公开(公告)号：KR1020010018205A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990034056

申请日：1999-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  김경대

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to improve a process uniformity, by installing a pumping diffusion apparatus is a reaction chamber to uniformly pump heat of the inside of the reaction chamber. CONSTITUTION: A reaction chamber(100) provides a space for reaction. A heating unit heats the inside of the reaction chamber. A temperature detecting unit detects a temperature of the inside of the reaction chamber. A pumping unit includes a pumping port(114) coupled to the reaction chamber, pumps heat to uniformly maintain the temperature of the reaction chamber. A control unit deals with a heating power supplying signal supplied to the heating unit, a temperature detecting signal and a pumping signal. A pumping diffusion unit is installed between the heating unit and the pumping port by radially forming a penetrating hole on a circumferential surface to diffuse and pump the heat of the inside of the reaction chamber according to an output of the pumping signal.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的装置以通过安装泵送扩散装置来提高加工均匀性，该反应室是反应室，以均匀地泵送反应室内部的热量。 构成：反应室（100）提供反应空间。 加热单元加热反应室的内部。 温度检测单元检测反应室内部的温度。 泵送单元包括联接到反应室的泵送端口（114），泵送热量以均匀地保持反应室的温度。 控制单元处理供应给加热单元的加热供电信号，温度检测信号和泵送信号。 泵送扩散单元通过在圆周表面上径向地形成一个穿透孔而安装在加热单元和泵送端口之间，以根据泵送信号的输出扩散和泵送反应室内部的热量。

公开(公告)号：KR1019990079612A

公开(公告)日：1999-11-05

申请号：KR1019980012286

申请日：1998-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종호 ,  차훈 ,  김진만 ,  김대년

IPC: H01L21/68

Abstract: 냉매 누설을 방지하는 유로 구조를 가지는 반도체 장치 제조용 장비의 정전척(electrostatic chuck)을 개시한다. 본 발명은 반도체 기판을 정전력을 이용하여 표면에 부착시키는 척부 및 척부의 표면에 냉매가 흐르는 통로로 형성되며 최외각 유로가 척부의 에지로부터 적어도 3mm 이상 넓게 이격되어 형성된 유로부를 포함하는 정전척을 제공한다. 바람직하게는 최외각 유로는 척부의 에지로부터 3mm 내지 10mm로 이격되어 형성된다.

公开(公告)号：KR1019970008339A

公开(公告)日：1997-02-24

申请号：KR1019950022943

申请日：1995-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동호 ,  안웅관 ,  고균희 ,  차훈

IPC: H01L21/263

Abstract: 자외선 조사장치가 개시되어 있다. 본 발명은 웨이퍼를 자외선 조사장치에 로딩(loading)시키거나 자외선 조사장치로부터 언로딩(unloading)시키기 위하여 수평이동시킬 수 있음은 물론, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼를 회전시키기 위한 동력원의 중심축을 일치시키지 않음으로써 동력원을 동작시킬 때 웨이퍼의 중심이 원을 그리면서 선회시킬 수 있는 웨이퍼 전송수단을 제공한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼에 자외선 조사시 웨이퍼를 선회시킴과 동시에 직진시킬 수 있어 자외선이 웨이퍼 표면 전체에 균일하게 조사된다. 이는, 접착제에 의해 보호용테이프가 앞면에 부착된 웨이퍼를 백그라인딩(back grinding)한 후, 보호용테이프를 제거하기 위한 자외선 조사시 접착제 전체가 균일한 화학반응을 일으키도록 한다. 따라서, 보호용테이프를 용이하게 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR100291585B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019970035184

申请日：1997-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성경 ,  차훈

IPC: H01L21/30

Abstract: PURPOSE: A method for etching a metal layer of a semiconductor device is provided to etch the metal layer of the semiconductor device by using plasma formed by a helical resonator. CONSTITUTION: An oxide layer(32) is formed on a substrate(30). A multitude of metal layers(34,36,38) are formed on the oxide layer(32). A photo-resist(40) is formed on the metal layers(34,36,38) in order to form the metal layers(34,36,38) as predetermined patterns. The photo-resist(40) is used as an etching mask. The metal layers(34,36,38) are formed with an aluminium layer(34), a titanium layer(36), and a titanium nitride layer(38). The metal layers(34,36,38) are etched by using a mixed gas of an HCl3 gas and a Cl3 gas. An N2 gas can be used as an additional gas. An etch process is performed under a pressure of 3mTorr to 15mTorr and a temperature of 30 to 50 degrees centigrade.

公开(公告)号：KR100291898B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019990012530

申请日：1999-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신은희 ,  김진만 ,  최백순 ,  차훈

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 본발명의절연창의스파터오염원을제거하기위한차폐판의제조방법은차폐판이없는상태의플라즈마식각장치에서식각공정을수행한후, 절연창에형성된식각영역을샘플링하고, 이샘플링된식각영역과대응되는차폐막을형성하여차폐판을구성한다. 또한, 본발명의플라즈마식각장치는코일의형상과대응되는차폐막이형성되고코일사이의틈새와대응되는오프닝을갖는차폐판이설치된다. 이차폐판은공정챔버의일면에위치된절연창과이 절연창의외부면에위치되는코일사이에접지되어설치된다.

