公开(公告)号：KR1020060107992A

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：KR1020050029952

申请日：2005-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이석하 ,  노재섭 ,  남정현 ,  정희근

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 두 종류의 소자분리영역을 포함하는 씨모스(CMOS) 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는, 포토다이오드가 형성되는 활성영역의 적어도 일 측면을 둘러싸는 불순물 도핑으로 형성된 소자분리영역과, 그 위에 제어 게이트들이 형성되는 활성영역과 포토다이오드가 형성되는 활성영역의 일부를 둘러싸는 절연층으로 형성된 소자분리영역을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020150100382A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020140022129

申请日：2014-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오영선 ,  이경호 ,  정희근

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 씨모스 이미지 센서는 화소 영역과 주변 회로영역을 포함하는 기판, 상기 화소 영역의 상기 기판 내에 형성된 포토 다이오드 및 플로팅 확산영역, 상기 포토 다이오드 및 상기 플로팅 확산영역 사이의 상기 기판 상에 형성된 전송 게이트 절연막 및 전송 게이트, 및 상기 주변 회로영역 상에 형성된 주변 게이트 절연막 및 주변 게이트를 포함한다. 상기 전송 게이트는 제1 곡률 반경을 갖도록 라운드 진 제1 엣지를 포함하고, 상기 주변 게이트는 상기 제1 곡률 반경보다 작은 제2 곡률 반경을 갖도록 라운드진 제2 엣지를 포함한다.

Abstract translation: COMS图像传感器包括：具有像素区域和外围电路区域的基板; 形成在像素区域内的基板内的光电二极管和浮动扩散区域; 形成在基板上的光电二极管和浮动扩散区之间的传输栅极绝缘膜和传输栅极; 以及形成在外围电路区域中的外围绝缘体膜和外围栅极。 传输门包括圆形以具有第一曲率半径的第一边缘，并且周边门包括圆形的第二边缘以具有小于第一曲率半径的第二曲率半径。

公开(公告)号：KR1020150046898A

公开(公告)日：2015-05-04

申请号：KR1020130126449

申请日：2013-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정영우 ,  안정착 ,  정희근

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 이미지소자의제조방법으로, 포토다이오드를포함하는기판에개구부를형성한다. 상기개구부내부표면및 기판상부면을따라게이트절연막및 예비제1 폴리실리콘막을형성한다. 상기개구부내부표면에위치한예비제1 폴리실리콘막에균일하게제1 도전형의불순물이도핑되도록제1 불순물도핑공정을수행하여제1 폴리실리콘막을형성한다. 상기제1 폴리실리콘막상에예비제2 폴리실리콘막을형성한다. 상기예비제2 폴리실리콘막전면에대해제2 불순물도핑공정을수행하여제2 폴리실리콘막을형성한다. 상기제1 및제2 폴리실리콘막을패터닝하여상기개구부에매립게이트전극을형성한다. 상기매립게이트전극의일 측의기판표면부위에제1 불순물영역을형성한다. 상기한이미지소자는균일하게불순물이도핑된매립게이트전극을포함하므로우수한특성을갖는다.

Abstract translation: 本发明涉及图像传感器的制造。 图像传感器的制造方法包括：在具有光电二极管的基板上形成开口部的工序; 沿着基板的开口部分和上表面的内表面形成栅极电介质膜和第一初步多晶硅膜的步骤; 通过进行第一杂质掺杂工艺形成第一多晶硅膜的步骤，其中开口部分的内表面上的初步第一多晶硅均匀地掺杂有第一导电类型的杂质，形成第二初步多晶硅膜的步骤 第一多晶硅膜，通过在第二初步多晶硅膜的前表面上进行掺杂来形成第二多晶硅膜的步骤，通过对第一和第二多晶硅膜进行构图来在开口部分上形成掩埋栅电极的步骤; 以及在所述掩埋栅电极的一侧的所述基板的表面上形成第一杂质区域的工序。 包括均匀掺杂杂质的掩埋栅电极的图像传感器具有优异的特性。

公开(公告)号：KR1020140111492A

公开(公告)日：2014-09-19

申请号：KR1020130025713

申请日：2013-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이신욱 ,  고형수 ,  이경호 ,  정영우 ,  정희근

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464

Abstract: The present invention relates to a semiconductor device. The semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes a substrate; and a gate electrode which is arranged by interposing a gate insulating layer to the substrate. According to one embodiment of the present invention, the gate electrode includes a first gate pattern arranged on the substrate, and second gate patterns.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件。 根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：衬底; 以及通过将栅极绝缘层插入到所述衬底而布置的栅电极。 根据本发明的一个实施例，栅电极包括布置在衬底上的第一栅极图案和第二栅极图案。

公开(公告)号：KR1020080013566A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060075253

申请日：2006-08-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영준 ,  정희근 ,  이윤기

