公开(公告)号：KR1019980014574A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033603

申请日：1996-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정규찬 ,  차훈

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체 제조설비에 오존을 공급하기 위한 오존 발생장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 일측의 수직측판(11)과 수평받침판(12)∼(14)으로 이루어진 프레임(15)을 구비하여 제 1 및 제 2 파워서플라이(17)(18), 컨트롤카드(19)를 수평받침판상에 상,하로 배치하고, 셀(16)은 제 1 및 제 2 파워서플라이의 후방에 배치하여 제 1 및 제 2 파워서플라이와 전기적으로 접속하며, 복수개의 가스포트(21)가 형성된 모듈(20)은 파워서플라이의 측방에 배치하고 복수개의 가스포트와 셀을 각종 가스라인(22)으로 연결하여 이루어진 것이다.
따라서 주요부품의 과열로 인한 고장이 예방되고, 정기적인 검검이나 고장수리시 작업이 매우 용이하며, 설치공간의 축소로 작업자의 작업공간이 넓어지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970008313A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950020641

申请日：1995-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고균희 ,  박인협 ,  차훈

IPC: H01L21/02

Abstract: 자외선 조사장치가 개시되어 있다. 본 발명은 챔버 내에 설치된 광원세트지지대, 상기 광원세트지지대와 연결된 광원, 상기 광원의 하부에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 진공 척(chuck), 및 상기 광원으로부터 발생되는 빛을 상기 진공 척 부분에 집중시키기 위하여 상기 광원을 둘러싸면서 설치된 반사경을 포함하는 자외선 조사장치에 있어서, 상기 챔버와 상기 광원세트지지대 사이에 설치되어 상기 광원세트지지대를 상/하로 이동시키는 제1수단; 및 상기 광원세트지지대와 상기 광원 사이에 설치되어 상기 광원을 상/하로 이동시키는 제2수단을 구비하여, 상기 제1수단 및 상기 제2수단으로 상기 광원을 원하는 높이에 위치시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 광위원과 웨이퍼 사이의 거리를 적절히 조절할 수 있어, 웨이퍼에 조사되는 자외선의 양을 조절할 수 있다. 따라서, 접착제에 의햐여 보호용테이프가 접착된 웨이퍼를 백그라인딩(back grinding)한 후, 보호용테이프를 제거하기 위한 자외선 조사시 최적조건을 제공함으로써 보호용테이프의 제거를 용이하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940000914B1

公开(公告)日：1994-02-04

申请号：KR1019910003919

申请日：1991-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영우 ,  박진호 ,  문대식 ,  차훈

IPC: H01L21/302

Abstract: The pedestal for etching replaces an elastomer (5a) with a kapton tape (5b) which has high endurance and no deterioration in the plasma environment. The kapton tape (5b) is positioned between the surface of the pedestal includes: an upper clip (3) and a lower clip (4) of a pedestal ring (2) fixing the wafer; a set screw (6) and a wafer button (7) supporting the wafer.

Abstract translation: 用于蚀刻的基座用具有高耐久性和等离子体环境劣化的卡波带（5b）代替弹性体（5a）。 卡波带（5b）位于基座的表面之间，包括：固定晶片的基座环（3）和下夹子（4）; 固定螺钉（6）和支撑晶片的晶片按钮（7）。

公开(公告)号：KR1019920018857A

公开(公告)日：1992-10-22

申请号：KR1019910003919

申请日：1991-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영우 ,  박진호 ,  문대식 ,  차훈

IPC: H01L21/302

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100489638B1

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：KR1019980008363

申请日：1998-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  채승기

IPC: H01L21/3065

Abstract: 식각설비 중 웨이퍼 저장챔버에 진공형성시 잔류가스가 원활히 배출되도록 하고, 퍼지가스가 일정한 온도를 유지하면서 골고루 공급되도록 하는 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 관한 것이다. 본 발명은, 프로세스 챔버와 카세트 챔버 사이에 연결된 로드로크 챔버와 대기의 흐름이 자유롭게 이루어진 웨이퍼 저장챔버가 구비된 반도체 장치 제조설비의 건식식각 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 저장챔버의 일측에 설치되어서 퍼지가스가 공급되는 가스공급부 및 상기 웨이퍼 저장챔버의 다른 일측에 설치되고, 진공펌프에 연결되어 상기 웨이퍼 저장챔버 내부의 불순물 배출 및 진공형성을 위한 진공배관을 구비하여 이루어진다. 따라서, 본 발명에 의하면 챔버에 진공을 형성하는 데 있어서 배관을 더 형성함으로써 진공형성이 빠르게 이루어지고, 유독성 가스를 강제송풍에 의해 배출되며, 또한 퍼지가스가 온도가 상승된 분위기에서 골고루 공급되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100355224B1

