公开(公告)号：KR1019970072075A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960011433

申请日：1996-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조만호 ,  이덕형

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 이온 클러스터 빔 증착 장치에 관한 것으로서, 본 발명은 기판상에 이온화된 클러스터를 균일하게 증착시킬 수 있는 이온 클러스터 빔 증착 장치를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온 클러스터 빔 증착 장치는 크루서블 필라멘트에 가해진 저전압·고전류에 의해 클러스터가 발생될 수 있도록 일단에 장착되어 있는 클러스터 발생부; 상기 클러스터 발생부에서 생성된 이온화된 원자를 완전히 차단하는 이온 차단부; 상기 이온 차단부를 통과한 원자 클러스터를 이온화시키는 이온 생성부; 상기 이온 생성부에서 생성된 이온을 가속시키는 이온 가속부; 상기 이온 가속부에서 가속된 이온 클러스터를 기판에 균일하게 증착되게 하는 이온 균일부를 포함하고 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100402389B1

公开(公告)日：2003-10-17

申请号：KR1020010015150

申请日：2001-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자흠 ,  조만호 ,  최철준 ,  허성준

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/823437

Abstract: The present invention includes a method of forming a metal gate electrode on which whiskers are not formed after performing a selective oxidation process and a subsequent heating process. The metal gate electrode is formed by forming a metal gate electrode pattern which is comprised of a polysilicon layer and a metal layer, and performing a selective oxidation process. After the selective oxidation process, the metal gate electrode undergoes a subsequent heating treatment. The selective oxidation process is carried out in a nitrogen containing gas ambient, so that a metal oxide layer is minimally formed on the metal layer. As a result, it is prevented from causing whiskers on the metal layer.

Abstract translation: 本发明包括在进行选择性氧化处理和随后的加热处理之后形成其上未形成晶须的金属栅电极的方法。 金属栅电极通过形成由多晶硅层和金属层构成的金属栅电极图案并进行选择性氧化工艺而形成。 在选择性氧化处理之后，金属栅电极经历随后的加热处理。 选择性氧化过程是在含氮气体环境中进行的，从而在金属层上形成的金属氧化物层最少。 结果，防止了在金属层上引起晶须。

公开(公告)号：KR1020020072654A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：KR1020010012600

申请日：2001-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조만호 ,  구자흠 ,  최철준 ,  조준규 ,  허성준

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L21/28247

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal gate is provided to prevent whisker capable of causing electric short between adjacent gates after a selective oxidation process is performed for preventing abnormal oxidation of the metal gate. CONSTITUTION: A gate insulating layer and several gate material layers having a metal layer are conventionally formed on a semiconductor substrate and then etched to form a gate pattern(200). Next, the selective oxidation process is performed to selectively form a silicon oxide layer(120a) and minimize the oxidation of the metal layer. Here, due to an incomplete selective oxidation, a thin metal oxide layer(20b) is also formed on sidewalls of the metal layer. After the selective oxidation process, a heat treatment process is performed by using a gas containing hydrogen atoms to prevent whisker from occurring on the metal oxide layer(20b). The heat treatment process suppresses the surface mobility of the metal oxide layer and the nucleation of the whisker.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属栅极的方法，以防止在执行选择性氧化处理以防止金属栅极的异常氧化之后在相邻栅极之间产生电短路的晶须。 构成：通常在半导体衬底上形成具有金属层的栅极绝缘层和多个栅极材料层，然后蚀刻以形成栅极图案（200）。 接下来，进行选择氧化处理以选择性地形成氧化硅层（120a）并使金属层的氧化最小化。 这里，由于不完全的选择性氧化，金属层的侧壁上也形成有薄的金属氧化物层（20b）。 在选择氧化处理之后，通过使用含有氢原子的气体来进行热处理工艺，以防止在金属氧化物层（20b）上发生晶须。 热处理工艺抑制金属氧化物层的表面迁移率和晶须的成核。

公开(公告)号：KR100189983B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019950045820

申请日：1995-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이덕형 ,  황정남 ,  최대선 ,  조만호

IPC: H01J61/00

Abstract: 부유 접지를 사용하지 않는 신호 검출 장치 및 이를 이용한 일 함수 측정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 켈빈프로브로부터 인가되는 신호를 기준신호로 하고, 상기 켈빈프로브로부터 인가되는 신호의 배수로 되는 다른 신호에 의하여 시료의 일함수 변화를 검출하여 측정하는 신호 검출 장치에 있어서, 상기 켈빈프로브로부터 인가되는 기준신호의 주파수와 동기한 주파수를 가진 입력신호에 응답하여 출력신호를 발생하는 락인 증폭기; 상기 켈빈프로브로부터 상기 다른 신호가 인가되는 진동자; 상기 진동자로부터 출력되는 신호는 1차측으로 인가되고, 상기 락인증폭기로부터 출력되는 신호는 2차측으로 인가되어 상기 1차측 신호가 제어되는 광결합기; 및 상기 광결합기의 1차측에서 변화되는 신호를 입력으로 하여 신호를 증폭하고, 증폭된 신호를 상기 락인 증폭기로 출력하는 연산증폭기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 신호 검출 장치를 사용하여 일 함수를 측정하는 경우 켈빈프로브의 접지와 신호 검출 장치의 접지를 동일한 접지로 사용할 수 있기 때문에 일 함수 측정에서 오차가 저감되는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100147631B1

公开(公告)日：1998-11-02

申请号：KR1019950009456

申请日：1995-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조만호 ,  이덕형

IPC: H01L21/20

Abstract: 전자빔을 이용한 박막 증착장치인 ICBD 장치 및 크루서블과 그 사용법에 관하여 개시한다. 본 발명은 크루서블에서 윗면 덮개의 구조를 변화시키고, 크루서블 하우징 내의 쉴딩부 모양을 변화시키고, 크루서블 하우징과 이온화 장치 하우징 사이의 리펠러를 제거하였으며, 이온화 장치 하우징 내부로 전자를 가속시키는 그리드를 아래쪽에서 위쪽으로 설치하고, 이온화 장치 하우징의 크기를 증가시켜서 박막을 증착한다. 본 발명에 의하면, 클러스터가 분사될 때, 크루서블의 노즐에서 상기 클러스터가 깨어지는 것을 방지하고, 이온화 원자를 여과할 수 있었고, 상기 이온화 장치 하우징 내의 이온화 전자 밀도를 증가시킬 수 있었다.

公开(公告)号：KR100144917B1

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019950003547

申请日：1995-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이덕형 ,  조만호

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/205

Abstract: 하향분사가 가능한 소오스 구조를 이용한 이온빔 증착 방법 및 그 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 이온빔을 이용한 막질의 증착방법에 있어서, 상기 이온빔이 방출되는 도가니는 상단부보다 하단부의 구경이 큰 이중 원추형 구조로 그 사이에 증착물질을 위치시킬 수 있고 상단부에 노즐을 구비하며, 상기 도가니의 모양을 따라 필라멘트를 벌어지도록 위치시킴으로써 상기 이온빔을 하향분사방식으로 분사시켜 막질을 형성한다. 본 발명에 의한 소오스 구조를 이용하면 가속에너지를 이용하는 이온빔 증착방법을 하향분사방식을 적용할 수 있어 장비의 양산 설비화가 용이하다.