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683

Abstract: An image sensor and a method for manufacturing the same are provided to improve condensing efficiency of the image sensor by using an inner lens without increasing an aspect ratio. A first dielectric(30) is formed on a semiconductor substrate(10) on which a light receiving device(14) is formed. A metal wire(45) is formed on the first dielectric. A molding layer(65) is formed between the metal wires. The molding layer has an upper surface that is convex downwardly. A second dielectric(70) is formed on the semiconductor substrate and includes an inner lens(75) contacted to the molding layer. The inner lens is convex downwardly. A micro lens(90) is formed on the inner lens. When the metal lens is formed, a metal layer is formed on the first dielectric. A mask pattern is formed on the metal layer. The metal layer is etched by using the mask pattern as an etch mask. When the molding layer is formed, a third dielectric is formed on the substrate where the metal wire and the mask pattern are formed. Etch rates of the mask pattern and the third dielectric are different.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，以通过使用内透镜而不增加纵横比来提高图像传感器的冷凝效率。 第一电介质（30）形成在其上形成有光接收装置（14）的半导体衬底（10）上。 金属线（45）形成在第一电介质上。 在金属线之间形成有成型层（65）。 成型层具有向下凸出的上表面。 第二电介质（70）形成在半导体衬底上并且包括与成型层接触的内透镜（75）。 内透镜向下凸出。 微透镜（90）形成在内透镜上。 当形成金属透镜时，在第一电介质上形成金属层。 在金属层上形成掩模图案。 通过使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻金属层。 当形成成型层时，在形成有金属线和掩模图案的基板上形成第三电介质。 掩模图案和第三电介质的蚀刻速率是不同的。

公开(公告)号：KR100574353B1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：KR1020040009657

申请日：2004-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희근

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/3595

Abstract: 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 수광부가 형성되고, 전송 수단이 수광부에 인접하여 반도체 기판 상에 형성된다. 수광부의 바로 위에 개구를 형성하고 상기 수광부를 향해 돌출된 에지를 가지며 전송 수단을 커버하도록 차광막이 형성된다. 차광막은 복수개의 층으로 이루어지고, 그 에지가 오목 렌즈 형태로 형성된다. 오목 렌즈 형태의 에지를 갖는 차광막에 의해 전송 수단, 즉 전송 레지스터로 입사되는 광 성분을 억제하여 스미어를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100340714B1

公开(公告)日：2002-12-06

申请号：KR1019980047655

申请日：1998-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희근 ,  김용식

IPC: H01L27/10

Abstract: 결함구제를 위한 반도체소자의 제조방법이 개시된다. 이에 의하면, 리던던시(redundancy) 메모리셀 영역의 일부 영역 상에 노출된 퓨즈가 주 메모리셀 영역 상의 보호막보다 얇은 두께의 보호막으로 보호된다.
따라서, 레이저빔의 조사 에너지가 높아지고, 스폿 사이즈가 커지더라도 인접 퓨즈의 손상없이 원하는 퓨즈가 커팅될 수 있으므로 레이저빔의 조사 에너지에 대한 공정 여유가 많아지고, 스폿 사이즈를 줄이기 위한 포커스의 미세 관리에 대한 여유가 많아져 그 만큼 결함구제의 용이성과 신뢰성이 향상된다.

公开(公告)号：KR102255183B1

公开(公告)日：2021-05-24

申请号：KR1020140020672

申请日：2014-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오영선 ,  이경호 ,  안정착 ,  정희근

IPC: H01L27/146

Abstract: 제1 활성영역및 제2 활성영역을구분및 정의하는제1 소자분리막을가진기판, 상기기판의내부에배치되고상기제1 소자분리막과수직으로중첩하는포토다이오드, 상기포토다이오드와수직으로중첩하도록상기제1 활성영역내에배치되고, 상기기판의표면으로부터상기내부로연장하는전송게이트전극, 및상기제1 활성영역내에형성된플로팅확산영역을포함하는씨모스이미지센서가설명된다.

公开(公告)号：KR102114344B1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：KR1020130064781

申请日：2013-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  정희근

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146

公开(公告)号：KR1020170018256A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020150111840

申请日：2015-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김선현 ,  변경재 ,  송충호 ,  정희근

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체소자는반도체층 상에배치된패드, 상기반도체층과상기패드사이에배치된절연막, 상기반도체층과상기절연막을관통하여상기패드와연결된비아, 및상기반도체층을관통하며, 평면적관점에서상기패드를둘러싸는분리막을포함할수 있다.

Abstract translation: 半导体器件包括设置在半导体层上的焊盘，设置在半导体层和焊盘之间的绝缘层，穿透半导体层和绝缘层的贯通孔，以连接到焊盘，并且隔离层穿透 半导体层并且从俯视图观察时围绕该衬垫。