公开(公告)号：KR1020000066721A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990014020

申请日：1999-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광명 ,  차훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A lower electrode part of a chemical vapor deposition apparatus is provided to prevent eddy particle owing a pressure difference from being generated. CONSTITUTION: A lower electrode part of a chemical vapor deposition apparatus comprises a susceptor(210), a heater(212) and a base(214). The heater(212) applies heat to a semiconductor wafer(215), and the base(214) supports the susceptor(210). The lower electrode part includes a medium(213), which is placed between the susceptor(210) and the base(214) and consists of quartz.

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积设备的下电极部分，以防止产生压差的涡流粒子。 构成：化学气相沉积设备的下电极部分包括基座（210），加热器（212）和基座（214）。 加热器（212）向半导体晶片（215）施加热量，并且基座（214）支撑基座（210）。 下电极部分包括介于基座（210）和基座（214）之间并由石英构成的介质（213）。

公开(公告)号：KR1020000003261A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980024465

申请日：1998-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  박태희 ,  차훈

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A high-frequency power supplying device of a semiconductor manufacturing facility is provided to smoothly contact a coupling to a rotary electrode when supplying the high-frequency power and to supply good high-frequency power. CONSTITUTION: A high-frequency power supplying device comprises: a coupling(18) to receive the high-frequency current and to supply the high-frequency current to a rotary electrode by contacting or without contacting; a supportive piece to reciprocate to be in contact with the coupling or not in contact and to provide a buffer to absorb the shock to the movement of the coupling; and a driving piece to supply the driving power to the supportive piece.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造设备的高频供电装置，以在提供高频电力时平滑地接触与旋转电极的耦合并提供良好的高频功率。 构成：高频供电装置包括：接收高频电流并通过接触或不接触将高频电流提供给旋转电极的耦合器（18）; 往复运动以与联接器接触或不接触的支撑件，并且提供缓冲器以吸收联接器的运动的冲击; 以及将驱动力提供给支撑件的驱动件。

公开(公告)号：KR100168350B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950020641

申请日：1995-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고균희 ,  박인협 ,  차훈

IPC: H01L21/02

Abstract: 자외선 조사장치가 개시되어 있다. 본 발명은 챔버 내에 설치된 광원세트지지대, 상기 광원세트지지대와 연결된 광원, 상기 광원의 하부에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 진공 척(chuck), 및 상기 광원으로부터 발생되는 빛을 상기 진공 척 부분에 집중시키기 위하여 상기 광원을 둘러싸면서 설치된 반사경을 포함하는 자외선 조사장치에 있어서, 상기 챔버와 상기 광원세트지지대 사이에 설치되어 상기 광원세트지지대를 상/하로 이동시키는 제1 수단; 및 상기 광원세트지지대와 상기 광원 사이에 설치되어 상기 광원을 상/하로 이동시키는 제2 수단을 구비하여, 상기 제1 수단 및 상기 제2 수단으로 상기 광원을 원하는 높이에 위치시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 광원과 웨이퍼 사이의 거리를 적절히 조절할 수 있어, 웨이퍼에 조사되는 자외선의 양을 조절할 수 있다. 따라서, 접착제에 의하여 보호용테이프가 접착된 웨이퍼를 백그라인딩(back grinding)한 후, 보호용테이프를 제거하기 위한 자외선 조사시 최적조건을 제공함으로써 보호용테이프의 제거를 용이하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990003264A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970027092

申请日：1997-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양윤식 ,  차훈 ,  채승기

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 저진공상태로 운용되는 로드락챔버와 고진공상태로 운용되는 공정챔버와 상기 로드락챔버 및 공정챔버 사이에 위치하는 게이트밸브가 구비되는 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조설비는, 저진공펌프에 연결되어 저진공상태가 형성되는 로드락챔버, 고진공펌프에 연결되어 고진공상태가 형성되는 공정챔버, 상기 로드락챔버와 공정챔버 사이에 위치하는 게이트밸브 및 상기 게이트밸브 개방시, 상기 저진공상태의 로드락챔버와 상기 고진공상태의 공정챔버간의 압력차를 완화시켜주는 압력조절수단을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 로드락챔버와 공정챔버 사이에 설치된 게이트밸브가 개방될 때, 와류가 발생되어 로드락챔버 내부의 파티클이 공정챔버 내부로 유입되고, 공정챔버 내부에 축적된 공정부산물이 공정챔버 내부로 비산되어 공정이 진행될 웨이퍼를 오염시키는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980055091A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960074298

申请日：1996-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차훈

IPC: G05B23/02

Abstract: 본 발명은 설비 진단 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 설비의 공정조건에 대한 주요한 파라미터들을 실시간(on-time)으로 측정하여 관리도(Control chart)작성에 용이하도록 한 설비 진단 시스템에 관한 것이다.
본 발명에 따른 설비 진단 시스템의 구성은 설비의 공정조건에 대한 측정 데이터로 설비의 상태를 진단하는 설비 진단 시스템에 있어서, 상기 설비로부터 상기 측정 데이터를 입력받아 처리하는 제어부 및 상기 제어부에서 처리된 데이터를 출력하는 출력부를 구비함을 특징으로 한다.
상기한 본 발명에 의하면 설비의 공정조건에 대한 측정 데이터들을 실시간으로 파악할 수 있으며, 시간과 인력을 줄일 수 있다.