公开(公告)号：KR100506942B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020030061582

申请日：2003-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자응 ,  이종원 ,  이성배 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

Abstract: 화학적 기계적 연마장치는 연마테이블모터에 의해 회전하며 그 상면에 패드가 마련된 연마테이블과, 연마테이블의 상측에 케리어헤드모터의 구동에 의해 회전가능하게 설치되되 그 저면에 웨이퍼가 설치되는 케리어헤드와, 연마테이블의 상면으로 연마액을 공급하는 연마액공급기와, 케리어헤드모터의 부하전류, 전압, 저항변화로부터 연마 종점을 검출하는 제2종점검출기와, 연마부(웨이퍼, 패드, 연마액)의 온도를 감지하는 적어도 하나의 온도감지기 및 온도감지기의 온도변화를 통해 연마 종점을 검출하는 제2종점검출기를 포함한다. 여기서, 제2종점검출기를 대신하여 광학시스템에 의해 웨이퍼에 조사되어 반사되어 나오는 광 값에 의하여 종점을 검출하는 광신호연마종점검출기가 사용된다.

公开(公告)号：KR1020050024589A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030061582

申请日：2003-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자응 ,  이종원 ,  이성배 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing device is provided to detect effectively a polishing end point by the current change of a motor driving a carrier head, the wavelength change of beams by an optical system, and the temperature change of a polishing step. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing device is composed of a polishing table(15) rotated by a polishing table motor(11) and installed with a pad(16) on the upper surface; a carrier head(17) positioned on the upper part of the polishing table, rotated by the driving of the carrier head motor, and installed with a wafer(31) on the bottom side; a slurry supplier(29) for feeding the slurry to the upper surface of the polishing table; at least one temperature detector(23) for sensing the temperature of at least one polishing step of the wafer, the pad, and the slurry; a first end point detector(21) for detecting a polishing end point by the temperature change of the temperature detector; and a second end point detector(19) for detecting the polishing end point from the change of load current, voltage, and resistance of the carrier head motor.

Abstract translation: 目的：提供一种化学机械抛光装置，用于通过驱动载体头的电机的电流变化，光学系统的光束波长变化和抛光步骤的温度变化来有效地检测抛光终点。 构成：化学机械抛光装置由抛光台马达（11）旋转并在上表面上安装有垫（16）的抛光台（15）组成; 位于所述研磨台的上部的载体头部（17），通过所述载体头马达的驱动旋转，并且在所述底侧安装有晶片（31） 用于将浆料供给到抛光台的上表面的浆料供应器（29）; 至少一个温度检测器（23），用于感测晶片，衬垫和浆料的至少一个抛光步骤的温度; 用于通过温度检测器的温度变化检测抛光终点的第一端点检测器（21） 以及第二端点检测器（19），用于根据载体电动机的负载电流，电压和电阻的变化来检测抛光终点。

公开(公告)号：KR1020050024100A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030061911

申请日：2003-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍덕호 ,  이종원 ,  권영백 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus is provided to prevent the generation of particles due to abrasion and corrosion of a membrane by using a membrane protecting layer. CONSTITUTION: A CMP apparatus(30) includes a rotatable platen(11), a carrier head body on the platen, a membrane, and a membrane protecting layer. The membrane(25) for buffering a wafer(W) is installed under the carrier head body. The membrane protecting layer(27) for preventing the friction between the membrane and the wafer is installed under the membrane.

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）装置，以通过使用膜保护层来防止由于膜的磨损和腐蚀而产生颗粒。 构成：CMP装置（30）包括可旋转的压板（11），压板上的载体头主体，膜和膜保护层。 用于缓冲晶片（W）的膜（25）安装在载体头主体下方。 用于防止膜和晶片之间的摩擦的膜保护层（27）安装在膜下。

公开(公告)号：KR1020040067722A

公开(公告)日：2004-07-30

申请号：KR1020030004956

申请日：2003-01-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록 ,  손홍성 ,  이성배 ,  홍덕호 ,  한자형

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A CMP(chemical mechanical polishing) process monitoring pattern with a dummy pattern is provided to improve reliability of a measured value and represent a process result of a cell part by preventing a process monitoring pattern from being eroded in a scribe line. CONSTITUTION: A semiconductor substrate includes a cell part, a peripheral circuit part and a scribe line part(A3). A CMP process monitoring pattern has a measuring pattern(B3) and a dummy pattern(C2) in the scribe line. The measuring pattern measures a thickness, and the dummy pattern surrounds the measuring pattern. The dummy pattern has a size greater than a planarization interval from the measuring pattern. The dummy pattern has the same pattern as a cell area.