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：KR1019990023490

申请日：1999-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  김경대 ,  김민규

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 연마헤드내부에유입된슬러리찌꺼기등 오염물질을효과적으로배출할수 있도록된 연마헤드의리테이너링과이를구비한화학기계적연마장치가개시된다. 개시된리테이너링은연마헤드의내부공간에유입된오염물질을배출하기위해링 몸체의내주면과외주면사이를관통하는다수의오염물질배출구를구비한다. 오염물질배출구는링 몸체의외주를따라실질적으로동일한간격으로적어도 6개가마련되고, 그내측개구와외측개구는횡방향이보다긴 장공형상으로되어있으며, 그각각은복수의내측구멍과복수의내측구멍을포괄하는하나의외측구멍으로이루어진다. 그리고, 개시된화학기계적연마장치는상술한리테이너링 이외에도오염물질배출구를통해연마헤드내부로순수를분사하는제3 노즐을구비한세척수단을포함한다. 오염물질배출구는제3 노즐로부터분사되는순수가연마헤드내부로보다쉽게유입될수 있도록외측으로갈수록그 단면의횡방향폭이커지도록되어있다.

公开(公告)号：KR1020020037557A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：KR1020000067520

申请日：2000-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동화 ,  홍형식 ,  최재흥 ,  차훈

IPC: H01L21/68

CPC classification number: G03F7/708

Abstract: PURPOSE: An apparatus for eliminating particles adsorbed to a back surface of a wafer for fabricating a semiconductor is provided to minimize particles adsorbed to a chuck, by completely eliminating the particles absorbed to the back surface of the wafer during an exposure process. CONSTITUTION: A static electricity inducing unit(12) is installed in the periphery of the chuck(10) where the wafer(W) for forming a photoresist pattern is placed, facing the back surface of the wafer. The static electricity inducing unit is composed of a static electricity inducing bar(12a) for inducing static electricity to the back surface of the wafer and a grounding part(12b) for grounding th static electricity. The static electricity inducing unit induces the static electricity to the back surface of the wafer to neutralize the back surface of the wafer so that the absorption force of the particles adsorbed to the back surface of the wafer is weakened. A plurality of holes(14b) are installed in the static electricity inducing bar by a vacuum absorbing unit(14). The vacuum absorbing unit supplies vacuum absorption force to the back surface of the wafer through the holes and absorbs the particles of which the adsorption force is weakened by inducing the static electricity.

Abstract translation: 目的：提供一种用于消除吸附到用于制造半导体的晶片的背面的颗粒的装置，以通过在曝光过程中完全消除吸收到晶片的背面的颗粒来最小化吸附到卡盘的颗粒。 构成：静电诱导单元（12）安装在卡盘（10）的周围，其中放置用于形成光致抗蚀剂图案的晶片（W）面对晶片的后表面。 静电诱导单元由用于向晶片的背面引起静电的静电诱导杆（12a）和用于接地静电的接地部（12b）构成。 静电诱导单元对晶片的背面引起静电，以中和晶片的背面，使得吸附在晶片背面的颗粒的吸收力减弱。 多个孔（14b）通过真空吸收单元（14）安装在静电诱导杆中。 真空吸收单元通过孔向晶片的背面提供真空吸附力，并通过引起静电来吸收吸附力被削弱的颗粒。

公开(公告)号：KR1020010003267A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990023490

申请日：1999-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  김경대 ,  김민규

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: PURPOSE: A retainer ring of a polishing head and a chemical mechanical polishing device which is equipped with the retainer ring are provided to discharge efficiently the polluting matter such as slurry flowed into the inside of the polishing head, and clean the polluting matter with a cleaning device and the retainer ring of the chemical mechanical polishing device. CONSTITUTION: A retainer ring(612) of a polishing head(610) comprises; a ring body(6121); and numerous discharging holes(6123) for polluting matter passing through the space between the inside and the outside of the ring body to discharge the polluting matter flowed into a polishing head(610). Numerous screw holes are formed in the upside of the polishing head to install the polishing body to the polishing head. A chemical mechanical polishing device comprises; a retainer ring having the ring body and numerous discharging holes; a first nozzle installed in the inside of a load-cup spraying the pure water toward the upper surface of a pedestal having a wafer in the upside; a second nozzle spraying the pure water toward a membrane(611) installed in the bottom of the polishing head; and a third nozzle spraying the pure water toward the space(618) in the polishing head.

