-
公开(公告)号:KR100568258B1
公开(公告)日:2006-04-07
申请号:KR1020040051129
申请日:2004-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B57/04 , Y02P70/179
Abstract: 반도체 기판의 연마 속도의 균일성을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적 기계적 연마 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브, 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀 및 슬러리 홀이 형성되는 셀에 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 본 발명의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 포함한다.
화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP), 연마 패드, 슬러리-
公开(公告)号:KR1020050080246A
公开(公告)日:2005-08-12
申请号:KR1020040008267
申请日:2004-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/30 , Y10T279/11
Abstract: 균일한 압력으로 기판을 가압할 수 있는 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치가 개시되어 있다. 플렉서블 멤브레인은 제1 및 제2 면을 갖는 가압판을 포함한다. 가압판의 제1 면은 기판을 흡착하여 연마 패드에 가압한다. 제1 면과 반대측에 위치하는 제2 면은 연마 헤드의 서포터가 결합되어 공간을 형성하고, 공간으로 기판 흡착을 위한 진공과 기판 가압을 위한 제1 공기압이 제공된다. 연마 헤드의 서포터와 결합되는 구획부재가 가압판의 제2 면 상에 형성되어, 공간을 적어도 2개 이상의 영역으로 구획한다. 공기압 도입부가 구획부재에 형성되어, 공기압 도입부를 통해서 가압판으로 제2 공기압이 제공된다. 기판을 전체적으로 균일한 압력으로 연마 패드에 밀착시킬 수가 있어서, 균일한 두께로 연마할 수가 있다.
-
公开(公告)号:KR1020050008231A
公开(公告)日:2005-01-21
申请号:KR1020030048087
申请日:2003-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A head pressure adjustment device of a CMP apparatus and an adjusting method thereof are provided to adjust respectively pressures applied to each region by using an end point of a target. CONSTITUTION: A polishing table(3) is rotated toward a predetermined direction. A carrier head(10) is rotatably installed at an upper side of the polishing table. A wafer is installed on a bottom face of the carrier head. The carrier head includes at least two pressing regions. A fluid supply unit supplies the pressure-adjusted fluid to the pressing regions. Two end point detectors(61,63) are installed at corresponding positions to the pressing regions in order to detect polishing end points of each region. A controller(50) is used for outputting pressure adjustment signals to the fluid supply unit.
Abstract translation: 目的:提供一种CMP设备的头部压力调节装置及其调节方法,用于通过使用目标的终点来分别施加到每个区域的压力。 构成:抛光台(3)朝向预定方向旋转。 承载头(10)可旋转地安装在抛光台的上侧。 晶片安装在承载头的底面上。 承载头包括至少两个按压区域。 流体供应单元将压力调节的流体供应到按压区域。 两个端点检测器(61,63)安装在与按压区域相对应的位置,以便检测每个区域的抛光端点。 控制器(50)用于将压力调节信号输出到流体供应单元。
-
公开(公告)号:KR1020070014469A
公开(公告)日:2007-02-01
申请号:KR1020050069129
申请日:2005-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B53/017 , B24B1/04
Abstract: A CMP apparatus is provided to extend the lifetime of a pad and eliminate the necessity of replacing a diamond disk by avoiding a contact with the surface of the pad by a megasonic method. A pad conditioner assembly supplies fluid(190) to a polishing pad(120) of a CMP apparatus including a nozzle(145) for supplying the fluid to condition the polishing pad while transferring megasonic vibration to the fluid, so that foreign substances are eliminated form the surface of the polishing pad.