Abstract translation: 目的：提供具有虚拟图案的CMP（化学机械抛光）工艺监测图案，以提高测量值的可靠性，并通过防止过程监控图案在划线中被侵蚀来表示单元部件的处理结果。 构成：半导体衬底包括电池部分，外围电路部分和划线部分（A3）。 CMP处理监视模式在划线中具有测量模式（B3）和虚拟模式（C2）。 测量图案测量厚度，并且虚拟图案围绕测量图案。 虚拟图案的尺寸大于来自测量图案的平坦化间隔。 虚拟图案具有与单元格区域相同的图案。

公开(公告)号：KR1020070029541A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020060001375

申请日：2006-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경우 ,  홍덕호

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: A method for forming an IC(Integrated Circuit) device with a metal line structure is provided to restrain an electrical short between adjacent vias and to reduce the generation of metal defects. A first insulating layer(114) is formed on a semiconductor substrate(110). An insulating dry etch stop layer is formed on the first insulating layer. A second insulating layer(118) is formed on the dry etch stop layer. A first contact hole is formed through the second insulating layer and prolonged into the first insulating layer. A metal film is formed on the resultant structure including the first contact hole. A metal plug(132a) is filled in the first contact hole by planarizing the metal film until the second insulating layer is exposed to the outside. A dry etching process is performed on the exposed second insulating layer to expose a lateral portion of the metal plug to the outside. A planarization process is performed on the metal plug by using the dry etch stop layer as a planarization stop layer. A third insulating layer with a second contact hole for exposing the resultant metal plug to the outside is formed thereon.

Abstract translation: 提供一种用于形成具有金属线结构的IC（集成电路）器件的方法，以限制相邻通孔之间的电短路并减少金属缺陷的产生。 第一绝缘层（114）形成在半导体衬底（110）上。 绝缘干蚀刻停止层形成在第一绝缘层上。 在干蚀刻停止层上形成第二绝缘层（118）。 通过第二绝缘层形成第一接触孔并延伸到第一绝缘层。 在包括第一接触孔的所得结构上形成金属膜。 通过使金属膜平坦化，直到第二绝缘层暴露于外部，将金属插塞（132a）填充在第一接触孔中。 对暴露的第二绝缘层进行干蚀刻处理，以将金属插头的侧部暴露于外部。 通过使用干蚀刻停止层作为平坦化停止层，在金属插塞上进行平坦化处理。 在其上形成具有用于将所得金属插头暴露于外部的第二接触孔的第三绝缘层。

公开(公告)号：KR1020070025949A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020060045705

申请日：2006-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션

Inventor： 홍덕호 ,  이경우 ,  마커스나적 ,  로만노플러

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C25D5/022 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for forming an IC(Integrated Circuit) device is provided to prevent the degradation of yield by restraining an electrical short between a conductive via and a metal line. A first insulating layer(114) is formed on a semiconductor substrate(110). A second insulating layer(118) is formed on the first insulating layer. A first contact hole is formed through the first and second insulating layers. A first recess is formed on the first contact hole. A first conductive material fills the first contact hole and the first recess. An etch back process is performed on the second insulating layer by using the first conductive material as an etch mask. At this time, a portion of the first conductive material of the first contact hole is exposed to the outside. A second conductive material is coated on the exposed first conductive material, so that a wire ring pattern is formed on the resultant structure.

Abstract translation: 提供一种用于形成IC（集成电路）器件的方法，以通过抑制导电通孔和金属线之间的电短路来防止产量的劣化。 第一绝缘层（114）形成在半导体衬底（110）上。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层（118）。 通过第一和第二绝缘层形成第一接触孔。 第一凹部形成在第一接触孔上。 第一导电材料填充第一接触孔和第一凹部。 通过使用第一导电材料作为蚀刻掩模，在第二绝缘层上执行回蚀刻工艺。 此时，第一接触孔的第一导电材料的一部分暴露于外部。 在暴露的第一导电材料上涂覆第二导电材料，使得在所得结构上形成线环图案。

公开(公告)号：KR100576822B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020030061911

