른복수의전자빔 조건들을정의하는제 1 데이터를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170018191A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020150111195

申请日：2015-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석 ,  송윤종 ,  이용규 ,  고관협

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/203 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/266 ,  H01L27/228

Abstract: 본발명은하드마스크패턴의형성방법및 이를이용한반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판상의식각대상막상에하드마스크막을형성하는것; 상기하드마스크막상에개구부를갖는포토레지스트패턴을형성하는것, 상기개구부는상기하드마스크막의일 영역을노출하고; 상기포토레지스트패턴을마스크로상기일 영역상에산소이온주입을수행하여, 상기일 영역에산화된부분을형성하는것; 및상기산화된부분을식각마스크로상기하드마스크막을패터닝하는것을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明构思提供了形成硬掩模图案的方法。 该方法包括在设置在基板上的蚀刻目标层上形成硬掩模层，形成具有暴露硬掩模层的一个区域的开口的光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案作为一个区域对该区域进行氧离子注入工艺 在一个区域中形成氧化部分，并使用氧化部分作为蚀刻掩模对硬掩模层进行构图。

公开(公告)号：KR1020170016159A

公开(公告)日：2017-02-13

申请号：KR1020150109574

申请日：2015-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정용석 ,  전환철 ,  권성원 ,  김병국 ,  최재혁

IPC: G03F1/62 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00 ,  H01L21/02 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62

Abstract: 펠리클은망상구조를이루도록서로교차하여배열된복수의나노와이어를포함하는다공성박막이구비된펠리클막을포함한다. 포토마스크조립체는상기펠리클과, 상기펠리클이고정된표면을가지는포토마스크를포함한다.

Abstract translation: 防护薄膜组件包括防护薄膜，其包括多孔薄膜。 多孔薄膜包括多个纳米线，它们彼此排列以形成网状结构。 光掩模组件包括防护薄膜组件和光掩模，其中防护薄膜组件固定到光掩模的表面。