公开(公告)号：KR101603774B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020090042192

申请日：2009-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김언정 ,  이은홍 ,  이영희 ,  이일하

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/08

Abstract: 탄소나노튜브소자어레이의제조방법이개시된다. 개시된탄소나노튜브소자어레이의제조방법은포토리소그라피공정을이용하여촉매패턴들을형성하고, 이촉매패턴들로부터탄소나노튜브를성장시킨다음, 이렇게성장된탄소나노튜브상에전극들을형성한다.

公开(公告)号：KR101432037B1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020080038897

申请日：2008-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김언정 ,  이은홍 ,  이영희 ,  유우종

IPC: H01L29/80 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H03K19/173 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545

Abstract: 본 발명은 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로에 관하여 개시된다. 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로는: 복수의 트랜지스터를 구비하며, 상기 트랜지스터는, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상의 게이트 절연층 및 게이트 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터이며, 전원전압의 전압에 따라서 상기 트랜지스터는 p형 또는 n형으로 변환된다.

公开(公告)号：KR1020090108459A

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020080033882

申请日：2008-04-11

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김언정 ,  이영희 ,  최재영 ,  유우종

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/768

CPC classification number: H01L51/002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A doping method of a transistor comprising carbon nano tube is provided to easily manufacture a p-type transistor and an n-type transistor according to needs. CONSTITUTION: A field effect transistor(200) includes a source, a drain, a carbon nano tube, and a gate. The carbon nano tube is a channel of the source and the drain. A first voltage is applied to the gate. An ion is absorbed on a surface of the carbon nano tube(20). In the absorbing step, nitronium hexafluoro antimonate solution is contacted on the surface of the carbon nano tube. The solution which is not absorbed on the surface of the carbon nano tube is removed. The ion is absorbed on the surface of the carbon nano tube by drying the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种包含碳纳米管的晶体管的掺杂方法，以便根据需要容易制造p型晶体管和n型晶体管。 构成：场效应晶体管（200）包括源极，漏极，碳纳米管和栅极。 碳纳米管是源极和漏极的通道。 第一电压施加到栅极。 在碳纳米管（20）的表面上吸收离子。 在吸收步骤中，六氟铱硝酸铌溶液在碳纳米管的表面上接触。 去除不被碳纳米管表面吸收的溶液。 通过干燥基底将离子吸收在碳纳米管的表面上。

公开(公告)号：KR1020170045040A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150144946

申请日：2015-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김언정 ,  김효철 ,  노영근 ,  박연상 ,  정재관 ,  이시영 ,  이영희

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/242 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/88 ,  H01L29/882 ,  H01L29/885 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1136

Abstract: 이차원물질을포함한반도체소자가개시된다. 일실시예에따른반도체소자는기판, 기판상에형성되어있으며제1 영역과이에인접한제2 영역을갖는이차원물질층, 및이차원물질층의제1 및제2 영역과각각접촉하도록형성된소스/드레인전극을포함한다. 여기서, 제1 영역의이차원물질층의표면에흡착된산소의양인제1 산소흡착율과상기제2 영역의이차원물질층의표면에흡착된산소의양인제2 산소흡착율이서로다르다.

Abstract translation: 公开了一种包括二维材料的半导体器件。 根据一个实施例的半导体器件包括衬底，形成在衬底的第一区域和与其相邻的具有面积材料的第二二维层，并形成为与连接器1个mitje第二区域，并且每个二维材料层，一源极/ 排水电极。 这里，第一材料的两个维层的表面上的氧吸附的重新开始2氧吸附速度的量和在西班牙的二维材料层1的第2区域的区域的表面上的氧吸附的氧吸附速度的量是彼此不同的。

公开(公告)号：KR101634753B1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：KR1020080119974

申请日：2008-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  이영희 ,  최재영 ,  윤선미 ,  김수민 ,  김언정

IPC: C07D401/04 ,  C07D213/16

CPC classification number: C07D213/22 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/24 ,  H01L51/0049 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/795

Abstract: 분자구조중에두 개이상의피리디늄유도체를포함하는화합물이고, 상기화합물은환원된상태에있는화합물을 CNT n-도핑물질로이용하면상기화합물은 CNT에자발적으로전자를주고안정한구조로산환되어 n-도핑할수 있다. 상기 CNT n-도핑물질을이용하여 CNT를 n-도핑하는경우공기및/또는수분중에서장기간도핑안정성을확보할수 있고도핑상태의제어도용이할수 있다.