Abstract translation: 提供CMP装置以延长焊盘的寿命,并且通过以兆声方式避免与焊盘表面的接触而消除了更换金刚石盘的必要性。 衬垫调节器组件向包括喷嘴(145)的CMP设备的抛光垫(120)供应流体(190),用于供应流体以调节抛光垫,同时将超声波振动传递给流体,从而消除异物 抛光垫的表面。
-
公开(公告)号:KR1020050017418A
公开(公告)日:2005-02-22
申请号:KR1020030055129
申请日:2003-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for conditioning a polishing pad is provided to effectively eliminate the particles firmly attached to a pore or a groove of a polishing pad by installing a vibration inducing apparatus in a conditioner. CONSTITUTION: A substrate(130) capable of being transferred by a driving unit(110) is prepared. A roughness forming unit(150) comes in contact with the upper surface of a polishing pad(10) to form predetermined roughness on the upper surface of the polishing pad, installed in the bottom of the substrate. A vibration generating unit generates vibration in the polishing pad, installed in the bottom of the substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种用于调理抛光垫的设备,通过在调理器中安装振动引导装置,有效地消除了牢固地附着在抛光垫的孔或凹槽上的颗粒。 构成:准备能够由驱动单元(110)传送的基板(130)。 粗糙度形成单元(150)与抛光垫(10)的上表面接触,在抛光垫的上表面上形成预定的粗糙度,安装在基板的底部。 振动产生单元在安装在基板的底部的抛光垫中产生振动。
-
公开(公告)号:KR1020070014445A
公开(公告)日:2007-02-01
申请号:KR1020050069085
申请日:2005-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: A diamond disks having a brush is provided to extend the lifetime of flannel of a polishing pad by including a brush which is installed in a manner proper for initializing the surface of the flannel of the polishing pad after a CMP process is performed. A brush(30) and diamonds(20) are disposed in the peripheral region and the central region of a disk wheel(10), respectively. The brush is surrounded by the diamonds. The brush is vertically extended from the upper surface of the disk wheel to cross the upper surfaces of the diamonds. A distance(S1) between the upper surfaces of the disk wheel and the diamond is smaller than that between the upper surface of a pad flannel and the lower surface of a groove of the pad flannel. A distance(S2) between the upper surface of the disk wheel and the end of the brush separated from the upper surface of the disk wheel is greater than that between the upper surface of the pad flannel and the lower surface of the groove of the pad flannel.
Abstract translation: 具有刷子的金刚石盘被提供以通过包括在执行CMP处理之后以适于初始化抛光垫的法兰绒的表面的方式安装的刷子来延长抛光垫的法兰绒的寿命。 刷子(30)和金刚石(20)分别设置在盘轮(10)的周边区域和中心区域中。 刷子被钻石包围。 刷子从盘轮的上表面垂直延伸,穿过钻石的上表面。 盘轮和金刚石的上表面之间的距离(S1)小于垫法兰绒的上表面和垫法兰的凹槽的下表面之间的距离(S1)。 盘轮的上表面与从盘轮的上表面分离的刷子的端部之间的距离(S2)大于衬垫法兰绒的上表面和衬垫槽的下表面之间的距离 绒布。
-
公开(公告)号:KR1020060002191A
公开(公告)日:2006-01-09
申请号:KR1020040051129
申请日:2004-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24B57/04 , Y02P70/179
Abstract: 반도체 기판의 연마 속도의 균일성을 향상시켜 화학적 기계적 연마 공정의 재현성을 효과적으로 확보할 수 있는 반도체 기판의 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적 기계적 연마 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드는 다수의 셀들의 외주에 형성되는 메인 그루브, 다수의 셀들 중에 적어도 하나의 셀에 형성되어, 피연마체를 연마하는 슬러리가 제공되는 슬러리 홀 및 슬러리 홀이 형성되는 셀에 메인 그루브와 연결되지 않도록 형성되며, 슬러리 홀을 통해서 제공되는 슬러리가 전달되는 제 1 메이저 그루브를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 본 발명의 실시예들 중 어느 하나의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 연마 패드를 포함한다.
