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公开(公告)号：KR1019960039119A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019950009456
申请日：1995-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 전자빔을 이용한 박막 증착장치인 ICBD 장치 및 크루서블과 그 사용법에 관하여 개시한다. 본 발명은 크루서블에서 윗면 덮개의 구조를 변화시키고, 크루서를 하우징 내의 쉴딩부 모양을 변환시키고, 크루서블 하우징과 이온화 장치 하우징 사이의 리펠러를 제거하였으며, 이온화 장치 하우징 내부로 전자를 가속시키는 그리드를 아래쪽에서 위쪽으로 설치하고, 이온화 장치 하우징의 크기를 증가시켜서 박막을 증착한다. 본 발명에 의하면, 클러스터가 분사될 때, 크루서블의 노즐에서 상기 클러스터가 깨어지는 것을 방지하고, 이온화 원자를 여과할 수 있었고, 상기 이온화 장치 하우징 내의 이온화 전자 밀도를 증가시킬 수 있었다.
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公开(公告)号：KR101716472B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020100048192
申请日：2010-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/144
Abstract: 본발명은, 상변화에따른부피변화의영향을감소시켜소자의안정성을증가시킬수 있는상변화물질을포함하는비휘발성메모리소자를제공한다. 본발명의일실시예에따른비휘발성메모리소자는, 하부전극; 하부전극상에위치한상변화물질층; 상변화물질층의적어도일부를둘러싸도록위치하고, 상변화물질층의응력을완화하는응력완화층; 및상변화물질층상에위치한상부전극;을포함한다.
Abstract translation: 存储器件包括衬底和存储单元，该存储单元包括衬底上的第一电极，第一电极上的相变材料区域和与第一电极相对的相变材料区域上的第二电极。 存储器件还包括与第一和第二电极之间的相变材料区域的侧壁相邻的应力释放缓冲器。 在一些实施例中，应力消除缓冲器包括接触相变材料区域的侧壁的应力消除区域。 在另外的实施例中，应力消除缓冲器包括邻近相变材料区域的侧壁的空隙。
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公开(公告)号：KR1019970030198A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950045820
申请日：1995-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J61/00
Abstract: 부유 접지를 사용하지 않는 신호 검출 장치 및 이를 이용한 일 함수 측정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 락인 증폭기의 출력 신호를 연산 증폭기로 되먹임시키는 신호 검출 장치에 있어서, 상기 되먹임 신호를 선형적 연속 광결합기로 절연시키는 것을 특징으로 하는 신호검출 장치이고, 켈빈 프로브와 상기 신호 검출 장치의 접지를 공통 접지로 하여 일 함부를 측정한다. 본 발명에 의한 신호 검출 장치를 사용하여 일 함수를 측정하는 경우 켈빈 프로브의 접지와 신호 검출장치의 접지를 동일한 접지로 사용할 수 있기 때문에 오차가 적은 일 함수를 용이하게 측정할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101618188B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020090120820
申请日：2009-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 반도체소자의제조방법및 반도체소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자의제조방법은, 제1 나노와이어를형성하는단계와, 상기제1 나노와이어를산화시켜제1 절연체와제2 나노와이어를포함하는제1 나노구조체를형성하는단계와, 상기제2 나노와이어를산화시켜제2 절연체와나노점(dot)들을포함하는제2 나노구조체를형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110128644A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020100048192
申请日：2010-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device which includes a phase change material is provided to increase the stability of a device by reducing the influence of volume change according to phase change. CONSTITUTION: A phase change material layer(160) is located on a bottom electrode. A stress compliant layer(150) is located in order to protect at least a part of the phase change material layer and alleviates the stress of the phase change material layer. A top electrode(170) is located on the phase change material layer. The stress compliant layer surrounds the lower region of the phase change material layer. A bottom insulating layer is located in order to touch a side of the stress compliant layer which is opposite about the phase change material layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括相变材料的非易失性存储器件，通过减少根据相变的体积变化的影响来提高器件的稳定性。 构成：相变材料层（160）位于底部电极上。 位于应力柔顺层（150）上以便保护相变材料层的至少一部分并减轻相变材料层的应力。 顶部电极（170）位于相变材料层上。 应力柔顺层围绕相变材料层的下部区域。 位于底部绝缘层以便接触相对于相变材料层的应力柔顺层的一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020075000A
公开(公告)日：2002-10-04
申请号：KR1020010015150
申请日：2001-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4941 , H01L21/28088 , H01L21/32105 , H01L21/823437