申请日：2003-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍덕호 ,  이종원 ,  권영백 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 화학적ㆍ기계적 연마장치를 제공한다. 상기 화학적·기계적 연마장치는 연마패드가 마련되며 회전가능한 플래튼과, 상기 플래튼의 상측에 회전가능하게 설치되되, 내부에 에어공급 및 진공흡입되는 다수개의 홀이 형성된 척을 구비하는 캐리어헤드 본체와, 상기 캐리어헤드 본체의 저면에 설치되되, 상기 홀을 노출시키는 개구부가 형성되고, 그 저면에 흡착 고정되는 웨이퍼를 완충하는 멤브레인 및 상기 멤브레인 저면에 설치되어 상기 흡착 고정되는 웨이퍼와의 마찰을 방지하는 멤브레인 보호막을 포함하되, 상기 멤브레인 보호막은 내화학성 및 내마모성을 갖는 물질로 제작되어 웨이퍼의 배면과 접촉되는 멤브레인 일면에 코팅되며, 결정성 물질로 된 연마물질을 함유한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种化学机械抛光设备。 该化学机械抛光设备包括：具有抛光垫的可旋转台板，可旋转地安装在台板上的载体头，并且具有形成有用于供气和抽真空的多个孔的夹盘， 体，doedoe安装在承载头主体的下表面形成有开口暴露所述孔被设置在膜与膜的底表面以缓冲吸附固定晶片以与抽吸固定晶片的底表面摩擦该 其中膜保护膜由具有耐化学性和耐磨性的材料制成，并涂覆在与晶片背面接触的膜的一个表面上，并且包含由结晶材料制成的研磨材料。

公开(公告)号：KR100558002B1

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020030066934

申请日：2003-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효종 ,  이종원 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성 ,  정진성 ,  안재수

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 선택적 전기도금을 이용한 금속패턴 형성방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 하지층 상에 절연층을 형성한다. 이어서, 상기 절연층을 패터닝하여 블랭킷 영역을 한정하는 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치 내에 그리고 상기 블랭킷 영역 상에 확산장벽층을 콘포말하게 형성한다. 상기 확산장벽층 상에 연마/도금 저지층 및 상부 시드층을 차례로 콘포말하게 형성한다. 상기 블랭킷 영역 내의 상기 상부 시드층을 선택적으로 제거하여 상기 블랭킷 영역 내의 상기 연마/도금 저지층을 노출시킴과 동시에 상기 트렌치 내에 잔존하는 시드층 패턴을 형성한다. 상기 시드층 패턴에 의해 둘러싸여진 상기 트렌치를 전기도금법을 사용하여 상부 도전층으로 채운다. 상기 상부 도전층, 상기 연마/도금 저지층, 상기 시드층 패턴 및 상기 확산장벽층을 평탄화시키어 상기 블랭킷 영역 내의 상기 절연층을 노출시킨다.
selective electro plating, CMP, Cu, damascene

公开(公告)号：KR1020050080246A

公开(公告)日：2005-08-12

申请号：KR1020040008267

申请日：2004-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박무용 ,  구자응 ,  한상철 ,  홍덕호

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  Y10T279/11

Abstract: 균일한 압력으로 기판을 가압할 수 있는 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치가 개시되어 있다. 플렉서블 멤브레인은 제1 및 제2 면을 갖는 가압판을 포함한다. 가압판의 제1 면은 기판을 흡착하여 연마 패드에 가압한다. 제1 면과 반대측에 위치하는 제2 면은 연마 헤드의 서포터가 결합되어 공간을 형성하고, 공간으로 기판 흡착을 위한 진공과 기판 가압을 위한 제1 공기압이 제공된다. 연마 헤드의 서포터와 결합되는 구획부재가 가압판의 제2 면 상에 형성되어, 공간을 적어도 2개 이상의 영역으로 구획한다. 공기압 도입부가 구획부재에 형성되어, 공기압 도입부를 통해서 가압판으로 제2 공기압이 제공된다. 기판을 전체적으로 균일한 압력으로 연마 패드에 밀착시킬 수가 있어서, 균일한 두께로 연마할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1020050030452A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：KR1020030066934

申请日：2003-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효종 ,  이종원 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성 ,  정진성 ,  안재수

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming a metal pattern is provided to minimize dishing and erosion of the metal pattern by forming selectively a metal film in a trench alone using a polishing/plating barrier. An insulating layer(302) is formed on a lower layer(300). A trench(304) for defining a blanket region is formed in the insulating layer. A diffusion barrier(306), a polishing/plating barrier(310) and an upper seed layer are sequentially formed thereon. By removing selectively the upper seed layer from the blanket region, the polishing/plating barrier of the blanket region is exposed to the outside. An upper conductive layer(308d) is filled in the trench by electroplating. The insulating layer of the blanket region is exposed to the outside by performing a planarizing process on the resultant structure.

Abstract translation: 提供一种形成金属图案的方法，以通过使用抛光/电镀屏障在单独的沟槽中选择性地形成金属膜来最小化金属图案的凹陷和侵蚀。 绝缘层（302）形成在下层（300）上。 在绝缘层中形成用于限定覆盖区域的沟槽（304）。 在其上依次形成扩散阻挡层（306），抛光/电镀屏障（310）和上部种子层。 通过从覆盖区域选择性地去除上部种子层，覆盖区域的抛光/电镀屏障暴露于外部。 通过电镀将上导电层（308d）填充在沟槽中。 通过对所得到的结构进行平坦化处理，将覆盖区域的绝缘层暴露于外部。