화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP), 연마 패드, 슬러리-
公开(公告)号:KR100506934B1
公开(公告)日:2005-08-05
申请号:KR1020030001690
申请日:2003-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 연마장치 및 이를 사용하는 연마방법을 제공한다. 이 연마장치는 그 상면에 연마포가 마련되며 소정의 방향으로 회전하는 턴테이블과; 턴테이블상의 연마포에 피연마물을 가압함과 동시에 소정의 방향으로 회전되어 피연마물을 회전하는 연마포와 상대 운동시켜 연마를 실시하는 케리어헤드; 및 케리어헤드의 내부에 설치되어 제1자기력을 발생시키는 복수의 제1자기발생체와; 케리어헤드의 내부에 설치되되 제1자기발생체에 대응하는 위치에 설치되어 제1자기발생체와 대응하는 척력 또는 인력을 발생시키는 복수의 제2자기발생체로 구성되는 자기가압력조정장치를 구비하며, 이러한 구성을 이용하여 상기 케리어헤드의 저면에 피연마물을 설치하는 공정과; 제2자기발생체에 가해지는 전류의 방향 및 전류의 크기를 조절하여 피연마물을 가압하는 정도를 조절하는 공정과; 케리어헤드와 접하는 타면측에 접하는 테이블을 회전시키고, 그 가압력이 조정된 케리어헤드를 소정의 방향으로 회전시키는 공정을 구비한다.
-
公开(公告)号:KR1020050022654A
公开(公告)日:2005-03-08
申请号:KR1020030060261
申请日:2003-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A polishing pad and a forming method thereof are provided to simplify polishing processes by using a plurality of pillar type structures composed of abrasive layers and additive layer. CONSTITUTION: A polishing pad substrate(100) is provided. A plurality of first and second pillar type structures(300,400) are formed on the polishing pad structure. Each first pillar type structure is composed of a first additive layer(220) and a second abrasive layer(240) on the first additive layer. Each second pillar type structure is composed of a first abrasive layer(210) and a second additive layer(230) on the first abrasive layer.
Abstract translation: 目的:提供抛光垫及其成形方法,以通过使用由研磨层和添加剂层组成的多个柱状结构来简化抛光工艺。 构成:提供抛光垫基板(100)。 在抛光垫结构上形成多个第一和第二柱状结构(300,400)。 每个第一柱型结构由第一添加剂层上的第一添加剂层(220)和第二研磨层(240)组成。 每个第二柱状结构由第一研磨层(210)和第二添加层(230)组成。
-
公开(公告)号:KR1020040082730A
公开(公告)日:2004-09-30
申请号:KR1020030017375
申请日:2003-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: An apparatus for planarizing the surface of a substrate is provided to reduce fabricating cost by eliminating the necessity of slurry used in a CMP(chemical mechanical polishing) process and chemicals for removing the slurry, and to obviate the necessity of a cleaning process using particular chemicals by removing the particles on a substrate by only a cleaning process using deionized water. CONSTITUTION: A planarization process for planarizing the surface of a semiconductor substrate(10) is performed in a process chamber(210). A vacuum chuck(260) absorbs the back surface of the semiconductor substrate by using a vacuum pressure, disposed in the process chamber. A laser oscillating unit(266) irradiates a laser beam in a direction parallel with the front surface of the semiconductor substrate absorbed to the vacuum chuck. A driving unit scans the front surface of the semiconductor substrate by using the laser beam and generates a relative straight line motion between the laser beam and the semiconductor substrate so as to planarize the front surface of the substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种用于平坦化基板表面的设备,以通过消除CMP(化学机械抛光)工艺中使用的浆料和用于除去浆料的化学品的必要性来降低制造成本,并且消除使用 通过仅使用去离子水的清洁方法去除基底上的颗粒来使用特定的化学品。 构成:在处理室(210)中执行用于平坦化半导体衬底(10)的表面的平坦化处理。 真空吸盘(260)通过使用设置在处理室中的真空压力吸收半导体衬底的背面。 激光振荡单元(266)沿与吸收到真空吸盘的半导体衬底的前表面平行的方向照射激光束。 驱动单元通过使用激光束扫描半导体衬底的前表面,并且在激光束和半导体衬底之间产生相对直线运动,以平坦化衬底的正面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-