Abstract translation: 目的：提供装有保持环的抛光头和化学机械抛光装置的保持环，以有效地排出流入抛光头内部的浆料等污染物质，并清洗污染物质 装置和化学机械抛光装置的保持环。 构成：抛光头（610）的保持环（612）包括： 环体（6121）; 以及多个用于污染通过环体的内部和外部之间的空间的物质的排出孔（6123），以排出流入抛光头（610）的污染物质。 在抛光头的上侧形成有许多螺孔，将抛光体安装在抛光头上。 化学机械抛光装置包括： 具有环体和多个排出孔的保持环; 安装在负载杯内部的第一喷嘴将纯水喷射到具有在上侧的晶片的基座的上表面; 将第二喷嘴喷射到安装在抛光头底部的膜（611）上; 以及将第三喷嘴喷射到抛光头中的空间（618）。

公开(公告)号：KR100271758B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970027092

申请日：1997-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  채승기

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C14/566 ,  Y10T29/41

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing equipment and a driving method thereof are provided to avoid a contamination of a wafer to be processed by preventing a vortex flow upon opening a gate valve installed between a loadlock chamber and a process chamber. CONSTITUTION: A semiconductor manufacturing equipment comprises a loadlock chamber(10), a process chamber(18), a gate valve(30), and a high vacuum line(44). The loadlock chamber is connected with a low vacuum pump to form low vacuum state and a processing wafer stands by in the loadlock chamber. The process chamber for implementing a manufacturing process of a semiconductor is connected with a high vacuum pump to form high vacuum state. The gate valve is located between the loadlock chamber and the process chamber, and implements an opening/closing operation with air supplied through an air supply line. The high vacuum line connects the loadlock chamber with the high vacuum pump and has an air valve connected to the air supply line on its middle portion.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造设备及其驱动方法，以通过防止在打开安装在负载锁定室和处理室之间的闸阀上的涡流而避免被处理晶片的污染。 构成：半导体制造设备包括装载室（10），处理室（18），闸阀（30）和高真空管线（44）。 负载锁定室与低真空泵连接以形成低真空状态，并且处理晶片在负载锁定室中等待。 用于实现半导体制造工艺的处理室与高真空泵连接以形成高真空状态。 闸阀位于装载室和处理室之间，并且通过供气管线供应的空气进行打开/关闭操作。 高真空管线将负载锁定室与高真空泵连接，并且在其中部具有连接到供气管线的空气阀。

公开(公告)号：KR1020000073450A

公开(公告)日：2000-12-05

申请号：KR1019990016748

申请日：1999-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광명 ,  차훈

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A reaction chamber with an upper electric terminal for preventing parasitic plasma is provided parts in the chamber not to damage and washing efficiency of RF(Radio Frequency) plasma, and not to decrease by preventing parasitic plasma from discharging. CONSTITUTION: A lower electrode part(40) is located on a bottom of a reaction chamber(38). Above the lower electrode part(40), an upper electrode part(42) is installed. The lower electrode is composed of a susceptor(40a) and a heater(40b). A wafer is loaded on the susceptor(40a), and the heater(40b) maintains defined temperature. The upper electrode part(42) is composed of a gas diffusion plate(42a), a gas spray plate(42c), and a plasma-preventing device(42b). The plasma-preventing device(42b) is a material layer that fills between the gas diffusion plate(42a) and the gas spray plate(42c). Reaction gas or washing gas is injected into the reaction chamber(38) through a gas supply pipe(46). After reaching the gas diffusion plate(42a), the injected gas spreads above the susceptor(40a) without any obstacles.

Abstract translation: 目的：具有用于防止寄生等离子体的上电端子的反应室在室内设置有不损坏RF（射频）等离子体的洗涤效率，并且不会通过防止寄生等离子体放电而降低。 构成：下电极部分（40）位于反应室（38）的底部。 在下电极部分（40）的上方安装有上电极部分（42）。 下电极由基座（40a）和加热器（40b）组成。 晶片装载在基座（40a）上，加热器（40b）保持定义的温度。 上部电极部（42）由气体扩散板（42a），气体喷射板（42c）和等离子体防止装置（42b）构成。 等离子体防止装置（42b）是填充在气体扩散板（42a）和气体喷射板（42c）之间的材料层。 反应气体或洗涤气体通过气体供给管（46）注入反应室（38）。 在到达气体扩散板（42a）之后，注入的气体在基座（40a）上方扩散而没有任何障碍物。