Abstract: PURPOSE: A metal gate formation method of semiconductor devices is provided to minimize an oxidation of a metal electrode without affecting an oxidation of silicon by using gases contained nitrogen atoms in a selective oxidation processing. CONSTITUTION: A gate oxide(120) is formed on a semiconductor substrate. A polysilicon layer(140), a barrier metal film(150), a metal film(160) and a gate capping layer(180) are sequentially formed on the gate oxide. A metal gate pattern(200) is then formed by sequentially etching the stacked films. A selective oxidation processing is performed so as to minimize an oxidation of the metal films(150,160) and to form an oxide layer on the exposed surface of the semiconductor substrate. At this time, gases contained nitrogen atoms together with oxygen and hydrogen gases are used as the selective oxidation gas.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的金属栅极形成方法，以通过在选择性氧化处理中使用含有氮原子的气体来最小化金属电极的氧化而不影响硅的氧化。 构成：在半导体衬底上形成栅极氧化物（120）。 在栅极氧化物上依次形成多晶硅层（140），阻挡金属膜（150），金属膜（160）和栅极覆盖层（180）。 然后通过依次蚀刻堆叠的膜形成金属栅极图案（200）。 进行选择性氧化处理以最小化金属膜（150,160）的氧化并在半导体衬底的暴露表面上形成氧化物层。 此时，气体与氧一起含有氮原子，氢气用作选择性氧化气体。
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公开(公告)号：KR1019960032598A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950003547
申请日：1995-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265 , H01L21/205
Abstract: 하향분사가 가능한 소오스 구조를 이용한 이온빔 증착 방법 및 그 장치에 관하여 개시한다. 본 발면은 이온빔을 이용한 막질의 증착방법에 있어서, 상기 이온빔이 방출되는 도가니는 상단부보다 하단부의 구경이 큰 이중원추형 구조로 그 사이에 증착물질을 위치시킬 수 있고 상단부에 노즐을 구비하며, 상기 도가니의 모양을 따라 필라멘트를 벌어지도록 위치시킴으로써 상기 이온빔을 하향분사방식으로 분사시켜 막질을 형성하다. 본 발명에 의한 소오스 구조를 이용하면 가속에너지를 이용하는 이온빔 증착방법들에 하향분사방식을 적용할 수 있어 장비의 양산 설비화가 용이하다.
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公开(公告)号：KR1020110064300A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090120820
申请日：2009-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/0237 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device including nanodots with the uniform size, and the semiconductor device are provided to obtain the semiconductor device with a nanostructure having specific patterns without a separate etching process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a semiconductor device comprises the following steps: forming a first nanowire(S11); oxidizing the first nanowire for obtaining a first nanostructure including a first insulator and a second nanowire(S12); and oxidizing the second nanowire for obtaining a second nanostructure including a second insulator and the nanodots(S13). The nanodots include a first nanodot embedded in the insulators, a second nanodot located on one side of the first nanodot, and a third nanodot located on the other side of the first nanodot.
Abstract translation: 目的：提供包括具有均匀尺寸的纳米点的半导体器件的制造方法和半导体器件，以获得具有具有特定图案的纳米结构的半导体器件，而无需单独的蚀刻工艺。 构成：半导体器件的制造方法包括以下步骤：形成第一纳米线（S11）; 氧化所述第一纳米线以获得包括第一绝缘体和第二纳米线的第一纳米结构（S12）; 以及氧化所述第二纳米线以获得包括第二绝缘体和所述纳米点的第二纳米结构（S13）。 纳米点包括嵌入在绝缘体中的第一纳米点，位于第一纳米点一侧的第二纳米点和位于第一纳米点另一侧的第三个纳米点。
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公开(公告)号：KR100441681B1
公开(公告)日：2004-07-27
申请号：KR1020010012600
申请日：2001-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28061 , H01L21/28247
Abstract: In a method of forming a metal gate electrode, an annealing process is performed in a hydrogen-containing gas ambient following a selective oxidation process. During the annealing process, a metal oxide layer formed by the selective oxidation process is removed by a reduction reaction or hydrogen atoms are contained in the metal oxide layer to suppress whisker nucleation and surface mobility.
Abstract translation: 在形成金属栅极电极的方法中，在选择性氧化工艺之后的含氢气体环境中执行退火工艺。 在退火过程中，通过选择性氧化过程形成的金属氧化物层通过还原反应被除去，或者氢原子被包含在金属氧化物层中以抑制晶须成核和表面迁移率。
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