公开(公告)号：KR1020100094192A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013504

申请日：2009-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이은홍 ,  김언정 ,  유우종 ,  이영희

IPC: H01L27/11

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/412 ,  G11C13/0033 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A static random access memory(SRAM) using a carbon nanotube thin film is provided to maintain the characteristic uniformity of an SRAM by including a transistor in which channels are composed of carbon nanotube thin films. CONSTITUTION: A first SRAM includes a first transistor to a sixth transistor(Q1 to Q6). The first transistor and the second transistor form a first inverter(40). The third transistor and the forth transistor form a second inverter(42). The first inverter and the second inverter form a flip-flop circuit. The gate of the fifth transistor is connected with a word-line(W). One end of the sixth transistor is connected with a second bit-line(B2).

Abstract translation: 目的：提供使用碳纳米管薄膜的静态随机存取存储器（SRAM），以通过包括其中通道由碳纳米管薄膜组成的晶体管来保持SRAM的特性均匀性。 构成：第一SRAM包括第一晶体管至第六晶体管（Q1至Q6）。 第一晶体管和第二晶体管形成第一反相器（40）。 第三晶体管和第四晶体管形成第二反相器（42）。 第一反相器和第二反相器形成触发器电路。 第五晶体管的栅极与字线（W）连接。 第六晶体管的一端与第二位线（B2）连接。

公开(公告)号：KR102176581B1

公开(公告)日：2020-11-09

申请号：KR20130134987

申请日：2013-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  울산과학기술원

Inventor： 김언정 ,  노영근 ,  김진은 ,  박수진 ,  박연상 ,  백찬욱 ,  유승민 ,  이재숭 ,  천상모

IPC: B82B1/00 ,  H05B33/00

Abstract: 나노구조체및 이를포함하는광학소자가개시된다. 개시된나노구조체는그래핀과같은탄소나노물질층상에금속으로형성된나노패턴을포함할수 있으며, 상기나노패턴표면에형성된금속층을포함할수 있다. 나노구조체는링형상으로형성될수 있으며, 상기금속층은서로다른금속들로형성된다수의금속층들로형성된것일수 있다.

公开(公告)号：KR101636915B1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：KR1020100086586

申请日：2010-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최준희 ,  김언정 ,  이상진

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02538 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02444 ,  H01L29/1606 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24

Abstract: 그래핀또는탄소나노튜브를이용한반도체화합물구조체및 그제조방법과, 반도체화합물구조체를포함하는반도체소자가개시된다. 개시된반도체화합물구조체는기판상에마련되는것으로, 육각결정구조를구조를가지는탄소들을포함하는물질로이루어진버퍼층과, 이버퍼층상에성장형성되는반도체화합물층;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150050093A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130131503

申请日：2013-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노영근 ,  천상모 ,  김언정 ,  김진은 ,  박연상 ,  이장원

IPC: G02B26/08 ,  G02B5/08

CPC classification number: H01S5/18391 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/107 ,  H01L33/02 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01S5/041 ,  H01S5/18383 ,  H01S5/423

Abstract: 지향성광 추출장치및 이를포함한광 인터커넥션시스템이개시된다. 개시된지향성광 추출장치는, 광을방출하는발광구조물과, 상기발광구조물상에구비된것으로, 상기광을공진시키는광 공급부및 상기광 공급부로부터나온광이지향성을갖도록반사시키는광 반사부를포함하는광학안테나층을포함하고, 상기광 공급부는상기광학안테나층을관통하는슬롯형상을가진다.

Abstract translation: 公开了一种定向光提取装置和包括该定向光提取装置的光互连系统。 所公开的定向光提取装置包括发光的发光结构; 包括在所述发光结构中并且使所述光的共振的光供给单元; 以及光天线层，其包括反射从所述光供给单元发射的光以具有所述光的方向性的光反射单元。 光供给单元具有穿过光天线层的槽形状。

公开(公告)号：KR1020140025158A

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020120091469

申请日：2012-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노영근 ,  김언정 ,  이장원

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02115 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0041 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31105 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/82

Abstract: Disclosed is a method for preventing charge accumulation in a semiconductor device manufacturing process. According to one embodiment of the present invention, the method for preventing charge accumulation includes the steps of: forming a material layer on a substrate and patterning (processing) the material layer; and forming a graphene layer on the upper part or the lower part of the material layer before the material layer is patterned. The substrate can be an insulating substrate. Also, the substrate can be a laminate with a multi-layered structure.

Abstract translation: 公开了一种在半导体器件制造工艺中防止电荷累积的方法。 根据本发明的一个实施例，用于防止电荷累积的方法包括以下步骤：在衬底上形成材料层并构图（加工）材料层; 以及在材料层被图案化之前在材料层的上部或下部形成石墨烯层。 衬底可以是绝缘衬底。 此外，基板可以是具有多层结构的层叠体。